声波谐振器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种声波谐振器，包括：衬底，衬底的部分区域被释放，形成有空腔；压电层，包括位于空腔上的第一部分和位于未被释放的衬底上的第二部分，压电层适用于在横向电场的作用下激发出声波；支撑锚单元，支撑锚单元设置在压电层的第一部分与压电层的第二部分之间，适用于连接第一部分和第二部分；金属电极层，形成在压电层上，包括由至少一对正负金属电极交替排布构成的金属电极阵列，金属电极阵列形成横向电场。其中，支撑锚单元包括至少一对支撑锚，分别沿金属电极延伸方向在压电层的第一部分的两侧设置。通过增加支撑锚，减少了衬底与压电层之间的应力，可以避免压电层发生形变，防止在释放衬底时压电层的断裂，提高声波谐振器的稳定性。谐振器的稳定性。谐振器的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
声波谐振器及其制作方法


[0001]本专利技术的至少一种实施例涉及一种声波谐振器，尤其涉及一种声波谐振器及其制作方法。

技术介绍

[0002]射频滤波器作为射频前端的重要模块之一，其性能的好坏直接决定了通信系统中信号在噪声中脱颖而出的能力。随着智能手机的普及，6GHz以下的电磁频谱得到充分分配，不断发展的无线通信行业转向更高的频段和更宽的带宽以实现更快的数据传输速率。最近，FCC开放12.7
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13.25GHz频段用于移动宽带或其它扩展用途，同时，还将探索更多的高频频段以满足不断增长的需求。超过10GHz的移动射频(RF)前端可以超过其低于6GHz的同类产品的性能，这将是5G无线通信的潜在解决方案。为了充分利用更高的频谱，必须探索更高频段的声波谐振器。
[0003]声波谐振器的谐振频率主要由压电薄膜的厚度决定，为了满足无线通信行业对更高频段的需求，需要不断降低压电薄膜的厚度。在进入5GFR2以及更高的6G频段，目前常用的方法主要有两种，一种是利用兰姆波谐振器的高阶模态，声速更大，可以工作在更高的频率，但是随着模态的增加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声波谐振器，其特征在于，包括：衬底(1)，所述衬底(1)的部分区域被释放，形成有空腔；压电层(5)，包括位于所述空腔上的第一部分和位于未被释放的所述衬底(1)上的第二部分，所述压电层(5)适用于在横向电场的作用下激发出声波；支撑锚单元，所述支撑锚单元设置在所述压电层(5)的第一部分与所述压电层(5)的第二部分之间，适用于连接所述第一部分和所述第二部分；以及金属电极层(3)，形成在所述压电层(5)上，所述金属电极层(3)包括由至少一对正负金属电极交替排布构成的金属电极阵列，所述金属电极阵列形成所述横向电场；其中，所述支撑锚单元包括至少一对支撑锚(6)，所述至少一对支撑锚(6)分别沿所述金属电极延伸方向在所述压电层(5)的第一部分的两侧设置。2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述支撑锚单元包括多对支撑锚(6)，所述多对支撑锚(6)分别沿所述金属电极延伸方向在所述压电层(5)的第一部分的两侧对称设置。3.根据权利要求2所述的声波谐振器，其特征在于，在所述压电层(5)的第一部分的每一侧设置的多个支撑锚(6)沿所述金属电极的延伸方向呈周期性排布。4.根据权利要求3所述的声波谐振器，其特征在于，所述支撑锚(6)的宽度与所述金属电极的宽度相同，或者所述支撑锚(6)的宽度倍数于所述金属电极的宽度；和/或，所述支撑锚(6)的排布周期与所述声波的波长相同。5.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述衬底(1)采用高电阻率的材料形成，所述衬底(1)的电阻率大于1000Ω/cm3；优选地，所述衬底(1)包括依次设置的支撑衬底(11)、富阱层(12)、释放层(13)；所述支撑衬底(11)的材料包括蓝宝石、硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、氮化镓、玻璃和氧化镓中的至少一种；所述富阱层(12)的材料包括非晶硅或者多晶硅；所述释放层(13)包括一层或多层，每层的材料包括以下之一：二氧化硅、氮化硅、硅；所述释放层(13)的厚度为0.05～100μm。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：左成杰，杨凯，林福宏，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：