【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】近红外线吸收组合物、近红外线吸收膜、近红外线吸收滤光器和固体摄像元件用图像传感器
[0001]本专利技术涉及近红外线吸收组合物、使用其的、近红外线吸收膜、近红外线吸收滤光器和固体摄像元件用图像传感器。更具体而言，涉及兼具可见光线区域中的透射性和近红外线区域中的吸收性、并且经时的耐热性优异、进而耐光性优异的近红外线吸收组合物等。
技术介绍
[0002]在摄像机、数码静态照相机、带有照相机功能的移动电话等中使用作为彩色图像的固体摄像元件的CCD、CMOS图像传感器，这些固体摄像元件在其受光部使用对近红外线波长区域的光具有灵敏度的硅光电二极管，因此需要进行视觉灵敏度校正，使用近红外线吸收滤光器。
[0003]对于便携设备，要求进一步的轻质化，在近红外线吸收滤光器中也要求轻质化。
[0004]近年来，轻质、制造和加工简便的、在树脂中添加有色素、金属化合物的近红外线吸收滤光器受到关注，正在进行开发。
[0005]作为色素，在专利文献1和2中，公开了使用方酸菁色素、花青色素的技术。
[0006]在专利文献...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.近红外线吸收组合物，其为含有有机色素和金属化合物的近红外线吸收组合物，其特征在于，含有在680～740nm的范围内具有吸收极大波长的、方酸菁色素(A)或花青色素(B)中的至少任一种，并且含有在760nm以上具有吸收极大波长的花青色素(C)，所述方酸菁色素(A)为具有由下述通式(A1)～(A4)中的任一个所表示的结构的化合物，以下简称为“色素A1“、“色素A2”、“色素A3”和“色素A4”，所述花青色素(B)为具有由下述通式(B1)所表示的结构的化合物，以下简称为“色素B1”，所述花青色素(C)为具有由下述通式(C1)或(C2)中的任一个所表示的结构的化合物，以下简称为“色素C1”和“色素C2”，还至少含有膦酸和铜离子、或、由膦酸和铜离子形成的膦酸铜络合物，方酸菁色素(A)[化1]通式(A1)式中，R1表示烷基、芳基或杂环基，R2及R3各自独立地表示氢原子、卤素原子或取代基，R4表示碳原子数1～4的烷基、烷氧基、芳基或杂环基，Z1表示为了形成5～6元环所需的原子团，[化2]通式(A2)式中，R
11
及R
12
各自独立地表示氢原子、羟基、
‑
NHCOR
16
或
‑
NHSO2R
17
，不会同时为氢原子，R
13
及R
14
各自独立地表示氢原子、卤素原子或取代基，R
15
表示取代基，n1表示0～5的整数，R
16
及R
17
各自独立地表示碳原子数1～4的烷基、芳基或杂环基，[化3]
通式(A3)式中，R
21
及R
22
各自独立地表示氢原子、烷基、芳基或杂环基，R
23
各自独立地表示羟基、
‑
NHCOR
26
或
‑
NHSO2R
27
，R
24
各自独立地表示氢原子或取代基，R
25
各自独立地表示取代基，n2分别表示0～4的整数，R
26
及R
27
各自独立地表示碳原子数1～4的烷基、芳基或杂环基，[化4]通式(A4)式中，R
31
及R
32
各自独立地表示氢原子、烷基、芳基或杂环基，R
33
表示羟基、
‑
NHCOR
38
或
‑
NHSO2R
39
，R
34
及R
36
各自独立地表示卤素原子或取代基，R
35
表示烷基、芳基或杂环基，n3表示0～3的整数，m3表示0～6的整数，R
37
表示氢原子、卤素原子或烷基，R
38
及R
39
各自独立地表示碳原子数1～4的烷基、芳基或杂环基，花青色素(B)[化5]通式(B1)式中，R
41
各自独立地表示烷基、芳基或杂环基，R
42
各自独立地表示卤素原子或取代基，R
43
～R
45
各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基或芳基，n4各自独立地表示0～6的整数，Y
41
表示卤素离子或阴离子原子团，花青色素(C)[化6]通式(C1)
式中，R
51
及R
52
各自独立地表示卤素原子或取代基，相邻的取代基之间可形成5或6元环，n
51
及n
52
依次表示0～4及0～5的整数，R
53
及R
54
各自独立地表示烷基、芳基或杂环基，R
55
～R
59
各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、芳基或杂环基，R
55
与R
57
、R
56
与R
58
或R
57
与R
59
可键合以形成5或6元环，X
51
表示
‑
S
‑
或
‑
CR
511
R
512
‑
，Y
51
表示阴离子原子或阴离子原子团，R
511
及R
512
各自独立地表示氢原子、烷基或芳基...
【专利技术属性】
技术研发人员：大福幸司，切石夏实，铃木隆行，福坂洁，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：
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