射频处理系统技术方案

本申请涉及一种射频处理系统。所述系统包括：手柄、电极组件、冷却组件、控制器，其中，电极组件安装于手柄，用于向目标区域提供射频，目标区域包括至少一层组织，各组织的中心温度对应的深度不同；冷却组件用于为电极组件降低温度；控制面板，与控制器连接，用于响应于针对目标深度的调节操作，向控制器传输对应的调节指令，目标深度为目标组织的中心温度对应的深度，目标组织为目标区域中的任一层组织；控制器分别与电极组件和冷却组件连接，控制器用于根据调节指令，调节电极组件的输出参数，和/或调节冷却组件的冷却参数。采用本系统能够提高目标区域不同组织能量的均匀性，以使射频系统的射频强度达到理想强度。的射频强度达到理想强度。的射频强度达到理想强度。

【技术实现步骤摘要】
射频处理系统


[0001]本申请涉及医疗美容领域，特别是涉及一种射频处理系统。

技术介绍

[0002]射频(RF，Radio Frequency)表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围为从300kHz～300GHz之间。射频就是射频电流，是一种高频交流变化电磁波的简称。射频可以应用于交通领域、医疗领域、防伪
、物流领域、安全防护领域、管理与数据统计领域等多种领域。例如：在医美领域中，可以采用基于射频的装置进行医美处理。
[0003]目前在对目标区域使用基于射频的装置过程中，只能在目标区域中几个深度层次上加热，均匀度差，使得射频装置的射频强度无法达到理想强度。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种射频处理系统，以使目标区域各层次可以均匀加热，射频强度达到理想强度。
[0005]第一方面，本申请提供了一种射频处理系统，其特征在于，所述系统包括：手柄、电极组件、冷却组件、控制器，其中，
[0006]所述电极组件安装于所述手柄，用于向目标区域提供射频，所述目标区域包括至少一层组织，各所述组织的中心温度对应的深度不同；
[0007]所述冷却组件用于为所述电极组件降低温度；
[0008]控制面板，与所述控制器连接，用于响应于针对目标深度的调节操作，向所述控制器传输对应的调节指令，所述目标深度为目标组织的中心温度对应的深度，所述目标组织为所述目标区域中的任一层所述组织；
[0009]所述控制器分别与所述电极组件和所述冷却组件连接，所述控制器用于根据所述调节指令，调节所述电极组件的输出参数，和/或调节所述冷却组件的冷却参数。
[0010]在一个实施例中，所述冷却参数包括制冷时长和/或制冷量。
[0011]在一个实施例中，所述输出参数包括输出功率和/或脉冲时间和/或射频频率。
[0012]在一个实施例中，所述冷却组件包括：
[0013]半导体制冷器件，设置于所述电极组件远离所述目标对象的一侧，且与所述控制器连接，所述控制器用于响应于所述调节指令向所述半导体制冷器件输出对应的电流信号，所述半导体制冷器件用于响应于所述电流信号为所述电极组件降温。
[0014]在一个实施例中，所述冷却组件包括：冷喷头、冷喷开关、冷媒管和冷媒罐，其中，
[0015]所述冷媒罐设置于所述控制器内，通过所述冷媒管与所述冷喷头连接，所述冷媒罐用于通过所述冷媒管向所述冷喷头提供所述冷却源；
[0016]所述冷喷头设置于所述电极组件远离所述目标区域的一侧，用于喷出所述冷却源以使所述电极组件降温；
[0017]所述冷喷开关设置于所述冷媒管上，并与所述控制器连接，用于响应于所述控制
器的控制操作，控制所述冷媒管的开启和关闭。
[0018]在一个实施例中，在所述目标深度为第一深度的情况下，所述控制面板用于响应于针对所述目标深度的调节操作，向所述控制器传输对应的第一调节指令，所述控制器用于响应于所述第一调节指令，执行对应的第一调节操作，所述第一调节操作包括降低所述电极组件的输出功率、缩短所述电极组件输出的脉冲时间、缩短所述冷却组件的制冷时长、降低所述冷却组件的制冷量中的至少一项。
[0019]在一个实施例中，在所述目标深度为第二深度的情况下，所述控制面板用于响应于针对所述目标深度的调节操作，向所述控制器传输对应的第二调节指令，所述控制器用于响应于所述第二调节指令，执行对应的第二调节操作，所述第二调节操作包括增加所述电极组件的输出功率、延长所述电极组件输出的脉冲时间、延长所述冷却组件的制冷时长、增大所述冷却组件的制冷量中的至少一项，所述第二深度大于所述第一深度。
[0020]在一个实施例中，所述系统还包括：
[0021]温度传感器，设置于所述电极组件远离所述目标区域的一侧，且与所述控制器连接，所述温度传感器用于测量所述电极组件的温度，并将所述电极组件的温度发送给所述控制器；
[0022]所述控制器还用于根据所述电极组件的温度，调节所述冷却组件的冷却参数，以将所述电极组件的温度调节到所述目标深度对应的目标温度。
[0023]在一个实施例中，所述系统还包括：
