【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光子器件领域,涉及一类新型的光纤与纳米光子集成芯片的高效 耦合结构,具体地说是一种基于布喇格光纤的纳米光子集成芯片用耦合结构。
技术介绍
光纤与光波导芯片的耦合问题一直是光波导芯片走向实用化的难点,随着光 波导芯片的集成度越来越高,波导芯片的尺寸越来越小,纳米级的波导芯片已研 制出来,普通单模光纤出射光的模斑与纳米波导芯片的失配将进一步加剧。单模 光纤的模斑一般为圆型,模场直径为8 10um左右,而纳米波导模斑尺寸量级 一般为几十到几百纳米两者相差近千倍,模斑尺寸失配的增加将进一步加大提高 耦合效率难度。此外普通单模光纤与波导芯片的耦合,常常由于光纤与波导芯片 间的空气间隙,使得光分别在光纤端面和波导芯片端面发生两次端面菲涅尔反 射,从而大大降低了光纤与芯片的耦合效率。本专利提出的布喇格光纤有望解决 这一难题,该光纤基于光子带隙导光的机理能够实现在空气中导光,因此可以避 免光纤与空气的端面菲涅尔反射,为实现光纤与纳米光子集成芯片的高效耦合带 来了可能。但布喇格光纤包层的辐射损耗与纤芯半径的立方成反比,为了降低包层损 耗,纤芯半径必须很大。但另一方面 ...
【技术保护点】
一种基于布喇格光纤的纳米光子集成芯片用耦合结构,其特征在于包括:布喇格光纤(1)及纳米光子集成芯片(4),在布喇格光纤(1)的与纳米光子集成芯片(4)相对的一端连接有布喇格光纤拉锥结构(2)。
【技术特征摘要】
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