一种反激变换器和电子设备制造技术

本发明专利技术公开了一种反激变换器和电子设备，所述反激变换器包括：变压器、第一功率开关、第二功率开关、吸收电容和吸收二极管；主级绕组和辅助绕组具有相同位置的同名端；主级绕组和次级绕组具有不同位置的同名端；主级绕组的第一端与输入电压耦接，主级绕组的第二端与第一功率开关的第一端耦接；辅助绕组的第一端与吸收电容的第一端耦接，辅助绕组的第二端与第二功率开关的第一端耦接；通过控制第一功率开关和第二功率开关的开关时序，本发明专利技术提出的反激变换器具有更低的开关损耗。变换器具有更低的开关损耗。变换器具有更低的开关损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种反激变换器和电子设备


[0001]本专利技术涉及电源转换
，具体涉及一种反激变换器和电子设备。

技术介绍

[0002]现有技术的反激变换器包括原边反馈反激变换器(PSR)和副边反馈反激变换器(SSR)，如图1a所示的第一现有反激变换器11，包括EMI滤波整流模块110、输入电容CIN、第一吸收模块151、变压器TS、第一现有驱动芯片121、第一反馈模块131、供电电容CP、第一输出模块141、第一功率开关MP和电流检测电阻Rcs。第一功率开关MP可采用功率三极管BJT或是功率金属半导体场效应管MOSFET，或是输出更大功率的IGBT或氮化镓功率管GaN。
[0003]EMI滤波整流模块110输入端耦接交流电源，输出经过EMI滤波和整流后的直流输入电压VIN；输入电容CIN用于滤除输入电压VIN的高频噪声；变压器TS包括主级绕组Lp、辅助绕组La和次级绕组Ls，主级绕组Lp与次级绕组Ls具有不同位置的同名端，次级绕组Ls和辅助绕组La具有相同位置的同名端；主级绕组Lp的同名端耦接输入电压VIN，非同名端耦接第一功率开关MP的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反激变换器，其特征在于，所述反激变换器包括：变压器、第一功率开关、第二功率开关、吸收电容和吸收二极管；变压器具有主级绕组、辅助绕组和次级绕组；主级绕组和辅助绕组具有相同位置的同名端；主级绕组和次级绕组具有不同位置的同名端；主级绕组的第一端与输入电压耦接，主级绕组的第二端与第一功率开关的第一端耦接；辅助绕组的第一端与吸收电容的第一端耦接，辅助绕组的第二端与第二功率开关的第一端耦接；吸收电容的第一端与和吸收二极管的阴极耦接，吸收电容的第二端与输入电压耦接；吸收二极管的阳极与主级绕组的第二端耦接；通过控制第一功率开关和第二功率开关的开关时序，所述反激变换器具有更低的开关损耗。2.根据权利要求1所述的反激变换器，其特征在于，所述反激变换器在控制第一功率开关从截止状态切换成导通状态之前，控制第二功率开关先导通一个脉冲时间，使电流流过吸收电容、辅助绕组和第二功率开关到地，通过变压器的耦合作用，流过辅助绕组的电流被耦合到变压器的主级绕组，使第一功率开关两端的跨压从初始的第一电位降低到更低的第二电位后，反激变换器再控制第一功率开关从截止状态切换成导通状态，使反激变换器的开关损耗更低。3.根据权利要求1所述的反激变换器，其特征在于，所述反激变换器在控制第一功率开关从截止状态切换成导通状态之前，控制第二功率开关先导通一个脉冲时间，使流过吸收电容、辅助绕组和第二功率开关的电流对供电电容充电，通过变压器的耦合作用，流过辅助绕组的电流被耦合到变压器的主级绕组，使第一功率开关两端的跨压从初始的第一电位降低到更低的第二电位后，反激变换器再控制第一功率开关从截止状态切换成导通状态，使反激变换器的开关损耗更低。4.根据权利要求1至3任一项所述的反激变换器，其特征在于，所述反激变换器还包括驱动芯片，所述驱动芯片至少具有4个引脚；第1引脚耦接第二功率开关的控制端；第2引脚耦接第一功率开关的控制端；第3引脚耦接第一功率开关的第二端；第4引脚耦接地。5.根据权利要求1至3任一项所述的反激变换器，其特征在于，所述反激变换器还包括驱动芯片，所述驱动芯片集成第二功率开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：郑如吉，
类型：发明
国别省市：