用于在微电子装置制造期间加速物理模拟模型的系统及方法制造方法及图纸

一种用于在微电子装置制造期间加速物理模拟模型的方法可包含(但不限于)：以具有第一分辨率的第一网格大小运行物理模拟模型；产生来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的输出；将来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的所述输出输入到分辨率增强模型(REM)中；及经由所述REM产生具有第二分辨率的第二网格大小的输出以减少运行所述物理模拟模型的控制器的计算时间成本或计算资源成本中的至少一者。所述物理模拟模型可模拟至少一个微电子制造工艺的晶片上性能。所述第二网格大小可小于所述第一网格大小。所述第二分辨率可高于所述第一分辨率。于所述第一分辨率。于所述第一分辨率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在微电子装置制造期间加速物理模拟模型的系统及方法
[0001]相关申请案的交叉引用
[0002]本申请案主张2020年9月7日申请的第63/075,223号美国临时申请案的权利，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本专利技术大体上涉及等离子体处理领域，且更特定来说，涉及一种用于在微电子装置制造期间加速物理模拟模型的系统及方法。

技术介绍

[0004]微电子装置制造包含各种光刻及/或等离子体工艺步骤。例如，样本在制造期间可暴露于数十或数百次光刻及/或等离子体工艺。随着微电子装置的关键尺寸不断减小，用于模拟工艺(例如光刻及/或等离子体工艺)的物理模型通常采用减小网格大小(模型的特性长度)或网格细化的方法来描述装置尺寸及晶片上工艺(或若干工艺)的影响。然而，网格细化可需要大量计算资源且会显著延迟求解时间。另外，物理模型可需要的大量模拟可延迟开发循环。
[0005]因此，将期望提供一种解决上文所识别的先前方法的不足的系统及方法。

