湿式蚀刻方法技术

本公开中提出的湿式蚀刻方法，其为利用表面改质液对基板上的含金属膜进行预处理，接着使用蚀刻液进行蚀刻的湿式蚀刻方法，前述蚀刻液为包含键合有三氟甲基及羰基的β

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】湿式蚀刻方法


[0001]本公开涉及一种半导体制造工序等中使用的基板上的含金属膜的湿式蚀刻方法、蚀刻液。

技术介绍

[0002]在半导体元件的制造工序中，为了使作为金属栅极材料、电极材料或磁性材料等的金属膜、作为压电材料、LED(Light Emitting Diode，发光二极管)发光材料、透明电极材料或介电材料等的金属化合物膜等形成于基板上的金属膜和金属化合物膜(以下有时将它们称为含金属膜)形成所需的图案，而进行蚀刻处理。
[0003]作为半导体元件的制造工序中的基板上的含金属膜的蚀刻方法，已知有使用药液的湿式蚀刻。专利文献1中，公开有如下蚀刻方法：使pH值调整为8～10或者9～10的氨水与过氧化氢溶液的混合液与铜膜接触而形成铜的氧化膜，接着将酸或者碱等作为蚀刻液对铜的氧化膜进行蚀刻，从而选择性地将铜的氧化膜自铜膜去除。专利文献2及3中，公开有使用包含无机酸、有机酸、氧化性物质的蚀刻液的方法，专利文献4中，公开有在基板上的含金属膜的蚀刻中，使蚀刻后的金属表面在原子水平上平滑化的方法，专利文献5中，公开有使用水性介质中包含有机胺化合物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种湿式蚀刻方法，其为利用表面改质液对基板上的含金属膜进行预处理，接着使用蚀刻液进行蚀刻的湿式蚀刻方法，所述蚀刻液为包含键合有三氟甲基及羰基的β
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二酮和有机溶剂的溶液，所述含金属膜包含能够与所述β
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二酮形成络合物的金属元素，所述表面改质液包含对所述金属元素的氧化性物质，所述湿式蚀刻方法包括：第一工序，使所述表面改质液与所述含金属膜接触而在所述含金属膜的表面形成所述金属元素的氧化膜；和第二工序，使所述蚀刻液与具有所述氧化膜的所述含金属膜接触。2.根据权利要求1所述的湿式蚀刻方法，其中，在所述第二工序中，不使所述氧化性物质与所述含金属膜接触。3.根据权利要求1或2所述的湿式蚀刻方法，其在所述第一工序与第二工序之间包括基板表面的洗涤工序。4.根据权利要求1～3中任一项所述的湿式蚀刻方法，其中，使所述表面改质液与所述含金属膜接触的时间为2分钟以内，使所述蚀刻液与具有所述氧化膜的所述含金属膜接触的时间为2分钟以内。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉浦一基，冈田卓也，渡边谦太，公文创一，中村阳介，谷口敬寿，
申请(专利权)人：中央硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：