霍尔芯片编程方法、编程控制器及霍尔芯片编程系统技术方案

本发明专利技术公开一种霍尔芯片编程方法、编程控制器及霍尔芯片编程系统。该方法包括：获取目标霍尔芯片对应的初始芯片参数，所述初始芯片参数包括初始零点参数和初始满量程参数；执行零点标定编程程序，控制电流产生器工作，在当前环境电流达到零点电流阈值时，根据所述初始零点参数，对所述目标霍尔芯片进行零点标定编程，确定目标零点参数；执行满量程标定编程程序，控制电流产生器工作，在当前环境电流达到满量程电流阈值时，根据所述初始满量程参数，对所述目标霍尔芯片进行满量程标定编程，确定目标满量程参数。该方法可快速完成所需的磁场环境配置，可减少编程操作步骤，降低误操作导致失败的可能性，也加快标定编程效率，提高生产良率。产良率。产良率。

【技术实现步骤摘要】
霍尔芯片编程方法、编程控制器及霍尔芯片编程系统


[0001]本专利技术涉及芯片编程
，尤其涉及一种霍尔芯片编程方法、编程控制器及霍尔芯片编程系统。

技术介绍

[0002]已有UI是一款针对霍尔芯片进行编程的编程系统，其采用两点标定编程方式，对芯片的零点和满量程等寄存器参数进行编程，其编程过程需要外加电流环境才能完成编程，且需要操作较多控件，使得编程时长过长，导致编程效率较低。已有UI在进行芯片编程的过程中，该系统具有很多局限性：其一时，对芯片编程的过程中，需要对其外加电流环境才能完成编程，这样在使用该系统时就必须具有另外的电流控制系统，两者配合才能完成编程的过程。其二时，该系统在实际的生产过程中，由于需要操作的控件过多，编程时长过长导致生产效率低下，年过多的操作在实际的生产环境中也会增加错误操作导致异常的可能性。其三时，该系统在编程调节时，其调节精度是0.01％，也就是说其可以调节的最小值为0.01％VDD为5mv，其调节精度过大。其四是，该系统在实际的生产环节，必须将编程过程中寄存器参数的写入数值进行存储以便于后续产品的追踪，例如：当生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种霍尔芯片编程方法，其特征在于，包括：获取目标霍尔芯片对应的初始芯片参数，所述初始芯片参数包括初始零点参数和初始满量程参数；执行零点标定编程程序，控制电流产生器工作，在当前环境电流达到零点电流阈值时，根据所述初始零点参数，对所述目标霍尔芯片进行零点标定编程，确定目标零点参数；执行满量程标定编程程序，控制电流产生器工作，在当前环境电流达到满量程电流阈值时，根据所述初始满量程参数，对所述目标霍尔芯片进行满量程标定编程，确定目标满量程参数。2.如权利要求1所述的霍尔芯片编程方法，其特征在于，所述霍尔芯片编程方法还包括：交错执行所述零点标定编程程序和所述满量程标定编程程序，获取至少两个所述目标零点参数和至少两个所述目标满量程参数；根据至少两个所述目标零点参数和至少两个所述目标满量程参数，对所述目标霍尔芯片进行质量检测，获取质量检测结果。3.如权利要求1所述的霍尔芯片编程方法，其特征在于，所述根据所述初始芯片参数，对所述目标霍尔芯片进行零点标定编程，确定目标零点参数，包括：根据初始零点参数，确定处于零点有效范围的有效零点参数；获取所述目标霍尔芯片对应的零点输出电压；根据所述零点输出电压和零点目标电压，确定零点电压差值；根据所述有效零点参数和所述零点电压差值，确定目标零点参数。4.如权利要求3所述的霍尔芯片编程方法，其特征在于，所述根据初始零点参数，确定处于零点有效范围的有效零点参数，包括：将所述初始零点参数与零点参数阈值进行比较；若所述初始零点参数小于零点参数阈值，则将所述初始零点参数确定为有效零点参数；若所述初始零点参数不小于零点参数阈值，则将所述有效零点参数确定为0。5.如权利要求3所述的霍尔芯片编程方法，其特征在于，所述根据所述有效零点参数和所述零点电压差值，确定目标零点参数，包括：将所述零点电压差值与零点压差阈值进行比较；若所述零点电压差值不大于零点压差阈值，则将所述有效零点参数确定为目标零点参数；若所述零点电压差值大于零点压差阈值，则根据所述有效零点参数和所述零点电压差值，更新初始零点参数，重复执行所述根据初始零点参数，确定处于零点有效范围的有效零点参数。6.如权利要求5所述的霍尔芯片编程方法，其特征在于，所述根据所述有效零点参数和所述零点电压差值，更新初始零点参数，包括：根据所述零点电压差值和零点参数步进值，确定新增零点参数；根据所述新增零点参数和所述有效零点参数，更新初始零点参数。7.如权利要求1所述的霍尔芯片编程方法，其特征在于，所述根据所述初始芯片参数，
对所述目标霍尔芯片进行满量程标定编程，确定目标满量程参数，包括：根据所述初始满量程粗调参数，对所述目标霍尔芯片进行满量程粗调参数标定编程，确定目标满量程粗调参数；根据所述初始满量程细调参数，对所述目标霍尔芯片进行满量程细调参数标定编程，确定目标满量程细调参数；其中，所述目标满量程参数包括所述目标满量程粗调参数和所述目标满量程细调参数。8.如权利要求7所述的霍尔芯片编程方法，其特征在于，所述根据所述初始满量程粗调参数，对所述目标霍尔芯片进行满量程粗调参数标定编程，确定目标满量程粗调参数，包括：将所述初始满量程粗调参数写入临时寄存器；获取所述目标霍尔芯片对应的第一满量程输出电压；若所述第一满量程输出电压大于第一满量程目标电压，则将所述初始满量程粗调参数，确定为目标满量程粗调参数；若所述第一满量程输出电压不大于第一满量程目标电压，则根据所述初始满量程粗调参数和粗调参数步进值，更新所述初始满量程粗调参数，重复执行所述将所述初始满量程粗调参数写...

【专利技术属性】
技术研发人员：李星辉，刘双，敖杰，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：