低通、宽阻带的双极化频率选择结构、天线罩及天线系统技术方案

本发明专利技术公开了一种低通、宽阻带大角度稳定的双极化频率选择结构、天线罩及天线系统。包括两层低通频率选择层，每层包括相互垂直交叉穿插布置的水平、竖直组件，水平、竖直组件均包括两个基本组件和之间的带有切槽的外介质板，基本组件包括带有切槽的内介质板和两侧表面的L形导电几何结构，内介质板每侧表面沿自身长度方向的两侧边缘处均设置有边金属条且被隔断为多段，内介质板在每个条形通槽处设置中金属条，中金属条和各自对应一段的边金属条连接而形成一个L形导电体，多个L形导电体构成了L形导电几何结构。本发明专利技术解决现有技术无法同时保证通带低插损、超宽阻带、大角度稳定、双极化以及对工作频带外的电磁波抑制效果差的问题，而且易加工。而且易加工。而且易加工。

【技术实现步骤摘要】
低通、宽阻带的双极化频率选择结构、天线罩及天线系统


[0001]本专利技术涉及天线
，具体而言，涉及一种低通、宽阻带大角度稳定的双极化频率选择结构、天线罩及天线系统。

技术介绍

[0002]通常，天线系统都会安装天线罩用于保护天线系统免受风沙、雨雪、冰霜、尘土以及太阳辐射等的影响，使天线系统保持稳定、可靠的工作性能。同时，天线罩也可以减轻天线系统的磨损、腐蚀和老化，延长天线系统寿命。但天线罩作为一种介质，会对空间电磁波产生吸收和反射，并在一定程度上对天线系统的性能产生影响。
[0003]现有技术中的天线罩是由纯材料或者频率选择结构制成。纯材料制成的天线罩的透波性能单一，无法对工作频带外的电磁波进行有效抑制，使得带外干扰信号容易影响天线系统的正常工作。现有的频率选择结构制成的低通天线罩存在通带插损大或者阻带窄或者角度稳定性差或者单极化的问题，应用受到严重限制。

