当前位置: 首页 > 专利查询>东南大学专利>正文

多模基片集成波导单脉冲天线制造技术

技术编号:3799145 阅读:192 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
多模基片集成波导单脉冲天线可直接应用于微波毫米波跟踪、探测、通讯、测量、天文观察等系统,也可作为抛物反射面天线、卡塞格伦天线的馈源,该天线的上层金属敷铜面(1)、下层金属敷铜面(2)分别位于介质基片(3)的正反两侧,金属化通孔(4)穿过介质基片(3)与上层金属敷铜面(1)、下层金属敷铜面(2)相连接形成依次排列的基片集成波导3dB定向耦合器(5)、基片集成波导90度移相器(6)、基片集成波导波型器(7)、主波导(8),即前一个部件的输出端接后一个部件的输入端;基片集成波导3dB定向耦合器(5)分别与第一输入端口(101)、第二输入端口(102)相连,主波导(8)的输出端接喇叭天线(9)的输入端。

【技术实现步骤摘要】

多模基片集成波导单脉冲天线可直接应用于微波毫米波跟踪、探测、通讯、 测量、天文观察等系统,也可作为抛物反射面天线、卡塞格伦天线的馈源,实现 高增益、窄波束单脉冲天线。
技术介绍
单脉冲天线是在在第二次世界大战后出现而在五、六十年代迅速发展起来的 一种精密跟踪天线。随着导弹、火箭、人造卫星和宇航技术的发展,原先采用的 顺序波束法和圆锥扫描法体制在跟踪精度和取得目标角度信息的速度方面都不 能适应新的要求。而单脉冲体制(又称为同时波束法)原则上只需要一个回波脉 冲就能获得目标的距离和全部角坐标信息,这样就大大加快了提取目标角度信息 的速度,而且其跟踪精度、抗干扰能力诸性能均优于原来的体制,因而得到广泛 的应用。具有理想馈源口径分布的单脉冲天线也用于对抛物反射面天线、卡塞格伦天 线进行馈电,形成高增益、窄波束的单脉冲天线。这种单脉冲馈源是整个天线的 关键元件,整个单脉冲天线的性能与它密切相关。原则上可以通过分别控制"和" 模与"差"模的口径激励来实现最佳的理想馈源口径激励。常用的独立控制各模 的方法是多喇叭法,多模法,以及它们的组合——多喇叭多模法,实用中多采 用多模馈源,这是因为采用这种方法容易控制口径激励,可以得到最佳口径场分 布,而且其馈源系统结构比较简单,故目前应用极为广泛。多模馈源就是用一个单孔径馈源提供单脉冲和差信号。这种技术的基础除了 利用常规的主模TE,。以外,还利用高阶波导模。所用的高次模是由在波导中引入 的不连续性而产生,通常采用变张角或变截面的方法来激励所需要的波型,通常 称这种结构为波型器。其输入端的波导称之为激励波导,输出端的波导称之为主 波导,主波导的开口端即为馈源輻射口径面。激励波导仅能传输主模,而在主波 导中各种模式以不同的相速度向辐射口径传播。多模单脉冲天线的工作原理就是 利用适当的波型器产生需要的多个波型模式,通过改变主波导的尺寸特别是其长 度来控制口径面上各模的相对幅度和相位的关系,产生接近于理想馈源形状的偶 对称与奇对称分布。基片集成波导不仅具有平面化的电路结构,同时具有低损耗、低互耦、高Q值的特性,因此可以用来设计高性能的多模单脉冲天线。
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的是利用基片集成波导设计一个多模单脉冲天线, 使其能直接与射频电路相集成,具有低插入损耗、低加工成本、易于大批量生产 等特点。技术方案本专利技术的多模基片集成波导单脉冲天线,其特征在于上层金属敷铜面、下层金属敷铜面分别位于介质基片的正反两侧,金属化通孔穿过介质基片与上层金属敷铜面、下层金属敷铜面相连接形成依次排列的基片集成波导3dB 定向耦合器、基片集成波导90度移相器、基片集成波导波型器、主波导,即前 一个部件的输出端接后一个部件的输入端;基片集成波导3dB定向耦合器的第一 个输入口与多模基片集成波导单脉冲天线的第一输入端口相连,基片集成波导 3dB定向耦合器的第二个输入口与多模基片集成波导单脉冲天线的第二输入端 口相连;主波导的输出端接喇叭天线的输入端。所述的喇叭天线的下侧为延长的介质基片,上侧为斜坡铜片,两侧为第一侧 面铜片、第二侧面铜片,第一侧面铜片、第二侧面铜片与延长的介质基片的下层 金属敷铜面相连接接。基片集成波导90度移相器通过调节金属化通孔的位置,形成具有不同宽度 的基片集成波导,从而实现所需的90度相移量。基片集成波导波型器具有两个输入口、 一个输出口;基片集成波导波型器两 个输入口的宽度均设定为仅允许基片集成波导的主模传输;基片集成波导波型器 输出口的宽度设定为允许基片集成波导的前三个模式传输。延长的介质基片只有 下层金属敷铜面,.而无上层金属敷铜面,也无金属化通孔。