一种嵌镶结构的纳米硅-氧化亚硅负极材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于纳米材料制备技术领域，具体涉及一种嵌镶结构的纳米硅

【技术实现步骤摘要】
一种嵌镶结构的纳米硅
‑
氧化亚硅负极材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于纳米材料制备
，具体涉及一种嵌镶结构的纳米硅
‑
氧化亚硅负极材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]硅材料的理论比容量高达4200mAh g
‑1(Li
22
Si5)，被认为是最有前景的下一代锂离子电池负极材料。然而，单质Si负极材料在合金化/脱合金过程中，会造成超过300％体积变化，导致硅颗粒开裂和粉化，与导电剂和集流体失去有效接触，从而导致容量快速衰减。因此，在过去的几十年里，硅材料引起了社会上越来越多学者的广泛研究。为了解决硅基负极商业化应用中的突出问题，探索了各种旨在开发具有长循环寿命和高倍率性能电极材料的有效策略。
[0003]氧化亚硅(SiO
x
)作为锂离子电池负极材料具有较高的理论比容量(2680mAh g
‑1)和低的嵌锂电位(～0.5V vs.Li/Li
+
)，是一种很有前景的高比能锂离子电池负极材料。与此同时，氧化亚硅(SiO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种嵌镶结构的纳米硅
‑
氧化亚硅负极材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将纳米白炭黑和Al粉按一定摩尔比混合均匀，得到粉末A；2)配置一定量的NaCl、KCl和AlCl3的三元熔盐，混合均匀，得到粉末B；3)将得到的粉末A和粉末B放入氧化铝坩埚中混合均匀，将坩埚置于管式炉中，在氩气气氛中升温至一定温度，进行恒温恒热处理；4)将热处理后的产物用过量的盐酸浸泡，除去多余的铝粉及熔盐；5)将盐酸浸泡处理后的产物用蒸馏水反复清洗并离心，然后在真空干燥箱干燥，得到镶嵌结构的纳米硅
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氧化亚硅负极材料。2.根据权利要求1所述的嵌镶结构的纳米硅
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氧化亚硅负极材料的制备方法，其特征在于：步骤1)中，纳米白炭黑和Al粉的摩尔比为1:1.2～1.5。3.根据权利要求1所述的嵌镶结构的纳米硅
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氧化亚硅负极材料的制备方法，其特征在于：步骤2)中，在配置三元熔盐时，三元氯化物的摩尔百分占比为：Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：方道来，刘巍山，杨明明，王孜强，郑翠红，
申请(专利权)人：安徽工业大学，
类型：发明
国别省市：