一次变频组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一次变频组件，涉及通信技术领域，其包括电源、控制单元、一级射频输入端状态控制单元、射频开关滤波单元、二级射频输入端状态控制单元、本振信号发生单元、本振信号开关滤波单元和中频输出单元；所述电源为该一次变频组件提供电能，所述控制单元连接并控制各个单元。本实用新型专利技术采用多功能芯片已全芯片集成的方式对输入的C波段信号进行分段筛选滤波后再经放大、变频，降低下变频组件中的通道单元和本振单元的负担；并且集成本振信号源，本振端只需输入参考信号，以此方式实现本振反向辐射抑制和本振泄漏抑制。振反向辐射抑制和本振泄漏抑制。振反向辐射抑制和本振泄漏抑制。

【技术实现步骤摘要】
一次变频组件


[0001]本技术涉及通信
，具体涉及一次变频组件。

技术介绍

[0002]典型的接收机是通过对天线接收到的信号进行限幅、放大、变频、滤波等处理，提示抑制来至外部的干扰、杂波，使信号保留足够的有用信息，以满足进一步的信号处理的需要。而发射机需要对数字信号通过混频、滤波放大等出来达到便于传输的微波信号。因此良好的变频器组件是雷达系统的一项关键组成部分。
[0003]随着微波混合集成电路和微波单片集成电路的迅速发展，以及薄膜工艺的广泛使用，为小型化变频器的实现打下了良好的基础。根据接收机的实现方式来看一半可以分为一次变频、两次变频、三次变频等。
[0004]传统的C
‑
S波段一次变频下变频组件，多采用分立式的SOP芯片，导致整个下变频组件体积较大，运算效率低，消耗大量的硬件资源；并且需外接本振信号使用，适用性差，容易带来本振泄漏和本振反向辐射等缺陷。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一次变频组件，采用多功能芯片及全芯片集成的方式对输入的C波段信号进行分段筛选滤波后再经放大、变频，降低下变频组件中的通道单元和本振单元的负担；并且集成本振信号源，本振端只需输入参考信号，以此方式实现本振反向辐射抑制和本振泄漏抑制。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0007]一次变频组件，其包括电源、控制单元、一级射频输入端状态控制单元、射频开关滤波单元、二级射频输入端状态控制单元、本振信号发生单元、本振信号开关滤波单元和中频输出单元；所述电源为该一次变频组件提供电能，所述控制单元连接并控制各个单元；
[0008]所述一级射频输入端状态控制单元输入端接输入信号，输出端连接射频开关滤波单元输入端，所述射频开关滤波单元输出端连接二级射频输入端状态控制单元输入端，所述二级射频输入端状态控制单元输出端连接混频器，混频器输出端连接中频输出单元最终输出信号；
[0009]所述本振信号发生单元接入本振信号，本振信号发生单元输出端连接本振信号开关滤波单元，所述本振信号开关滤波单元输出端连接混频器。
[0010]进一步地：所述一级射频输入端状态控制单元包括第一单刀双掷开关、第一射频放大器和第二单刀双掷开关；
[0011]所述第一单刀双掷开关的输入端接收信号，所述第一单刀双掷开关的输出端连接第二单刀双掷开关的输入端，所述第一单刀双掷开关的另一输出端连接第一射频放大器的输入端，所述第一射频放大器的输出端连接第二单刀双掷开关的输入端，所述第二单刀双掷开关的输出端连接射频开关滤波单元的输入端。
[0012]进一步地：所述射频开关滤波单元包括第一单刀四掷开关、四个带通滤波器、第二单刀四掷开关；
[0013]所述第一单刀四掷开关的输入端连接所述第二单刀双掷开关的输出端，
[0014]所述四个带通滤波器并联于第一单刀四掷开关输出端与第二单刀四掷开关的输入端，
[0015]所述第二单刀四掷开关的输出端连接所述二级射频输入端状态控制单元输入端。
[0016]进一步地：所述二级射频输入端状态控制单元包括依次连接的第三单刀双掷开关、第二射频放大器、第一数控衰减器和第四单刀双掷开关；所述第三单刀双掷开关的输入端连接第二单刀四掷开关的输出端，所述第二射频放大器和第一数控衰减器并联于第三单刀双掷开关的输出端与第四单刀双掷开关的输入端，所述第四单刀双掷开关的输出端连接所述混频器输入端。
[0017]进一步地：所述本振信号发生单元包括本振锁相源芯片；所述本振锁相源芯片的输入端接收100MHz参考信号，所述本振锁相源芯片的输出端连接本振信号开关滤波单元的输入端，所述本振信号开关滤波单元输出的信号频率范围为5.4GHz～10.8GHz。
