一种同质结型感存算集成器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种同质结型感存算集成器件及其制备方法。该同质结型感存算集成器件包括：柔性衬底；底电极，其为有机导电聚合物，形成在所述柔性衬底上；第一功能层，其为经退火后的三元素n型氧化物半导体薄膜，具有光电响应的结晶相，形成在所述底电极上；第二功能层，其为未经退火的三元素n型氧化物半导体薄膜，与所述第一功能层的材料相同，共同构成同质结；多个彼此间隔分布的凹槽，贯穿所述第二功能层和所述第一功能层至底电极，其内填充有隔离层；顶电极，形成在所述第二功能层上，其中，第一功能层在光照下产生光生载流子，对光学信息进行感知，并以电流的形式反馈至器件，同时借助第二功能层的忆阻特性，以实现整体器件状态的记忆存储，通过对器件不断地施加光电信号，实现器件电导的连续调制，从而实现神经形态计算中权重更迭。态计算中权重更迭。态计算中权重更迭。

【技术实现步骤摘要】
一种同质结型感存算集成器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种同质结型感存算集成器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]计算机中的芯片工作模式均基于冯
·
诺依曼式架构开展，存在着计算效率受限、功耗巨大、难以满足大数据的处理要求等问题，迫切需要开发一种新型的存算一体器件以改善存储单元与计算单元物理分离的现状。神经形态器件作为一种新型的存算一体器件，可以在同一器件单元实现存储与计算的功能，避免数据频繁地在存储芯片与计算芯片之间的传输移动，极大程度提高了芯片的计算效率并降低了芯片的功耗。因此，神经形态器件在后摩尔时代下实现存算一体具有明显优势。
[0003]另一方面，信息传感单元与信息存算单元之间同样存在巨大的鸿沟，不仅需要额外的引线互连，而且需要添加额外的模数转换器进行信号的转换，限制了芯片整体效率的提升。尽管神经形态器件可以将存储与计算功能集成，但仍难以实现信息的采集功能，导致整体芯片的效率受限。受到生物的启发，开发类似于视觉系统的感存算一体化集成器件对于实现高效的信息采集至关重要。人体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同质结型感存算集成器件，其特征在于，包括：柔性衬底；底电极，其为有机导电聚合物，形成在所述柔性衬底上；第一功能层，其为经退火后的三元素n型氧化物半导体薄膜，具有光电响应的结晶相，形成在所述底电极上；第二功能层，其为未经退火的三元素n型氧化物半导体薄膜，与所述第一功能层的材料相同，共同构成同质结；多个彼此间隔分布的凹槽，贯穿所述第二功能层和所述第一功能层至底电极，其内填充有隔离层；顶电极，形成在所述第二功能层上，其中，第一功能层在光照下产生光生载流子，对光学信息进行感知，并以电流的形式反馈至器件，同时借助第二功能层的忆阻特性，以实现整体器件状态的记忆存储，通过对器件不断地施加光电信号，实现器件电导的连续调制，从而实现神经形态计算中权重更迭。2.根据权利要求1所述的同质结型感存算集成器件，其特征在于，所述有机导电聚合物为PEDOT:PSS、聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚对苯、聚苯胺或聚对苯撑乙烯。3.根据权利要求1所述的同质结型感存算集成器件，其特征在于，所述三元素n型氧化物半导体薄膜为ZnTiOx、ZnTaOx、HfTiOx或HfTaOx。4.根据权利要求1所述的同质结型感存算集成器件，其特征在于，所述退火的温度为400
‑
600℃，时长为30分钟
‑
2小时。5.根据权利要求1所述的同质结型感存算集成器件，其特征在于，所述隔离层为Si3N4薄膜、SiO2薄膜、Al2O3薄膜或硅的氮氧化物。6.一种同质结型感存算集成器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在柔性...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟佳琳，王天宇，陈琳，孙清清，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：