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一种高纯低氧三烷基镓金属有机化合物的提纯方法技术

技术编号:3796401 阅读:417 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种高纯低氧三烷基镓金属有机化合物的提纯方法,该方法是将待提纯的三烷基镓金属化合物溶解在有机溶剂中,再将溶液滴加入加热熔融的高分子聚醚中搅拌,冷却后,高分子聚醚与三烷基镓金属化合物配位形成的配位化合物固化与含有杂质的有机溶液分离,除去杂质,再将配位化合物固体加热熔融,解配,收集馏分,冷却得到高纯的低氧三烷基镓金属有机化合物。该方法具有工艺简单、效率高、成本低、适宜于规模化生产,产品纯度达到99.9999%以上等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属有机化合物的提纯,具体地说是涉及用于MOCVD的高纯低氧三烷基镓金属有机化合物的提纯方法
技术介绍
电子信息技术是当今世界最活跃的生产力,电子信息技术的发展水平已经成为衡量一个国家科技水平的重要标志之一,电子信息技术的核心是半导体材料。以硅芯片技术所建立起来的微电子“科技大厦”,技术上已逼近其极限。化合物半导体超薄型膜材料的产生与发展,将半导体和集成电路推向更高的频率、更快的速度和更大的功率。在当代生长化合物半导体超薄型膜材料的技术中,只有“金属有机化学气相沉积(简称MOCVD)”技术是能够适应大规模工业化生产的先进技术。MO源即高纯金属有机化合物是金属有机化学气相沉积技术生长化合物半导体超薄型膜材料的支撑材料。 MO源主要是元素周期表中III-V族和II-VI族高纯金属及元素有机化合物,近年来一些过渡金属有机化合物也作为MO源使用,金属或元素的纯度是MO源最重要的质量指标,产品的纯度一般要求在99.999%-99.9999%(即5N-6N)。化合物半导体超薄型膜材料-GaAs、GaN、InP、GaAlAs、GaInAsSb等,在高迁移率晶体管、半导体激本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三烷基镓金属有机化合物的提纯方法,其特征在于提纯步骤如下: (1)将高分子聚醚化合物中的聚乙二醇醚或聚丙二醇醚或聚丁二醇醚置于烧瓶中加热至80℃-130℃,使其融化成液体; (2)将待提纯的三烷基镓金属有机化合物溶于无水有机 溶剂中; (3)在惰性气体氛围中,往步骤(2)的溶剂中滴加入步骤(1)中融化的高分子聚醚的液体中,在100℃-140℃搅拌30分钟至3小时,反应生成高分子聚醚化合物与三烷基镓金属有机化合物配位的配位化合物; (4)待上步骤反应完 成后冷却,过滤,将液体倾出,再加入无水有机溶剂,搅拌,过滤倾出液体,剩余固体配位化合物备用; (...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:林晨虞磊曹季孔令宇潘毅
申请(专利权)人:南京大学
类型:发明
国别省市:84[中国|南京]

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