技术实现思路

[0006]根据本公开的一或多个实施例，公开一种系统。在一个说明性实施例中，所述系统包含控制器。在另一说明性实施例中，所述控制器包含一或多个处理器及存储器。在另一说明性实施例中，所述存储器经配置以存储程序指令。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器经配置以执行所述程序指令，使所述一或多个处理器以具有第一分辨率的第一网格大小运行物理模拟模型。在另一说明性实施例中，所述物理模拟模型模拟至少一个微电子制造工艺的晶片上性能。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器经配置以执行所述程序指令，使所述一或多个处理器以产生来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的输出。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器经配置以执行所述程序指令，使所述一或多个处理器以将来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的所述输出输入到分辨率增强模型(REM)中。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器经配置以执行所述程序指令，使所述一或多个处理器经由所述REM产生具有第二分辨率的第二网格大小的输出。在另一说明性实施例中，所述第二网格大小小于所述第一网格大小。在另一说明性实施例中，所述第二分辨率高于所述第一分辨率。在另一说明性实施例中，基于来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的所述输出经由所述REM产生具有所述第二分辨率的所述第二网格大小的所述输出减少所述控制器的计算时间成本或计算资源成本中的至少一者以运行所述物理模拟模型。
[0007]根据本公开的一或多个实施例，公开一种方法。在一个说明性实施例中，所述方法可包含(但不限于)以具有所述第一分辨率的所述第一网格大小运行物理模拟模型。在另一
说明性实施例中，所述物理模拟模型模拟至少一个微电子制造工艺的晶片上性能。在另一说明性实施例中，所述方法可包含(但不限于)从所述物理模拟模型产生具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的输出。在另一说明性实施例中，所述方法可包含(但不限于)将来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的所述输出输入到分辨率增强模型(REM)中。在另一说明性实施例中，所述方法可包含(但不限于)经由所述REM产生具有第二分辨率的第二网格大小的输出。在另一说明性实施例中，所述第二网格大小小于所述第一网格大小。在另一说明性实施例中，所述第二分辨率高于所述第一分辨率。在另一说明性实施例中，其中基于来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的所述输出经由所述REM产生具有所述第二分辨率的所述第二网格大小的所述输出减少运行所述物理模拟模型的控制器的计算时间成本或计算资源成本中的至少一者。
[0008]根据本公开的一或多个实施例，公开一种系统。在一个说明性实施例中，所述系统包含经配置以获取样本的一部分的一或多个测量的计量子系统。在另一说明性实施例中，所述系统包含控制器。在另一说明性实施例中，所述控制器包含一或多个处理器及存储器。在另一说明性实施例中，所述存储器经配置以存储程序指令。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器经配置以执行所述程序指令，使所述一或多个处理器从所述计量子系统获得一或多个输入，其中所述一或多个输入包含具有第一分辨率的图像。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器经配置以执行所述程序指令，使所述一或多个处理器以具有所述第一分辨率的第一网格大小运行所述物理模拟模型。在另一说明性实施例中，所述物理模拟模型模拟至少一个微电子制造工艺的晶片上性能。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器经配置以执行所述程序指令，使所述一或多个处理器产生来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的输出。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器经配置以执行所述程序指令，使所述一或多个处理器将来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的所述输出输入到分辨率增强模型(REM)中。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器经配置以执行所述程序指令，使所述一或多个处理器经由所述REM产生具有第二分辨率的第二网格大小的输出。在另一说明性实施例中，所述第二网格大小小于所述第一网格大小。在另一说明性实施例中，所述第二分辨率高于所述第一分辨率。在另一说明性实施例中，基于来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的所述输出经由所述REM产生具有所述第二分辨率的所述第二网格大小的所述输出减少所述控制器的计算时间成本或计算资源成本中的至少一者以运行所述物理模拟模型。
[0009]应理解，前述一般描述及以下详细描述两者皆为示范性且仅具阐释性且并不一定如所主张般限制本专利技术。并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图说明本专利技术的实施例且连同所述一般描述用以阐释本专利技术的原理。
附图说明
[0010]所属领域的技术人员参考附图可更好地理解本公开的许多优点，其中：
[0011]图1A说明根据本公开的一或多个实施例的用于在微电子装置制造期间加速物理模拟模型的系统的简化框图；
[0012]图1B说明根据本公开的一或多个实施例的用于在微电子装置制造期间加速物理
模拟模型的系统的简化示意图；
[0013]图2是说明根据本公开的一或多个实施例的用于在微电子装置制造期间加速物理模拟模型的方法中执行的步骤的流程图；
[0014]图3说明根据本公开的一或多个实施例的用于在微电子装置制造期间加速物理模拟模型的方法的框图；
[0015]图4是说明根据本公开的一或多个实施例的用于在微电子装置制造期间加速物理模拟模型的方法中执行的步骤的流程图；
[0016]图5说明根据本公开的一或多个实施例的用于在微电子装置制造期间加速物理模拟模型的方法的框图；
[0017]图6是说明根据本公开的一或多个实施例的用于在微电子装置制造期间加速物理模拟模型的方法中执行的步骤的流程图；