[0018]进一步地：所述本振信号开关滤波单元包括第一本振放大器、开关滤波芯片、第二本振放大器，所述第一本振放大器的输入端连接本振信号发生单元的输出端，所述第一本振放大器的输出端连接开关滤波芯片的输入端，所述开关滤波芯片的输出端连接第二本振放大器的输入端，所述第二本振放大器的输出端连接所述混频器输入端。
[0019]进一步地：所述中频输出单元包括第一中频滤波器、第二数控衰减器、中频放大器、第二中频滤波器、第三中频滤波器，所述第一中频滤波器的输入端连接混频器的输出端端口，所述第一中频滤波器的输出端连接第二数控衰减器的输入端，所述第二数控衰减器的输出端连接中频放大器的输入端，所述中频放大器的输出端连接第二中频滤波器的输入端，所述第二中频滤波器的输出端连接第三中频滤波器的输入端，所述第三中频滤波器的输出端输出信号。
[0020]进一步地：所述控制单元和电源集成在一块PCB板上，所述控制单元通过单片机与各个单元连接，实现功能控制。
[0021]相比现有技术本技术具有如下优点：
[0022]1.本技术采用多功能芯片及全芯片集成的方式对输入的C波段信号进行下变频，将输入C波段信号分段匹配带通滤波器，用于对经过射频滤波单元的信号进行自动选频，仅允许频率范围与该路带通滤波器允许通过的频率范围相匹配的信号；各个带通滤波器允许通过的信号频率范围各不相同，实现对连续输入的不同频率的C波段信号进行分配，每一路仅对与该路带通滤波器允许通过的频率范围向匹配的信号进行滤波处理，从而可减小滤波器的负担，提高工作效率。
[0023]2.本技术集成本振源的方式对组件的适用性进一步提高，同时可更好的实现本振反向辐射抑制和本振泄漏抑制，并且数控单元还能实现输入信号的状态选择以及增益控制。
附图说明
[0024]图1是本技术结构原理框图。
[0025]图2是本技术实施例电路结构示意图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]本实施例提供一种一次变频组件，其适用于C
‑
S波段，采用多功能芯片已全芯片集成的方式对输入的C波段信号进行分段筛选滤波后再经放大、变频，降低下变频组件中的通道单元和本振单元的负担；并且集成本振信号源，本振端只需输入参考信号，以此方式实现本振反向辐射抑制和本振泄漏抑制。
[0028]如图1所示，该图为本实施例的结构原理框图，本实施例中具有控制单元和电源，其中控制单元用于对变频模块开关状态选择、数控衰减器进行增益控制以及本振频率进行预置。电源则用于对这个下变频组件中的本振单元及射频单元、中频单元供电。在连接方式上，所述控制单元分别与一级射频输入端状态控制单元、射频开关滤波单元、二级射频输入端状态控制单元、本振信号发生单元、本振信号开关滤波单元连接；所述电源分别与所述一级射频输入端状态控制单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一次变频组件，其特征在于，包括电源、控制单元、一级射频输入端状态控制单元、射频开关滤波单元、二级射频输入端状态控制单元、本振信号发生单元、本振信号开关滤波单元和中频输出单元；所述电源为该一次变频组件提供电能，所述控制单元连接并控制各个单元；所述一级射频输入端状态控制单元输入端接输入信号，输出端连接射频开关滤波单元输入端，所述射频开关滤波单元输出端连接二级射频输入端状态控制单元输入端，所述二级射频输入端状态控制单元输出端连接混频器，混频器输出端连接中频输出单元最终输出信号；所述本振信号发生单元接入本振信号，本振信号发生单元输出端连接本振信号开关滤波单元，所述本振信号开关滤波单元输出端连接混频器。2.根据权利要求1所述的一次变频组件，其特征在于，所述一级射频输入端状态控制单元包括第一单刀双掷开关、第一射频放大器和第二单刀双掷开关；所述第一单刀双掷开关的输入端接收信号，所述第一单刀双掷开关的输出端连接第二单刀双掷开关的输入端，所述第一单刀双掷开关的另一输出端连接第一射频放大器的输入端，所述第一射频放大器的输出端连接第二单刀双掷开关的输入端，所述第二单刀双掷开关的输出端连接射频开关滤波单元的输入端。3.根据权利要求2所述的一次变频组件，其特征在于，所述射频开关滤波单元包括第一单刀四掷开关、四个带通滤波器、第二单刀四掷开关；所述第一单刀四掷开关的输入端连接所述第二单刀双掷开关的输出端，所述四个带通滤波器并联于第一单刀四掷开关输出端与第二单刀四掷开关的输入端，所述第二单刀四掷开关的输出端连接所述二级射频输入端状态控制单元输入端。4.根据权利要求3所述的一次变频组件，其特征在于，所述二级射频输入端状态控制单元包括依次连接的第三单刀双掷开关、第二射频...

【专利技术属性】
技术研发人员：李劲松，
申请(专利权)人：成都微芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：