[0024]阻抗传感器，设置于所述电极组件上，并与所述控制器连接，所述阻抗传感器用于测量所述目标区域的阻抗值信号，并将所述阻抗值信号发送给所述控制器；
[0025]所述控制器还用于根据所述阻抗值信号确定所述电极组件的输出参数，和/或确定所述冷却组件的冷却参数。
[0026]在一个实施例中，所述系统还包括：
[0027]功率传感器，设置于所述控制器和所述电极组件的连接电路中，用于测量所述电极组件的输出功率，并将所述输出功率发送给所述控制器；
[0028]所述控制器还用于根据所述阻抗值信号和所述输出功率，确定所述电极组件的输出参数，和/或确定所述冷却组件的冷却参数。
[0029]上述射频处理系统，射频系统包括：手柄、电极组件、冷却组件、控制器，其中，所述电极组件安装于所述手柄，用于向目标区域提供射频，所述目标区域包括至少一层组织，各所述组织的中心温度对应的深度不同；所述冷却组件用于为所述电极组件降低温度；控制面板，与所述控制器连接，用于响应于针对目标深度的调节操作，向控制器传输对应的调节指令，所述目标深度为目标组织的中心温度对应的深度，所述目标组织为所述目标区域中的任一层所述组织；所述控制器分别与所述电极组件和所述冷却组件连接，所述控制器用于根据所述调节指令，调节所述电极组件的输出参数，和/或调节所述冷却组件的冷却参数。本申请提供的射频处理系统，可以通过调节电极组件的输出参数和/或调节所述冷却组件的冷却参数，使得射频处理系统作用到目标深度对应的目标组织上，以便对于目标区域中的各层组织分层独立地进行射频处理，进而可以提高目标区域不同组织能量的均匀性，以使射频系统的射频强度达到理想强度。
附图说明
[0030]图1为一个实施例中射频处理系统的示意图；
[0031]图2为一个实施例中目标区域中组织的分布情况示意图；
[0032]图3为一个实施例中目标区域中能量的扩散分布示意图；
[0033]图4为一个实施例中深度与制冷量的关系曲线图；
[0034]图5为一个实施例中深度与加热量的关系曲线图；
[0035]图6为一个实施例中深度与制冷量和加热量的关系曲线图。
具体实施方式
[0036]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。
[0037]本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频处理系统，其特征在于，所述系统包括：手柄、电极组件、冷却组件、控制器，其中，所述电极组件安装于所述手柄，用于向目标区域提供射频，所述目标区域包括至少一层组织，各所述组织的中心温度对应的深度不同；所述冷却组件用于为所述电极组件降低温度；控制面板，与所述控制器连接，用于响应于针对目标深度的调节操作，向所述控制器传输对应的调节指令，所述目标深度为目标组织的中心温度对应的深度，所述目标组织为所述目标区域中的任一层所述组织；所述控制器分别与所述电极组件和所述冷却组件连接，所述控制器用于根据所述调节指令，调节所述电极组件的输出参数，和/或调节所述冷却组件的冷却参数。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述冷却参数包括制冷时长和/或制冷量。3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述输出参数包括输出功率和/或脉冲时间和/或射频频率。4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述冷却组件包括：半导体制冷器件，设置于所述电极组件远离所述目标对象的一侧，且与所述控制器连接，所述控制器用于响应于所述调节指令向所述半导体制冷器件输出对应的电流信号，所述半导体制冷器件用于响应于所述电流信号为所述电极组件降温。5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述冷却组件包括：冷喷头、冷喷开关、冷媒管和冷媒罐，其中，所述冷媒罐设置于所述控制器内，通过所述冷媒管与所述冷喷头连接，所述冷媒罐用于通过所述冷媒管向所述冷喷头提供所述冷却源；所述冷喷头设置于所述电极组件远离所述目标区域的一侧，用于喷出所述冷却源以使所述电极组件降温；所述冷喷开关设置于所述冷媒管上，并与所述控制器连接，用于响应于所述控制器的控制操作，控制所述冷媒管的开启和关闭。6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，在所述目标深度为第一深度的情况下，所述控制面板用于响应于针对所述目标深度的调节操作，向所述控制器传输...

【专利技术属性】
技术研发人员：于昊，李天民，郭云开，王晓青，张叔奇，
申请(专利权)人：威脉清通医疗科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：