【技术实现步骤摘要】
有机发光显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月14日提交的第10
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2021
‑
0178499号韩国专利申请的权益，该申请通过引用并入本文，如同在本文中完整阐述一样。
[0003]本公开内容涉及有机发光显示装置，并且更具体地，涉及包括即使在小面积中也具有高存储容量以便在制造有机发光显示装置时实现高分辨率显示装置的电容器结构的有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括多个驱动薄膜晶体管(TFT)中的TFT，并使用氧化物半导体作为有源层。
技术介绍
[0004]近来，随着多媒体的发展，平板显示设备的重要性不断增加。响应于此，诸如液晶显示设备、等离子显示设备和有机发光显示装置的平板显示设备已经商业化。在这些平板显示设备中，目前，有机发光显示装置由于其高响应速度、高亮度和优异的视角而被广泛使用。
[0005]在这样的有机发光显示装置中，多个像素以矩阵布置设置，并且各个像素设置有由有机发光层代表的发光元件部分和由TFT代表的像素电路部分。像素电路部分包括多个TFT，例如用于供应驱动电流以操作有机发光器件的驱动薄膜晶体管和用于向驱动TFT供应栅极信号的开关薄膜晶体管。另外，每个子像素包括保持数据信号达一定时间段的电容器。随着显示装置分辨率的提高，在子像素中安装电容器的空间趋于变得更窄。子像素需要一定容量或更大容量的电容器用以维持关于一个帧的数据信号，而存在的问题在于，电容器的电容随着空间变小而变小。
技术实现思路
>[0006]因此，本公开内容涉及一种基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题的有机发光显示装置。
[0007]本公开内容的目的是提供一种在实现高分辨率的同时在子像素中提供预定电容或更大电容的电容值的电容器结构。
[0008]本专利技术的其他优点、目的和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且对于本领域的普通技术人员而言，在检查下面的内容之后将变得明显，或者可以从本专利技术的实践中获悉。本专利技术的目的和其他优点可以通过在书面说明书和关于此的权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
[0009]为了实现这些目的和其他优点并且根据本专利技术的目的，如本文所体现和广泛描述的，有机发光显示装置包括：基板，所述基板包括显示区域和设置在显示区域周围的非显示区域；形成在基板上的下缓冲层；设置在显示区域和非显示区域中的至少一个中的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括形成在下缓冲层上的第一半导体图案、第一栅极电极、
第一源极电极和第一漏极电极；设置在第一半导体图案上的上缓冲层；设置在上缓冲层上的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二半导体图案、第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极；设置在下缓冲层与第二半导体图案之间的第一光阻挡图案，所述第一光阻挡图案与第二半导体图案交叠；以及存储电容器，所述存储电容器包括设置在与第一栅极电极相同的层上的第一存储电容器电极、设置在与第二栅极电极和第一光阻挡图案之一的相同的层上并连接至第一存储电容器电极的第二存储电容器电极，以及设置在第一存储电容器电极与第二存储电容器电极之间的第三存储电容器电极。
[0010]第二半导体图案可以是氧化物半导体图案。
[0011]第二薄膜晶体管可以是驱动薄膜晶体管。
[0012]第一光阻挡图案可以电连接至第二源极电极。
[0013]第二存储电容器电极可以是设置在与第一光阻挡图案相同的层上的金属层，并且，第一存储电容器电极与第三存储电容器电极之间生成的子存储电容器和第二存储电容器电极与第三存储电容器电极之间生成的子存储电容器可以相互并联连接。
[0014]第二存储电容器电极可以设置在与第二栅极电极相同的层上，第三存储电容器电极可以设置在与第一光阻挡图案相同的层上。
[0015]第二存储电容器电极可以设置在与第二栅极电极相同的层上，第三存储电容器电极可以是设置在第一光阻挡图案与第一栅极电极之间的金属层。
[0016]第二存储电容器电极可以设置在与第一光阻挡图案相同的层上，并且连接至第一存储电极，设置在与第二栅极电极相同的层上的金属层可以是第四存储电容器电极，并连接至第三存储电容器电极。
[0017]第一光阻挡图案可以插入在上缓冲层中。
[0018]上缓冲层可以具有包括包含氮化硅膜的子上缓冲层的多层结构。
[0019]第一存储电容器电极、第二存储电容器电极和第三存储电容器电极可以由金属层形成。
[0020]第一薄膜晶体管可以包括：设置在下缓冲层上的第一半导体图案；与第一半导体图案交叠的第一栅极电极，其中，第一栅极绝缘层插入在第一半导体图案与第一栅极电极之间，并且第一源极电极和第一漏极电极设置在多个无机绝缘层上，所述无机绝缘层设置在第一栅极电极上，第二薄膜晶体管可以包括：设置在上缓冲层上的第二半导体图案；第二栅极电极与第二半导体图案交叠，其中，第二栅极绝缘层插入在第二栅极电极与第二半导体图案之间，第二源极电极和第二漏极电极设置在无机绝缘层上，所述无机绝缘层设置在第二栅极电极上。
