【技术实现步骤摘要】
用于发声装置的振膜和具有其的发声装置
[0001]本专利技术涉及电声
,更具体地,涉及一种用于发声装置的振膜和使用该振膜的发声装置。
技术介绍
[0002]目前,在扬声器领域常用的导电膜层通常需要满足电阻低、柔韧性好、耐高温的要求,现有的导电胶制备的导电膜层,通常都存在一定的缺陷,例如溶剂型类导电胶制备导电膜层耐热性差,不能在高温环境使用;聚氨酯类导电膜层,柔韧性好的耐温性差,不能在长期高温振动环境使用,环氧类导电胶制备导电膜层断裂伸长率低,振动易发生断裂等问题,上述多种因素限制了目前的导电胶在扬声器上的应用。
[0003]因此,需要一种新的技术方案,以满足振膜在耐高温和柔韧性等方面的需求。
技术实现思路
[0004]本专利技术的一个目的在于提供一种用于发声装置的振膜,在具有优异的耐高温性能的同时,保持了良好的柔韧性。
[0005]本专利技术的又一个目的在于提供上述用于发声装置的振膜组成的发声装置。
[0006]为了实现以上目的,本专利技术提供了以下技术方案。
[0007 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于发声装置的振膜,其特征在于,所述振膜包括主体部和导电部,所述主体部由聚醚醚酮、热塑性聚酯弹性体、热塑性聚氨酯弹性体、硅橡胶、乙烯
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丙烯酸酯橡胶、丙烯酸酯橡胶、氢化丁腈橡胶中的一种制成,所述导电部设于所述主体部,所述导电部的至少一部分外露以与发声装置的音圈和外部电路电连接;其中,所述导电部包括基体和分散于所述基体内的导电材料,所述基体形成为由α,ω
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二羟基聚硅氧烷与交联剂通过交联反应制备而成的膜层,所述导电部在180℃环境下老化168h的断裂伸长率变化率小于20%,所述α,ω
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二羟基聚硅氧烷的分子结构为:其中,R为
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CH3,
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CH2CH3,
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C6H5和
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CH2CH2CF3中的一种。2.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜,其特征在于,所述α,ω
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二羟基聚硅氧烷的粘度为10000mPa
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s~1000000mPa
·
s。3.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜,其特征在于,所述α,ω
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二羟基聚硅氧烷占所述导电部的总重量的百分比为3wt%~30wt%,所述交联剂占所述导电部的总重量的百分比为0.1wt%~10wt%。4.根据权利要求1所述的用于发声装置的振膜,其特征在于,所述交联剂为脱醇型交联剂、脱酮肟型交联剂、脱丙酮型交联剂和脱酸型交联剂中的一种。5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:王梦媚,张增辉,李春,程真真,
申请(专利权)人:歌尔股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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