光刻设备中的衬底水平感测制造技术

公开了一种光刻设备。光刻设备包括：被配置为支撑衬底的衬底台；致动器，其可配置为在基本上平行于衬底的表面的平面中移动衬底台；投射系统，其被配置为用在扫描曝光方向上对准的场对衬底进行图案化；水平传感器，其被配置为使用多个测量点来感测衬底的高度；以及控制器，其被配置为控制致动器以生成衬底与水平传感器之间的相对移动的行程以用于绘制衬底的高度，所述行程相对于扫描曝光方向成小于20度的角度。还公开了绘制衬底的高度的相关方法。的角度。还公开了绘制衬底的高度的相关方法。的角度。还公开了绘制衬底的高度的相关方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻设备中的衬底水平感测
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年10月20日提交的EP申请20202724.9的优先权，该申请通过参考全部并入本文。


[0003]本专利技术涉及光刻设备中的衬底的水平感测。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造成将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(通常也被称为“设计布局”或“设计”)投射到提供在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]随着半导体制造工艺的不断进步，遵循一般被称为“摩尔定律”的趋势，电路元件的尺寸被不断减小，而每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数量在几十年内却稳定地增加。为了跟上摩尔定律，半导体工业正在追寻使得能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投射于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定图案化于衬底上的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。相比于使用例如具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光刻设备，包括：衬底台，被配置为支撑衬底；致动器，能够配置为在基本上平行于所述衬底的表面的平面中移动所述衬底台；投射系统，投射被配置为用在扫描曝光方向上对准的场来对所述衬底进行图案化；水平传感器，被配置为使用多个测量点来感测所述衬底的高度；以及控制器，被配置为控制所述致动器以生成所述衬底和所述水平传感器之间的相对移动的行程以用于绘制所述衬底的高度，所述行程相对于所述扫描曝光方向成小于20度的角度。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述行程中的每一个行程基本上平行于所述行程中的其它每一个行程。3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述致动器中的至少一个致动器被配置为旋转所述衬底台，使得所述行程相对于所述扫描曝光方向成小于20度的所述角度。4.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中在所述衬底台的长度上，所述行程的位置在与所述扫描曝光方向正交的第一方向上在所述多个测量点中的每一个测量点之间的间距的1倍与2倍之间变化。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器被配置为：控制所述多个致动器，以与所述多个致动器被配置为相对于所述水平传感器在所述第一方向上移动所述衬底台相比，更快地相对于所述水平传感器在所述扫描曝光方向上移动所述衬底台。6.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中所述控制器被配置为在连续的行程之间、在与所述扫描曝光方向正交的第一方向上使所述行程的位置变化。7.根据前述权利要求中任一项所述的设备，...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：