【技术实现步骤摘要】
显示设备
[0001]本申请是针对分案申请201911225746.1再次提出的分案申请。分案申请201911225746.1是申请日为2010年9月28日、申请号为“201080046963.5”、专利技术名称为“液晶显示设备以及具有其的电子装置”的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及液晶显示设备。本专利技术涉及具有液晶显示设备的电子装置。
技术介绍
[0003]如通常在液晶显示设备中看到的,在诸如玻璃基板之类的平板上形成的薄膜晶体管已使用非晶硅、多晶硅等来制造。使用非晶硅制造的薄膜晶体管具有低场效应迁移率,但可在较大的玻璃基板上形成。另一方面,使用晶体硅制造的薄膜晶体管具有高场效应迁移率,但是由于诸如激光退火之类的结晶步骤,这种晶体管不一定适于在较大的玻璃基板上形成。
[0004]鉴于上述内容,已注意到一种使用氧化物半导体制造薄膜晶体管的技术,而且这种晶体管应用于电子器件或光学器件。例如,专利文献1公开了使用氧化锌或In
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示设备,包括:包括晶体管的像素部分;以及电连接到所述像素部分的栅极线驱动电路,其中,所述晶体管包括氧化物半导体层,该氧化物半导体层包括沟道形成区,且其中,所述像素部分被配置为以第一模式和第二模式显示,在所述第一模式的期间向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲,所述第二模式包括停止向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲的周期。2.一种显示设备,包括:包括晶体管的像素部分;以及电连接到所述像素部分的栅极线驱动电路,其中,所述晶体管包括氧化物半导体层,该氧化物半导体层包括沟道形成区,其中,所述像素部分被配置为以第一模式和第二模式显示,在所述第一模式的期间向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲,所述第二模式包括停止向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲的周期,其中,所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌,且其中,在漏电压为1V时,所述晶体管的截止状态电流为1
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A或更小。3.一种显示设备,包括:包括晶体管的像素部分;以及电连接到所述像素部分的栅极线驱动电路其中,所述晶体管包括氧化物半导体层,该氧化物半导体层包括沟道形成区,其中,所述像素部分被配置为以第一模式和第二模式显示,在所述第一模式的期间向所述栅极线驱动电路提供起动脉冲,所述第二模式包括停止向所述栅极线驱动电...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,小山润,三宅博之,津吹将志,野田耕生,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:
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