一种用于强磁场中负离子直流引出的测量结构制造技术

技术编号:37897554 阅读:30 留言:0更新日期:2023-06-18 12:03
一种用于强磁场中负离子直流引出的测量结构,包括法拉第筒,所述法拉第筒包括外筒和内筒,内筒位于所述外筒内,还包括尾筒和陶瓷套管,所述外筒、内筒和尾筒截面均为圆形并具有中央通孔,所述陶瓷套管穿过内筒和尾筒,所述外筒和尾筒分别由较细的颈部和较粗的圆座组成,所述圆座和颈部连接处及圆座侧面底部为弧形,所述外筒固定在尾筒上方,且外筒的圆座底面和尾筒的圆座顶面之间具有间隙。采用本实用新型专利技术所述用于强磁场中负离子直流引出的测量结构,通过设计新的法拉第筒结构用于进行强磁场中的负离子直流引出的测量,可以减少空间放电,提高强磁场下直流引出束流的测量精度,保护实验测量设备。保护实验测量设备。保护实验测量设备。

【技术实现步骤摘要】
一种用于强磁场中负离子直流引出的测量结构


[0001]本技术属于核
,涉及离子源技术,具体涉及一种用于强磁场中负离子直流引出的测量结构。

技术介绍

[0002]粒子源是产生带电粒子的装置,为加速器提供带电粒子束,是加速器关键的部件之一。粒子源和加速器两者是相辅相成的,加速器的发展对粒子源不断的提出新的要求,而粒子源技术的重大突破和发展又将为加速器技术带来发展与革新。近几十年来,随着加速器的不断发展和改进,人们对粒子源有了更加广泛的了解和应用,其中离子源就是最为典型的例子。离子源被广泛应用于离子注入、离子刻蚀、中子发生器、霍尔推进器、回旋加速器等众多领域。在离子源和加速器的不断发展进步的过程中,束流引出测量是重要的步骤之一。
[0003]对于不同领域中的离子源,所要了解的束流参数是不同的,根据不同的实际需要选择测量的参数和测试方法。
[0004]离子束测量的基本方法如:
[0005]1)截束测量法。用导体截止束的部分或全部,测量收集到的电流或热量。
[0006]2)利用电磁场与带电粒子的相互作用进行测量。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于强磁场中负离子直流引出的测量结构,包括法拉第筒,所述法拉第筒包括外筒(1)和内筒(2),内筒(2)通过连接结构固定在所述外筒(1)内,其特征在于,还包括尾筒(6)和陶瓷套管(7),所述外筒(1)、内筒(2)和尾筒(6)截面均为圆形并具有中央通孔,所述陶瓷套管穿过内筒(2)和尾筒(6),所述外筒和尾筒分别由较细的颈部和较粗的圆座(8)组成,所述圆座和颈部连接处及圆座侧面底部为弧形,所述外筒(1)固定在尾筒(6)上方,且外筒(1)的圆座底面和尾筒的圆座顶面之间具有间隙。2.如权利要求1所述的用于强磁场中负离子直流引出的测量结构,其特征在于,所述连接结构包括上套筒(3)、下套筒(4)和锁紧套筒(5),所述上套筒和下套筒分别套在所述内筒的上部...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈宇航李杰马瑞利王丹石金水丁亨松
申请(专利权)人:四川玖谊源粒子科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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