技术实现思路

[0004]为了解决
技术介绍
中存在的问题，本专利技术的主要目的在于提供一种低通、宽阻带大角度稳定的双极化频率选择结构、天线罩及天线系统，以解决现有技术无法同时保证通带低插损、超宽阻带、大角度稳定、双极化以及对工作频带外的电磁波抑制效果差等问题，而且易加工，在现代通信、雷达及军事国防等领域应用价值巨大。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0006]本专利技术包括两层结构相同的低通频率选择层，每层低通频率选择层包括水平组件和竖直组件的两种组件，每种组件由带有切槽的介质板和设置于介质板两侧表面的多个导电几何结构组成。
[0007]所述的两层低通频率选择层相间隔布置，每层低通频率选择层是由水平布置的所述水平组件和竖直布置的所述竖直组件相互垂直交叉穿插布置构成。
[0008]所述的水平组件和竖直组件均包括两个相同的基本组件和带有切槽的外介质板，两个基本组件和外介质板层叠布置，外介质板布置于两个基本组件之间；基本组件包括带有切槽的内介质板和设置于内介质板两侧表面的多个L形导电几何结构，内介质板每侧表面沿自身长度方向的两侧边缘处均设置有边金属条，两个基本组件的内介质板和外介质板的在沿自身长度方向的同一侧边设置沿侧边间隔布置的多个条形通槽，每个条形通槽的条形方向垂直于侧边的方向；内介质板两侧边缘的边金属条在和每个条形通槽的条形方向的相交处均被去除，使得每侧边缘的边金属条被隔断为多段，所述内介质板在每个条形通槽处设置中金属条，中金属条和各自对应一段的边金属条连接而形成一个L形导电体，多个L形导电体构成了L形导电几何结构。
[0009]所述的水平组件和竖直组件以镜像对称设置。
[0010]所述内介质板在每个条形通槽处，按照以下方式布置：
[0011]A)在沿内介质板长度方向和条形通槽位于同侧的内介质板两侧表面上：
[0012]内介质板一侧表面设置有平行于条形通槽、且紧邻条形通槽一侧的第一中金属条，和第一中金属条位于内介质板同侧表面的、且与第一中金属条位于条形通槽同侧的、且沿内介质板长度方向和条形通槽紧邻位于同侧的一段边金属条与所述第一中金属条连接成一体，形成单个L形导电体；
[0013]内介质板另一侧表面设置有平行于条形通槽、且紧邻条形通槽另一侧的第二中金属条，和第二中金属条位于内介质板同侧表面的、且与第二中金属条位于条形通槽同侧的、且沿内介质板长度方向和条形通槽紧邻位于同侧的一段边金属条与所述第二中金属条连接成一体，形成单个L形导电体；
[0014]B)在沿内介质板长度方向和条形通槽位于异侧的内介质板两侧表面上：
[0015]内介质板一侧表面设置有平行于条形通槽、沿第二中金属条的第三中金属条，和第三中金属条位于内介质板同侧表面的、且与第三中金属条位于条形通槽同侧的、且沿内介质板长度方向和条形通槽紧邻位于异侧的一段边金属条与所述第三中金属条连接成一体，形成单个L形导电体；
[0016]内介质板另一侧表面设置有平行于条形通槽、沿第一中金属条的第四中金属条，和第四中金属条位于内介质板同侧表面的、且与第四中金属条位于条形通槽同侧的、且沿内介质板长度方向和条形通槽紧邻位于异侧的一段边金属条与所述第四中金属条连接成一体，形成单个L形导电体。
[0017]所述的第一中金属条、第二中金属条、第三中金属条、第四中金属条的长度均大于或等于条形通槽的长度，条形通槽的长度为内介质板的宽度的一半。
[0018]多个水平组件沿竖直方向间隔平行布置，多个竖直组件沿水平方向间隔平行布置，水平组件的条形通槽插装到竖直组件的条形通槽的异侧上形成榫卯配合结构，使得水平组件和竖直组件相互正交垂直穿插布置形成低通频率选择层。
[0019]所述两层低通频率选择层的结构相同，局部尺寸不同。
[0020]根据本专利技术的技术方案，低通、宽阻带大角度稳定的双极化频率选择结构包括第一低通频率选择层和第二低通频率选择层，两层低通频率选择层的导电几何结构均为L形，两层低通频率选择层的组件均进行了切槽，每层低通频率选择层由两种组件插合构成，两层低通频率选择层的介质材料相同或者不同。
[0021]本专利技术所述的低通是指该结构能够使低频率的电磁波通过，对高频率的电磁波产生很大的抑制使其几乎无法通过，低通频率选择层是指具有上述低通性能的一层频率选择结构；
[0022]所述的宽阻带是指具有很宽的抑制频率带宽，大角度稳定是指在电磁波以较大斜入射角照射在频率选择结构上时，该频率选择结构的响应仍然能够保持与电磁波以0
°
入射角入射时的响应几乎一致；
[0023]通常入射角大于等于60
°
时，结构的响应能够保持稳定称为具有大角度稳定性
[0024]本专利技术的有益成果是：
[0025]本专利技术的结构能够使天线工作频带内的电磁波高效率穿透，非工作频带的电磁波在超宽频带范围内能够被有效的抑制，而且，该结构在TE和TM极化情况下的角度稳定性均能够达到60
°
，从而解决了现有技术无法同时保证通带低插损、宽阻带、大角度稳定和双极
化的问题，且加工简单。
附图说明
[0026]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。
[0027]在附图中：
[0028]图1示出了本专利技术提供的低通、宽阻带大角度稳定的双极化频率选择结构的三维示意图；
[0029]图2示出了第一低通频率选择层水平组件和竖直组件的三维示意图；
[0030]图3示出了第一低通频率选择层水平组件的三维分解示意图；
[0031]图4示出了第一低通频率选择层竖直组件的三维分解示意图；
[0032]图5示出了第一低通频率选择层水平组件的基本组件和竖直组件的基本组件的三维分解示意图；
[0033]图6示出了基本组件的关键参数示意图；
[0034]图7示出了图1的低通、宽阻带大角度稳定的双极化频率选择结构优选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低通、宽阻带大角度稳定的双极化频率选择结构，其特征在于：包括两层结构相同的低通频率选择层，每层低通频率选择层包括水平组件(1100)和竖直组件(1200)的两种组件，每种组件由带有切槽的介质板和设置于介质板两侧表面的多个导电几何结构组成。2.根据权利要求1所述的一种低通、宽阻带大角度稳定的双极化频率选择结构，其特征在于：所述的两层低通频率选择层相间隔布置，每层低通频率选择层是由水平布置的所述水平组件(1100)和竖直布置的所述竖直组件(1200)相互垂直交叉穿插布置构成。3.根据权利要求1所述的一种低通、宽阻带大角度稳定的双极化频率选择结构，其特征在于：所述的水平组件(1100)和竖直组件(1200)均包括两个相同的基本组件(1110/1210)和带有切槽的外介质板(1120/1220)，两个基本组件(1110/1210)和外介质板(1120/1220)层叠布置，外介质板(1120/1220)布置于两个基本组件(1110/1210)之间；基本组件(1110/1210)包括带有切槽的内介质板(1115/1215)和设置于内介质板(1115/1215)两侧表面的多个L形导电几何结构(1111、1112、1113、1114/1211、1212、1213、1214)，内介质板(1115/1215)每侧表面沿自身长度方向的两侧边缘处均设置有边金属条，两个基本组件(1110/1210)的内介质板(1115/1215)和外介质板(1120/1220)的在沿自身长度方向的同一侧边设置沿侧边间隔布置的多个条形通槽，每个条形通槽的条形方向垂直于侧边的方向；内介质板(1115/1215)两侧边缘的边金属条在和每个条形通槽的条形方向的相交处均被去除，使得每侧边缘的边金属条被隔断为多段，所述内介质板(1115/1215)在每个条形通槽处设置中金属条，中金属条和各自对应一段的边金属条连接而形成一个L形导电体，多个L形导电体构成了L形导电几何结构(1111、1112、1113、1114/1211、1212、1213、1214)。4.根据权利要求3所述的一种低通、宽阻带大角度稳定的双极化频率选择结构，其特征在于：所述的水平组件(1100)和竖直组件(1200)以镜像对称设置。5.根据权利要求3所述的一种低通、宽阻带大角度稳定的双极化频率选择结构，其特征在于：所述内介质板(1115/1215)在每个条形通槽处，按照以下方式布置：A)在沿内介质板长度方向和条形通槽位于同侧的内介质板(1115/1215)两侧表面上：内介质板(1115/1215)一侧表面设置有平行于条形通槽、且紧邻条形通槽一侧的第一中金属条...

【专利技术属性】
技术研发人员：李尔平，吴云龙，李达，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：