[0018]图7说明根据本公开的一或多个实施例的用于在微电子装置制造期间加速物理模拟模型的方法的框本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种系统，其包括：控制器，其中所述控制器包含一或多个处理器及存储器，其中所述存储器经配置以存储程序指令，其中所述一或多个处理器经配置以执行所述程序指令，使所述一或多个处理器：以具有第一分辨率的第一网格大小运行物理模拟模型，其中所述物理模拟模型模拟至少一个微电子制造工艺的晶片上性能；产生来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的输出；将来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的所述输出输入到分辨率增强模型(REM)中；及经由所述REM产生具有第二分辨率的第二网格大小的输出，其中所述第二网格大小小于所述第一网格大小，其中所述第二分辨率高于所述第一分辨率，其中基于来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的所述输出经由所述REM产生具有所述第二分辨率的所述第二网格大小的所述输出减少所述控制器的计算时间成本或计算资源成本中的至少一者以运行所述物理模拟模型。2.根据权利要求1所述的系统，其中来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的所述输出包含具有所述第一分辨率的一或多个图像，其中经由所述REM产生的具有所述第二分辨率的所述第二网格大小的所述输出包含具有所述第二分辨率的一或多个图像。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一网格大小是Δ，其中所述第二网格大小是fΔ，其中f小于1.0。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：以具有所述第一分辨率的所述第一网格大小运行所述物理模拟模型；以具有所述第二分辨率的所述第二网格大小运行所述物理模拟模型；及基于来自以具有所述第一分辨率的所述第一网格大小运行的所述物理模拟模型及以具有所述第二分辨率的所述第二网格大小运行的所述物理模拟模型的输出来开发所述REM。5.根据权利要求4所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：通过深度学习模型、机器学习模型或基于启发式模型中的至少一者的训练过程开发所述REM。6.根据权利要求5所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：以具有所述第一分辨率的所述第一网格大小运行所述物理模拟模型达n次试验；且从所述REM产生具有所述第二分辨率的所述第二网格大小的m次输出，其中m小于n。7.根据权利要求5所述的系统，其中所述n次试验的子集等于通过所述REM的单个输出。8.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：将由所述REM产生的具有所述第二分辨率的所述第二网格大小的所述输出与一组参考数据进行比较以确定具有所述第二分辨率的所述第二网格大小的所述输出是否在选择失配容限内；且当以具有所述第二分辨率的所述第二网格大小的所述输出在所述选择失配容限外时，迭代调整所述物理模拟模型的一或多个参数。
9.根据权利要求8所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：从所述计量子系统获取所述一组参考数据。10.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：以具有所述第一分辨率的所述第一网格大小运行所述物理模拟模型的多个试验以产生所述多个试验的概率分布；从所述物理模拟模型的所述多个试验产生具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的多个输出；通过后处理模型以具有所述第一分辨率的所述第一网格大小运行所述多个输出；经由所述后处理模型以具有所述第一分辨率的所述第一网格大小产生多个后处理模型输出；通过所述REM以具有所述第一分辨率的所述第一网格大小运行所述多个后处理模型输出；且从所述REM产生具有所述第二分辨率的所述第二网格大小的多个输出。11.根据权利要求10所述的系统，其中所述后处理模型包含蒙特卡罗模拟。12.一种方法，其包括：以具有第一分辨率的第一网格大小运行物理模拟模型，其中所述物理模拟模型模拟至少一个微电子制造工艺的晶片上性能；产生来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的输出；将来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的所述输出输入到分辨率增强模型(REM)中；及经由所述REM产生具有第二分辨率的第二网格大小的输出，其中所述第二网格大小小于所述第一网格大小，其中所述第二分辨率高于所述第一分辨率，其中基于来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的所述输出经由所述REM产生具有所述第二分辨率的所述第二网格大小的所述输出减少运行所述物理模拟模型的控制器的计算时间成本或计算资源成本中的至少一者。13.根据权利要求12所述的方法，其中来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的所述输出包含具有所述第一分辨率的一或多个图像，其中经由所述REM产生的具有所述第二分辨率的所述第二网格大小的所述输出包含具有所述第二分辨率的一或多个图像。14.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一网格大小是Δ，其中所述第二网格大小是fΔ，其中f小于1.0。15.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：以具有所述第一分辨率的所述第一网格大小运行物理模拟模型；以具有所述第二分辨率的所述第二网格大小运行所述物理模拟模型；及基于来自以具有所述第一分辨率的所述第一网格大小运行的所述物理模拟模型及以具有所述第二分辨率的所述第二网格大小运行的所述物理模拟模型的输出来开发所述REM。16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括：通过深度学习模型、机器学习模型或基于启发式模型中的至少一者的训练过程开发所
述REM。17.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张依婷，A，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：