【技术实现步骤摘要】
有机发光显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月14日提交的第10
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2021
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0178499号韩国专利申请的权益,该申请通过引用并入本文,如同在本文中完整阐述一样。
[0003]本公开内容涉及有机发光显示装置,并且更具体地,涉及包括即使在小面积中也具有高存储容量以便在制造有机发光显示装置时实现高分辨率显示装置的电容器结构的有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括多个驱动薄膜晶体管(TFT)中的TFT,并使用氧化物半导体作为有源层。
技术介绍
[0004]近来,随着多媒体的发展,平板显示设备的重要性不断增加。响应于此,诸如液晶显示设备、等离子显示设备和有机发光显示装置的平板显示设备已经商业化。在这些平板显示设备中,目前,有机发光显示装置由于其高响应速度、高亮度和优异的视角而被广泛使用。
[0005]在这样的有机发光显示装置中,多个像素以矩阵布置设置,并且各个像素设置有由有机发光层代表的发光元件部分和由TFT代表的像素电路部 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示装置,包括:基板,其包括显示区域和设置在所述显示区域周围的非显示区域;下缓冲层,其形成在所述基板上;第一薄膜晶体管,其设置在所述显示区域和所述非显示区域中的至少一个中,所述第一薄膜晶体管包括形成在所述下缓冲层上的第一半导体图案、第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极;上缓冲层,其设置在所述第一半导体图案上;第二薄膜晶体管,其设置在所述上缓冲层上,所述第二薄膜晶体管包括第二半导体图案、第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极;第一光阻挡图案,其设置在所述下缓冲层与所述第二半导体图案之间,所述第一光阻挡图案与所述第二半导体图案交叠;以及存储电容器,其包括:第一存储电容器电极,其设置在与所述第一栅极电极相同的层上;第二存储电容器电极,其设置在与所述第二栅极电极和所述第一光阻挡图案中的一个相同的层上并连接至所述第一存储电容器电极;以及第三存储电容器电极,其设置在所述第一存储电容器电极与所述第二存储电容器电极之间。2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二半导体图案是氧化物半导体图案。3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二薄膜晶体管是驱动薄膜晶体管。4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一光阻挡图案电连接至所述第二源极电极。5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二存储电容器电极是设置在与所述第一光阻挡图案相同的层上的金属层,并且其中,所述第一存储电容器电极与所述第三存储电容器电极之间生成的子存储电容器和所述第二存储电容器电极与所述第三存储电容器电极之间生成的子存储电容器相互并联连接。6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二存储电容器电极设置在与所述第二栅极电极相同的层上,并且所述第三存储电容器电极设置在与所述第一光阻挡图案相同的层上。7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二存储电容器电极设置在与所述第二栅极电极相同的层上,并且所述第三存储电容器电极是设置在所述第一光阻挡图案与所述第一栅极电极之间的金属层。8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括作为设置在与所述第二栅极电极相同的层上并连接至所述第三存储电容器电极的金属层的第四存储电容器电极,并且其中,所述第二存储电容器电极设置在与所述第一光阻挡图案相同的层上。9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一光阻挡图案插入在所述上缓冲层中。10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置...
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