MoS2/MXene/NF复合材料及其制备和应用制造技术

本发明专利技术公开了一种MoS2/MXene/NF复合材料及其制备和应用。所述MoS2/MXene/NF复合材料的制备方法包括如下步骤：步骤一：由MAX合成单层或少层Ti3C2T

【技术实现步骤摘要】
MoS2/MXene/NF复合材料及其制备和应用


[0001]本专利技术属于金属/金属碳化物/半导体异质复合结构材料的制备合成
，具体涉及MoS2/MXene/NF复合材料及其制备和电解水催化析氢中的应用。

技术介绍

[0002]MXene是近年来新发现的仍在不断开发的一类新型碳化物/氮化物材料，具有高的类金属导电性和表面功能。MXene与其他纳米材料复合为异质结构时，具有精确且结构良好的界面特性，利用其他材料与MXene形成的混合体可显著改善电荷转移，同时当MXene作为导电基底时还能通过限制效应减少其复合纳米材料的相互团聚。因此，MXene基材料已经被广泛用于水处理、电催化、储能、微波吸收、电磁屏蔽领域。
[0003]目前制备MXene基材料，首先需要从对应结构的MAX陶瓷中采用酸刻蚀方法获得单层或者少层的MXene片层材料，才可使其具备类金属导电性和表面功能。由于酸刻蚀过程中片层上下暴露出大量端基，使得MXene片层在高温热处理过程中结构极容易破坏或氧化，而常温环境中MXene片层在水溶液中只能存放1r/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MoS2/MXene/NF复合材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：步骤一：由MAX合成单层或少层Ti3C2T
x MXene；在容器中配制氟化锂
‑
盐酸混合溶液，其中氟化锂和盐酸的摩尔比为2：1至1：3将Ti3AlC2粉末缓慢导入分散，并在搅拌条件、30
‑
50℃水浴中进行刻蚀反应，反应时间为8
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48小时，产物之后离心清洗并再次离心沉淀得到单层或少层Ti3C2T
x MXene产物，经冷冻干燥后获得单层或少层Ti3C2T
x
MXene粉体；步骤二：MoO3/MXene/NF的制备；先将泡沫镍用丙酮、无水酒精和盐酸溶液进行清洁前处理；将单层或少层Ti3C2T
x
MXene和四水钼酸铵加入去离子水中，得到MXene和四水钼酸铵的混合溶液，往该混合溶液中持续通入氮气，得到氮保护饱和混合溶液；随后将清洁处理后的泡沫镍在持续通入氮气的氮保护饱和混合溶液中静置一定时间以排净氧气；然后将盐酸多巴胺溶解在乙醇中，得到盐酸多巴胺溶液；接着，将含有泡沫镍的MXene和四水钼酸铵的混合溶液与盐酸多巴胺溶液混合并进行搅拌，并将氢氧化铵快速加入到搅拌中的混合溶液中，接着用乙醇洗涤产物得到Mo
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PDA/MXene/NF，所得Mo
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PDA/MXene/NF样品经冷冻干燥后，在N2气氛中于500
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650℃进行高温处理，得到MoO3/MXene/NF产物；其中，单层或少层Ti3C2T
x
MXene和四水钼酸铵的投料质量比为1：1～3，四水钼酸铵与盐酸多巴胺的投料质量比为1:1～1：2，氢氧化铵的体积用量以单层或少层Ti3C2T
x MXene的质量计为0.1
‑
10mL/20mg；步骤三：MoO3/MXene/NF...

【专利技术属性】
技术研发人员：车仁超，张金仓，游文彬，赵彪，王晓宇，程一峰，
申请(专利权)人：之江实验室，
类型：发明
国别省市：