【技术实现步骤摘要】
一种二氧化硅活性清洗剂、制备装置及方法
[0001]本专利技术涉及二氧化硅腐蚀工艺
，具体涉及一种二氧化硅活性清洗剂、制备装置及方法。
技术介绍
[0002]二氧化硅因其优越的电绝缘性和工艺的可行性而被广泛应用在各类半导体器件中，二氧化硅腐蚀是半导体制造过程中的必要环节，腐蚀二氧化硅常见的工艺是化学湿法腐蚀。
[0003]液体在与固体接触时,沿固体表面扩展而相互附着的现象,又称为液体浸润固体,也可称为润湿。为了改善二氧化硅湿法腐蚀效果，传统的做法是湿法腐蚀前将晶圆在活性清洗剂中先进行预湿浸润，活性清洗剂的作用是减小硅片的表面张力，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀的效果。
[0004]由于二氧化硅腐蚀液中含有有氢氟酸，氢氟酸对常规的活性清洗剂中的表面活性剂都具有腐蚀作用，会破坏活性清洗剂，降低预湿浸润效果。
技术实现思路
[0005]为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供二氧化硅活性清洗剂、制备装置及方法，旨在解决现有技术中如下技术问题：（1）采用传统的活性清洗...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种二氧化硅活性清洗剂，其特征在于：包括如下重量份的原料，乙醇8
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10份，异丙醇20
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25份，n,n
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二甲基乙酰胺5
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10份，氟碳表面活性剂5
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6份，去离子水50
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70份。2.一种二氧化硅活性清洗剂制备装置，其特征在于：包括用于存储乙醇和异丙醇的储料室，用于进行乙醇和异丙醇的相互融合的混合室，用于进行阳离子吸附的层析柱，用于进行过滤的滤芯，所述储料室与混合室的入口管路连接，所述混合室的出口与层析柱的入口管路连接，所述层析柱的出口与滤芯的入口管路连接，所述滤芯的出口与层析柱的入口管路连接。3.根据权利要求2所述的二氧化硅活性清洗剂制备装置，其特征在于：所述储料室包括若干个相互独立的腔室，若干个所述腔室分别用于存储乙醇、异丙醇、n,n
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二甲基乙酰胺、去离子水、氟碳表面活性剂，若干个所述腔室均单独通过管路与混合室连接。4.根据权利要求3所述的二氧化硅活性清洗剂制备装置，其特征在于：所述混合室内设有搅拌装置，所述搅拌装置包括驱动电机和旋转叶片；所述驱动电机设置在混合室的上端，所述驱动电机的输出轴与旋转叶片连接，所述旋转叶片设置在混合室内部。5.根据权利要求4所述的二氧化硅活性清洗剂制备装置，其特征在于：所述混合室内设置有侧壁上设置有液位计和温度计，所述混合室内壁设置有多圈呈螺旋排列的加热管，所述加热管内设置有电热丝。6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李冬明，殷金虎，
申请(专利权)人：江苏晶久微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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