【技术实现步骤摘要】
实现宽工作电压的LED恒流驱动电路结构
[0001]本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及LED驱动电路领域，具体是指一种实现宽工作电压的LED恒流驱动电路结构。
技术介绍
[0002]LED作为新型光源，有着节能、环保、高效的特点，技术成熟，并被广泛应用到照明、显示等各个领域。LED作为恒流工作负载，自身对工作电压要求较为严苛，电压过高、过低都会影响LED的工作性能。在不同的应用环境中，电源电压会有一定波动，为了确保LED具有更好的性能，具有更长的工作寿命，一般需要将LED驱动电路设计为恒定电流驱动。
[0003]传统的AC/DC或DC/DC恒压控制不能起到恒流驱动作用，还会影响LED的明暗度和使用寿命。目前直流低压供电应用中，比如锂电池、铅酸电池、直流电源供电等，都是采用降压恒流技术来驱动LED，有着功耗小、效率高等优点，但需要实时监测LED驱动电流，电路比较复杂、成本比较高。
[0004]集成电路中，经常用LED驱动电路通过双向输入输出端口来直接驱动外部LED灯，但是显示亮度容易受电源电压的影响。如果电源...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种实现宽工作电压的LED恒流驱动电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括：带隙基准电压电路模块，用于产生偏置电压和零温系数的基准电压；PTAT电流产生电路模块，与所述的带隙基准电压电路模块相连接，用于通过外部的使能信号LEDEN、所述基准电压和所述偏置电压产生输出电流；LED镜像电流模块，与所述的PTAT电流产生电路模块相连接，用于通过产生多组偏置电流；多个LED恒流源电路模块，均与所述的LED镜像电流模块相连接，分别接收所述偏置电流，从而驱动LED灯。2.根据权利要求1所述的实现宽工作电压的LED恒流驱动电路结构，其特征在于，所述的PTAT电流产生电路模块包括第一运算放大器、第一PMOS管和电阻，所述的第一运算放大器接收所述偏置电压和所述使能信号，反相输入端接收所述基准电压作为参考电压，同相输入端与所述第一PMOS管的漏极相连，输出端与所述第一PMOS管的栅极相连，所述的第一PMOS管的漏极还与所述电阻相连，所述电阻的另一端接地，所述的第一PMOS管的源极与外部电源电压相连。3.根据权利要求2所述的实现宽工作电压的LED恒流驱动电路结构，其特征在于，所述的LED镜像电流模块包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管，所述的第二PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极相连，所述的第二PMOS管的源极与所述外部电源电压相连，所述的第四PMOS管的漏极与所述第五PMOS管的源极相连，所述的第四PMOS管的源极与所述外部电源电压相连；所述的第一PMOS管、所述第三PMOS管和所述第五PMOS管的栅极依次连接，所述的第三PMOS管、所述第五PMOS管和所述第一PMOS管组成所述电流镜结构。4.根据权利要求3所述的实现宽工作电压的LED恒流驱动电路结构，其特征在于，所述的LED镜像电流模块还包括第一NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和多个NMOS管组，所述的第一NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和16对NMOS管组构成高摆幅共源共栅电流镜结构，所述的第一NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极与第一NMOS管的漏极相连，所述的第三NMOS管的漏极与第五PMOS管的漏极相连，所述的第三NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极相连，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的漏极相连；每组所述的NMOS管组均包含上NMOS管和下NMOS管，所述的上NMOS管的源极与下NMOS管的漏极相连，每组NMOS管组的上NMOS管的栅极均与所述第一NMOS管的栅极相连，所述的每组NMOS管的下NMOS管的栅极均与所述第四NMOS管的栅极相连，所述的每组NMOS管的下NMOS管的源极均接地，所述的每组NMOS管的上NMOS管的漏极分别产生偏置电流，每组NMOS管产生的偏置电流输出至对应的LED恒流源电路模块。5....
【专利技术属性】
技术研发人员：邹一照，冯雪阳，
申请(专利权)人：华润微集成电路无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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