一种异质结高能粒子探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种异质结高能粒子探测器及其制备方法，该异质结高能粒子探测器，包括底电极、衬底、半导体材料层、高原子序数二维材料层和顶电极，选择具有高原子序数的二维材料层可以实现高能粒子的有效碰撞，提高粒子响应效率，结合高能粒子在半导体材料中产生高能粒子碰撞，产生载流子，两个区域的载流子同时形成探测电荷信号，大幅增强了探测器的探测能力，同时，二维材料层和半导体材料层可以形成异质结甚至PN结，通过异质结内建电场实现载流子进行分离和传输，再次提高探测器的探测性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
一种异质结高能粒子探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及辐射探测器
，特别涉及一种异质结高能粒子探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]高能粒子探测技术目前主要研究的一种探测器即为半导体辐射探测器。半导体辐射探测器具有体积小、集成能力高、能量分辨率高、抗辐照能力强等优点。但目前，由于常用于半导体辐射探测器的半导体材料的生长技术限制，其高质量本征半导体材料的厚度很难达到100um以上。因此，针对X射线等高穿透性高能粒子的探测，传统半导体辐射探测器很难实现高效探测。
[0003]基于目前的半导体辐射探测器存在的缺陷，有必要对此进行改进。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提出了一种异质结高能粒子探测器及其制备方法，解决或至少部分解决现有技术中存在的技术缺陷。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种异质结高能粒子探测器，包括：
[0006]衬底；
[0007]底电极，其位于所述衬底一侧面；
[0008]半导体材料层，其位于所述衬底远离所述底电极的一侧面；
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结高能粒子探测器，其特征在于，包括：衬底；底电极，其位于所述衬底一侧面；半导体材料层，其位于所述衬底远离所述底电极的一侧面；高原子序数二维材料层，其位于所述半导体材料层远离所述衬底的一侧面；顶电极，其位于所述二维材料层远离所述半导体材料层的一侧面。2.如权利要求1所述的异质结高能粒子探测器，其特征在于，所述高原子序数二维材料层的材料包括MoS2、MoSe2、MoTe2中的任一种。3.如权利要求1所述的异质结高能粒子探测器，其特征在于，所述二维材料层的厚度为10nm～10μm。4.如权利要求1所述的异质结高能粒子探测器，其特征在于，所述二维材料层的材料包括p型掺杂二维材料、n型掺杂二维材料、低掺杂本征型二维材料中的任一种。5.如权利要求1所述的异质结高能粒子探测器，其特征在于，所述半导体材料层的材料包括碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾玉萍，黎大兵，孙晓娟，刘明睿，石芝铭，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：