γ射线检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种γ射线检测装置，其中，该γ射线检测装置包括：印制电路板PCB；PCB上焊有γ射线传感器芯片和SQUID放大器芯片；其中，γ射线传感器芯片至少包括第一功能单元，SQUID放大器芯片至少包括第二功能单元和第三功能单元；第一功能模块与第二功能单元之间通过导线连接；第一功能单元用于接收γ射线产生感应信号，第二功能单元用于获取感应信号并传输给第三功能单元，第三功能单元用于对感应信号进行放大，并转换为输出信号。第一功能单元位于γ射线传感器芯片的第一侧，第二功能模块位于SQUID放大器芯片的第二侧，第一侧与第二侧为γ射线传感器芯片和SQUID放大器芯片上相对且相邻的两侧。对且相邻的两侧。对且相邻的两侧。

【技术实现步骤摘要】
γ
射线检测装置


[0001]本专利技术涉及计算机
，尤其涉及一种γ射线检测装置。

技术介绍

[0002]基于超导量子干涉器件(SQUID，Superconducting Quantum Interference Device)的低能γ射线探测技术能够提高低能γ核素放射性活度计量能力。γ射线传感器作为吸收体，能够吸收γ射线的特征能量产生感应电流，γ射线传感器中产生的电流通过SQUID放大器芯片放大，最终转化为伏特级的输出电压。但是在γ射线传感器与SQUID放大器芯片连接过程中，会受到多种因素影响，例如连线不规范，从而影响读出精度。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种γ射线检测装置，旨在实现提高γ射线探测结果的稳定性和可靠性。
[0004]本专利技术实施例的技术方案是这样实现的：
[0005]一方面，本专利技术实施例提供了一种γ射线检测装置，该装置包括：
[0006]印制电路板PCB；所述PCB上焊有γ射线传感器芯片和超导量子干涉器件SQUID放大器芯片；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种γ射线检测装置，其特征在于，所述装置包括：印制电路板PCB；所述PCB上焊有γ射线传感器芯片和超导量子干涉器件SQUID放大器芯片；其中，所述γ射线传感器芯片至少包括第一功能单元，所述SQUID放大器芯片至少包括第二功能单元和第三功能单元；所述第一功能模块与所述第二功能单元之间通过导线连接；所述第一功能单元用于接收γ射线产生感应信号，所述第二功能单元用于获取所述感应信号并传输给所述第三功能单元，所述第三功能单元用于对所述感应信号进行放大，并转换为输出信号；所述第一功能单元位于所述γ射线传感器芯片的第一侧，所述第二功能模块位于所述SQUID放大器芯片的第二侧，所述第一侧与所述第二侧为所述γ射线传感器芯片和所述SQUID放大器芯片上相对且相邻的两侧。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述导线为铝线。3.根据权利要求1至2任一项所述的装置，其特征在于，所述导线的长度小于设定值。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一功能单元为磁感应线圈...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雨禾，徐利军，高波，刘蕴韬，郝丽杰，孟思勤，王洪亮，张俊博，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：