基片集成波导3dB定向耦合器、基片集成波导90度移相器的宽度设定为只 允许基片集成波导的主模TEJ专播;基片集成波导波型器的不连续性使得主波导 中出现高次模;主波导的宽度设定为只允许基片集成波导的前三个模式 TE10, TE20, TE犯传播。若选用的介质基片足够厚,使得主波导的输出口可以有效的辐射能量,则不 需要再接额外的喇叭天线辐射能量;但通常情况下,使用的介质基片较薄,无法 直接利用主波导的开口端进行辐射,则需要将主波导输出端的介质基片延长,延 长的介质基片只有下层金属敷铜面,而无上层金属敷铜面,也无金属化通孔,将 第一侧面铜片、第二侧面铜片、斜坡铜片与延长的介质基片的下层金属敷铜面相 互焊接,构成一个喇叭天线,实现能量的有效辐射。从多模基片集成波导单脉冲天线的第一输入端口馈电,输入信号通过基片集 成波导3dB定向耦合器、基片集成波导90度移相器,在基片集成波导90度移相 器的两个输出口得到幅度相等、相位相反的两个输出,再分别进入基片集成波导 波形器的第一个输入口、基片集成波导波形器的第二个输入口,经过基片集成波导波形器的不连续性,在基片集成波导波形器的输出口激励出TE2。模,通过主波 导进入喇叭天线,在喇叭天线的辐射口形成奇对称分布,可激励出差波束;从多 模基片集成波导单脉冲天线的第二输入端口馈电,输入信号通过基片集成波导 3dB定向耦合器、基片集成波导90度移相器,在基片集成波导90度移相器的两 个输出口得到幅度相等、相位相同的两个输出,再分别进入基片集成波导波形器 的第一个输入口、基片集成波导波形器的第二个输入口,经过基片集成波导波形 器的不连续性,在基片集成波导波形器的输出口激励出TEw、 TE3。模,通过主波 导进入喇叭天线,适当调节主波导、延长的介质基片的长度和主波导的宽度,使 得TEw和TE3。模在喇叭天线的辐射口正好反相,形成偶对称分布,可激励出和波 束;若奇对称分布只存在TE加一种模式,适当调节基片集成波导波形器的输入口 和输出口宽度的比值,可以得到近似钟型的最佳偶对称口径场分布,而不影响奇 对称场分布。有益效果本专利技术具有以下优点h )使单脉冲天线在以平面的形式工作于微波毫米波频段时,具有较高增益、 Q值和较低损耗。同时与金属波导的立体结构相比,体积小、重量轻、加工 简便、成本低。2:)该单脉冲天线制作于介质基片上,与有源电路集成方便。 3:)单脉冲天线的各子部分集成为一体,结构紧凑。4:)可以利用普通PCB工艺加工,精度高、重复性好,适合大批量生产。 附图说明图1是本专利技术多模基片集成波导单脉冲天线的结构示意图,以上的图中有上层金属敷铜面l、下层金属敷铜面2、介质基片3、延长的介质基片31、金属化通孔4、基片集成波导3dB定向耦合器5、基片集成波导 90度移相器6、基片集成波导波型器7、主波导8、喇叭天线9、第一侧面铜片 91、第二侧面铜片92、斜坡铜片93、第一输入端口 101、第二输入端口 102。具体实施例方式本专利技术中的多模基片集成波导单脉冲天线,包括上层金属敷铜面l、下层金 属敷铜面2、介质基片3、延长的介质基片31、金属化通孔4、基片集成波导3dB 定向耦合器5、基片集成波导90度移相器6、基片集成波导波型器7、主波导8、 喇叭天线9、第一侧面铜片91、第二侧面铜片92、斜坡铜片93、第一输入端口 101、第二输入端口 102;上层金属敷铜面l、下层金属敷铜面2分别位于介质基 片3的正反两侧,金属化通孔4穿过介质基片3与上层金属敷铜面1、下层金属敷铜面2相连接形成基片集成波导3本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种多模基片集成波导单脉冲天线,其特征在于上层金属敷铜面(1)、下层金属敷铜面(2)分别位于介质基片(3)的正反两侧,金属化通孔(4)穿过介质基片(3)与上层金属敷铜面(1)、下层金属敷铜面(2)相连接形成依次排列的基片集成波导3dB定向耦合器(5)、基片集成波导90度移相器(6)、基片集成波导波型器(7)、主波导(8),即前一个部件的输出端接后一个部件的输入端;基片集成波导3dB定向耦合器(5)的第一个输入口与多模基片集成波导单脉冲天线的第一输入端口(101)相连,基片集成波导3dB定向耦合器(5)的第二个输入口与多模基片集成波导单脉冲天线的第二输入端口(102)相连;主波导(8)的输出端接喇叭天线(9)的输入端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:洪伟程钰间
申请(专利权)人:东南大学
类型:发明
国别省市:84[中国|南京]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1