【技术实现步骤摘要】
磁共振成像中的射频交变磁场限制方法及装置
[0001]本专利技术涉及MR(Magnetic Resonance,磁共振)
,特别是MRI(Magnetic Resonance Imaging,磁共振成像)中的射频交变磁场限制方法、装置及磁共振扫描仪。
技术介绍
[0002]IEC(医用电气设备)标准规定:MR扫描期间,被扫描的人体部位上放置的局部线圈的表面温度必须满足:在射频功率下保持在41℃以下,以免对人体造成伤害。但是该标准并未给出具体通过什么方法来满足该要求。
[0003]NEMA(国家电气制造商协会)MS
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14是一个新标准,其详细介绍了射频加热测试说明,用于评估MR局部线圈的安全性。新的MS
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14测试标准要求在达到热平衡时测量局部线圈表面温度,因此必须对发射线圈产生的射频交变磁场,即B1场进行更严格的限制和监控,以使旧的射频线圈仍符合新标准。
[0004]目前,大多数MR扫描仪根据患者SAR(Specific Absorption Rate,比吸收率)或射 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁共振成像中的射频交变磁场限制方法,其特征在于,该方法包括:测量放置在患者的被扫描部位上的局部线圈与磁共振MR扫描仪的检测孔孔中心之间的垂直距离;根据局部线圈与检测孔孔中心之间的垂直距离,确定在MR扫描时局部线圈所在位置处的射频交变磁场的场强与检测孔孔中心处的射频交变磁场的场强之间的偏差;根据所述偏差计算局部线圈所在位置处的射频交变磁场的场强与检测孔孔中心处的射频交变磁场的场强之间的转换系数;根据局部线圈表面温度等于安全温度上限时所需的射频交变磁场的场强以及所述转换系数,计算检测孔孔中心处的射频交变磁场的最大允许场强。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述偏差计算局部线圈所在位置处的射频交变磁场的场强与检测孔孔中心处的射频交变磁场的场强之间的转换系数,包括:α=10
S/20
其中,α为所述转换系数,S为所述偏差,偏差的单位为dB;所述根据局部线圈表面温度等于安全温度上限时所需的射频交变磁场的场强以及所述转换系数,计算检测孔孔中心处的射频交变磁场的最大允许场强,包括:B1_c=B1_rf*α其中,B1_c为局部线圈表面温度等于安全温度上限时所需的射频交变磁场的场强,B1_rf为检测孔孔中心处的射频交变磁场的最大允许场强。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据局部线圈与检测孔孔中心之间的垂直距离,确定在MR扫描时局部线圈所在位置处的射频交变磁场的场强与检测孔孔中心处的射频交变磁场的场强之间的偏差,包括:在预先建立的垂直距离
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偏差对应关系表中,查找所述局部线圈与检测孔孔中心之间的垂直距离对应的偏差,将查找到的偏差作为所述在MR扫描时局部线圈所在位置处的射频交变磁场的场强与检测孔孔中心处的射频交变磁场的场强之间的偏差;其中,预先测量当局部线圈与检测孔孔中心之间的垂直距离取不同的值时,MR扫描时局部线圈所在位置处的射频交变磁场的场强与检测孔孔中心处的射频交变磁场的场强之间的偏差,根据测量结果,建立垂直距离
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偏差对应关系表。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述计算检测孔孔中心处的射频交变磁场的最大允许场强之后,进一步包括:在MR扫描仪的预扫描阶段,控制MR扫描仪采用默认的射频电压发射射频信号,并测量检测孔孔中心处的射频交变磁场的场强,根据默认的射频电压与测量到的所述场强,计算射频电压与检测孔孔中心处的射频交变磁场的场强之间的比例系数;选择一个不大于所述最大允许场强的场强作为检测孔孔中心处的射频交变磁场的参考场强,根据该参考场强以及所述比例系数,计算射频工作电压;在MR扫描仪正式扫描阶段,控制MR扫描仪采用该射频工作电压发射射频信号。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述测量放置在患者的被扫描部位上的局部线圈与MR扫描仪的检测孔孔中心之间的垂直距离,包括:当患者躺在MR扫描仪的床板上、且局部线圈已被放置在患者的被扫描部位上、且还未
将患者推入检测孔内时,启动安装在床板上方的三维摄像头,在摄像头采集的图像中检测局部线圈和床板的位置,根据局部线圈和床板的位置计算局部线圈与床板之间的垂直距离,结合床板与检测孔孔中心之间的垂直距离,计算局部线圈与检测孔孔中心之间的垂直距离;或者,根据检测孔孔中心的三维空间坐标以及放置在局部线圈上的三维霍尔传感器测量到的局部线圈的三维空间坐标,计算局部线圈与检测孔孔中心之间的垂直距离;或者,当患者被推入检测孔时,控制检测孔孔壁顶点处设置的激光反射器发射激光信号,根据激光反射器接...
【专利技术属性】
技术研发人员:王英伦,张秋艺,李志宾,
申请(专利权)人:西门子深圳磁共振有限公司,
类型:发明
国别省市:
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