一种具有圆极化辐射的SIW自多工缝隙天线制造技术

本发明专利技术公开了一种具有圆极化辐射的SIW自多工缝隙天线，包括自下而上依次设置的第一金属层、第一介质层和第二金属层，其中，第一介质层上设置有多个第一通孔和三个第二通孔，多个第一通孔沿圆周布置，多个第一通孔在圆周上形成三个间隔的输入窗口并且在圆周内部形成一个SIW谐振腔；三个第二通孔位于由多个第一通孔形成的圆周内部；第二金属层包括金属主体部以及开设在金属主体部上的缝隙，缝隙中嵌套有正方形微带贴片，在金属主体部的外周间隔设置有向外延伸的第一微带线、第二微带线和第三微带线。本发明专利技术的天线在小型化基础上实现了具有良好端口间隔离的可调谐自多工天线，具有结构紧凑、辐射性能优越和应用范围广等特点。紧凑、辐射性能优越和应用范围广等特点。紧凑、辐射性能优越和应用范围广等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种具有圆极化辐射的SIW自多工缝隙天线


[0001]本专利技术属于天线
，具体涉及一种具有圆极化辐射的SIW自多工缝隙天线。

技术介绍

[0002]近年来，多频带天线已被广泛应用于手持和移动无线通信设备中。由于其本身的固有特性，多频带天线消除了对多应用场景下多重天线的需求并有效提高了无线通信系统的便携性。需要注意的是，多频带天线通常与若干数量的收发器在不同的频带上协同工作，因而面临隔离性差和高干扰的问题。为此，多工器(多频道合成器)这样的频率选择电路需要作为桥梁被引入多频带天线与收发器之间，提高接收和发射通道间的隔离度和抗干扰性。多工器的存在不可避免地增加了整个电路的复杂性，限制了其在高密度集成中的应用，而自多工天线的出现成为解决这一问题的有效途径。
[0003]基片集成波导(Substrate integrated waveguide，SIW)因其高Q值以及与平面结构一起工作的适用性而被广泛应用于射频前端组件。在与缝隙天线的结合中，SIW腔体表现出良好的抑制表面波和限制能量的能力，可以有效提高天线的辐射效率、增益及前后比，进而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有圆极化辐射的SIW自多工缝隙天线，其特征在于，包括自下而上依次设置的第一金属层(1)、第一介质层(2)和第二金属层(3)，其中，所述第一介质层(2)上设置有多个第一通孔(201)和三个第二通孔(202)，所述多个第一通孔(201)沿圆周布置，所述多个第一通孔(201)在所述圆周上形成间隔的三个输入窗口(203)并且在所述圆周内部形成一个SIW谐振腔(204)；所述三个第二通孔(202)位于由所述多个第一通孔(201)形成的圆周内部，所述第一通孔(201)和所述第二通孔(202)中均填充有金属材料；所述第二金属层(3)包括金属主体部(301)以及开设在所述金属主体部(301)上的缝隙(302)，所述缝隙(302)中嵌套有正方形微带贴片(303)，在所述金属主体部(301)的外周间隔设置有向外延伸的第一微带线(304)、第二微带线(305)和第三微带线(306)，所述缝隙(302)的投影位于所述SIW谐振腔(204)内部；所述第一微带线(304)、所述第二微带线(305)和所述第三微带线(306)的投影与所述三个输入窗口(203)分别重叠。2.根据权利要求1所述的具有圆极化辐射的SIW自多工缝隙天线，其特征在于，在所述第一金属层(1)中开设有多个第三通孔(101)，所述多个第三通孔(101)形成第一圆形区域(102)，所述多个第三通孔(101)的尺寸及排布方式与所述多个第一通孔(201)的尺寸及排布方式相同。3.根据权利要求1所述的具有圆极化辐射的SIW自多工缝隙天线，其特征在于，在所述第二金属层(3)中还开设有多个第四通孔(307)，所述第四通孔(307)形成第二圆形区域(308)，所述第四通孔(307)的尺寸及排布方式与所述多个第一通孔(201)的尺寸及排布方式相同。4.根据权利要求1所述的具有圆极化辐射的SIW自多工缝隙天线，其特征在于，所述缝隙(302)包括一个方环形缝隙(3021)以及设置在所述方环形缝隙(3021)三个角上的条状缝隙(302...

【专利技术属性】
技术研发人员：董刚，姚奕彤，朱樟明，杨银堂，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：