聚合物制造技术

一种聚合物，其包括式(I)的重复结构：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚合物

技术介绍

[0001]供体
‑
受体(D
‑
A)聚合物已知用于有机光伏装置。
[0002]Wang等人,“π
‑
共轭桥对供体
‑
π
‑
受体共轭共聚物的光伏性质的影响(Effects ofπ
‑
Conjugated Bridges on Photovoltaic Properties of Donor
‑
π
‑
Acceptor Conjugated Copolymers)”,《大分子(Macromolecules)》2012,45,3,1208
‑
1216公开了一种用于在光伏装置中使用的含有π桥(π
‑
bridge)的D
‑
A聚合物。
[0003]Wang等人,“共轭π桥和氟化对基于二噻吩并吡喃供体和苯并噻二唑受体的含不对称结构单元的聚合物(ABC聚合物)的性质的影响(The effect of conjugatedπ
‑/>bridge a本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种聚合物，其包括式(I)的重复结构：
‑
D
‑
X1‑
A
‑
X2‑
(I)其中：D为式(II)的共轭供电子基团；A为共轭受电子基团；X1和X2各自独立地为选自以下的共轭桥基团：亚苯基、噻吩、呋喃、噻吩并噻吩、呋喃并呋喃、噻吩并呋喃、噻唑、噁唑、烯烃、炔烃和亚胺，其各自可能是未经取代的或被一个或多个取代基取代：其中：Y在每次出现时独立地为O或S；Z为O、S或NR3，其中R3为H或取代基；R1在每次出现时独立地为H或取代基；R2在每次出现时独立地为取代基，n为至少1；并且其中所述聚合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级为从真空能级起不超过5.30eV，如通过方波伏安法所测得。2.一种聚合物，其包括式(I)的重复结构：
‑
D
‑
X1‑
A
‑
X2‑
(I)其中：D为式(II)的共轭供电子基团；A为共轭受电子基团；X1和X2各自独立地为选自以下的共轭桥基团：亚苯基、噻吩、呋喃、噻吩并噻吩、呋喃并呋喃、噻吩并呋喃、噻唑、噁唑、烯烃、炔烃和亚胺，其各自可能是未经取代的或被一个或多个取代基取代：其中：Y在每次出现时独立地为O或S；Z为O、S或NR3，其中R3为H或取代基；R1在每次出现时独立地为H或取代基；R2在每次出现时独立地为取代基，n为至少1；并且
其中式H
‑
[D
‑
X1‑
A
‑
X2]2‑
A的聚合物的模型的最高占据分子轨道(HOMO)能级为从真空能级起不超过4.50eV，如使用具有B3LYP(功能)和6
‑
31G(基组)的Gaussian09建模的。3.根据权利要求1所述的聚合物，其中所述聚合物的HOMO能级为从真空能级起不超过5.10eV。4.根据权利要求1或权利要求所述的聚合物，其中其中所述聚合物的HOMO能级为从真空能级起至少4.90eV，如通过方波伏安法所测得。5.根据前述权利要求中任一项所述的聚合物，其中所述受电子重复单元选自式(Va)和(Vb)：其中R5在每次出现时为H或取代基。6.根据前述权利要求中任一项所述的聚合物，其中每个R1为H。7.根据前述权利要求中任一项所述的聚合物，其中每个R2独立地选自由以下组成的组：直链、支链或环状C1‑
20
烷基，其中一个或多个不相邻的C原子可能被O、S、NR8、CO或COO替代，其中R8是C1‑
12
烃基，并且所述C1‑
20
烷基的一个或多个H原子可能被F替代；以及式(Ak)u
‑
(Ar4)v的基团，其中Ak是C1‑
12
亚烷基链，所述C1‑
12
亚烷基链中的一个或多个C原子可能被O、S、CO或COO替代；u为0或1；Ar4在每次出...

【专利技术属性】
技术研发人员：N，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：