一种双p层碳化硅p-i-n紫外光电探测器及制备方法技术

一种双p层碳化硅p

【技术实现步骤摘要】
一种双p层碳化硅p
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n紫外光电探测器及制备方法


[0001]本专利技术涉及紫外光电探测器，尤其是涉及可提高极紫外和深紫外波段信号的吸收和响应度的一种双p层碳化硅p
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n紫外光电探测器及制备方法。

技术介绍

[0002]随着紫外线在国防领域、工业制造、光刻技术、医疗卫生消毒、环境监测等方面都得到了越来越广泛的应用，紫外光波段信号，特别是极紫外和深紫外波段(波长为10～280nm)信号的探测技术逐渐成为光电器件领域的研究热点，不同类型与工作原理的紫外光电探测器逐渐被研制，其中具有低电压、体积小、寿命长等优良特性的半导体材料紫外光电探测器成为了研究重点。
[0003]目前，主流的紫外波段信号的半导体探测技术主要采取硅基探测器，但是在高能量光子辐射、高温等恶劣工作环境中，硅基探测器的性能会大幅度降低，并且可能出现器件损坏的情况。此外，单晶硅禁带宽度小，硅基探测器工作时会受到可见光的影响，需要采用滤波片过滤其它波段的信号，增加探测器的成本和体积。宽禁带半导体光电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双p层碳化硅p
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n紫外光电探测器，其特征在于设有碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、圆柱状碳化硅低掺杂n
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型吸收层、圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层、圆柱状碳化硅低掺杂p
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型吸收层、钝化隔离介电层、钝化隔离层；在碳化硅高掺杂n+型衬底的硅面上外延同质的碳化硅n型缓冲层，在碳化硅n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅低掺杂n
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型吸收层，以圆柱状碳化硅低掺杂n
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型吸收层的轴心为中心向外设小面积的圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层，以圆柱状碳化硅低掺杂n
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型吸收层的轴心为中心向上设大面积的圆柱状碳化硅低掺杂p
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型吸收层，在圆柱状碳化硅低掺杂p
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型吸收层和p+型欧姆接触层中间设钝化隔离介电层，在圆柱状碳化硅低掺杂p
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型吸收层表面设钝化隔离层；在碳化硅高掺杂n+型衬底的背面设有n+型电极，在圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层上表面设有p+型电极。2.如权利要求1所述一种双p层碳化硅p
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n紫外光电探测器，其特征在于其具有两个p
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n结构，一个为由圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层、圆柱状碳化硅低掺杂n
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型吸收层和碳化硅n型缓冲层形成的小面积横纵向相结合p
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n结构，另一个为由圆柱状碳化硅低掺杂p
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型吸收层、圆柱状碳化硅低掺杂n
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型吸收层和碳化硅n型缓冲层形成的大面积纵向p
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n结构，两个p
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n结构的耗尽层电场相互连接和耦合，使得在纵向p
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n内产生的光生载流子可被电场加速漂移至横纵向结合p
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n结构中的p+型欧姆接触层中。3.如权利要求1所述一种双p层碳化硅p
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n紫外光电探测器，其特征在于所述圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层的宽度为100nm～5μm，厚度为200nm～1μm，掺杂浓度量级为10
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/cm3～10
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/cm3。4.如权利要求1所述一种双p层碳化硅p
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n紫外光电探测器，其特征在于所述圆柱状碳化硅低掺杂p

【专利技术属性】
技术研发人员：刘庚，姚亮，刘颖，洪荣墩，付钊，张锐军，刘佳，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：