[0021]在本公开内容的另一方面中，有机发光显示装置包括：基板，所述基板包括显示区域和设置在显示区域周围的非显示区域；形成在基板上的下缓冲层；设置在显示区域和非显示区域中的至少一个中的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括形成在下缓冲层上的第一半导体图案、第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极；设置在第一半导体图案上的上缓冲层；设置在上缓冲层上的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二半导体图案、第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极；设置在下缓冲层与第二半导体图案之间的第一光阻挡图案，所述第一光阻挡图案与第二半导体图案交叠；以及存储电容器，所述存储电容器包括设置在第一栅极电极与第一光阻挡图案之间的第一存储电容器电极、设
置在与第二栅极电极相同的层上并连接至第一存储电容器电极的第二存储电容器电极，以及设置在第一存储电容器电极与第二存储电容器电极之间的第三存储电容器电极。
[0022]第一存储电容器电极、第二存储电容器电极和第三存储电容器电极可以是金属层。
[0023]第二半导体图案可以为氧化物半导体图案，第二薄膜晶体管可以为驱动TFT。
[0024]第一光阻挡图案可以电连接至第二源极电极。
[0025]第一光阻挡图案可以插入在上缓冲层中。
[0026]应当理解，本公开内容的前述一般描述和下面的详细描述均是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本专利技术的进一步的说明。
附图说明
[0027]附图被包括以提供对本专利技术的进一步理解，并且附图被并入本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本专利技术的实施方式并且与描述一起用于解释本专利技术的原理。在附图中：
[0028]图1是根据本公开内容的有机发光显示装置的示意性框图；
[0029]图2是根据本公开内容的有机发光显示装置的子像素的示意性框图；
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示装置，包括：基板，其包括显示区域和设置在所述显示区域周围的非显示区域；下缓冲层，其形成在所述基板上；第一薄膜晶体管，其设置在所述显示区域和所述非显示区域中的至少一个中，所述第一薄膜晶体管包括形成在所述下缓冲层上的第一半导体图案、第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极；上缓冲层，其设置在所述第一半导体图案上；第二薄膜晶体管，其设置在所述上缓冲层上，所述第二薄膜晶体管包括第二半导体图案、第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极；第一光阻挡图案，其设置在所述下缓冲层与所述第二半导体图案之间，所述第一光阻挡图案与所述第二半导体图案交叠；以及存储电容器，其包括：第一存储电容器电极，其设置在与所述第一栅极电极相同的层上；第二存储电容器电极，其设置在与所述第二栅极电极和所述第一光阻挡图案中的一个相同的层上并连接至所述第一存储电容器电极；以及第三存储电容器电极，其设置在所述第一存储电容器电极与所述第二存储电容器电极之间。2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二半导体图案是氧化物半导体图案。3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二薄膜晶体管是驱动薄膜晶体管。4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一光阻挡图案电连接至所述第二源极电极。5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二存储电容器电极是设置在与所述第一光阻挡图案相同的层上的金属层，并且其中，所述第一存储电容器电极与所述第三存储电容器电极之间生成的子存储电容器和所述第二存储电容器电极与所述第三存储电容器电极之间生成的子存储电容器相互并联连接。6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二存储电容器电极设置在与所述第二栅极电极相同的层上，并且所述第三存储电容器电极设置在与所述第一光阻挡图案相同的层上。7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二存储电容器电极设置在与所述第二栅极电极相同的层上，并且所述第三存储电容器电极是设置在所述第一光阻挡图案与所述第一栅极电极之间的金属层。8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括作为设置在与所述第二栅极电极相同的层上并连接至所述第三存储电容器电极的金属层的第四存储电容器电极，并且其中，所述第二存储电容器电极设置在与所述第一光阻挡图案相同的层上。9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一光阻挡图案插入在所述上缓冲层中。10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置...
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