用于制备富锂卤水的电渗析系统技术方案

技术编号:37871640 阅读:33 留言:0更新日期:2023-06-15 21:00
本申请涉及用于制备富锂卤水的电渗析系统,包括卤水管线、电渗析器、控制装置;电渗析器包括依次设置的阴极板、第一隔板、第一过滤膜、膜堆、第二过滤膜、第二隔板、阳极板,第一隔板和第二隔板之间固定连接,夹持固定第一过滤膜、膜堆、第二过滤膜;控制装置包括控制器、流量计、第一流量调节阀、电流调节器。本申请提供的电渗析器在膜堆两侧加设有第一过滤膜、第二过滤膜,即使极板处发生了副反应,副产物也会被第一过滤膜和第二过滤膜过滤下来,不会进入膜堆内的离子迁移通道,减少烧膜现象;同时,电渗析系统设置流量计和电流调节器,控制器根据卤水的流量自动调节电流大小,实现联锁控制,进一步避免烧膜现象的发生。进一步避免烧膜现象的发生。进一步避免烧膜现象的发生。

【技术实现步骤摘要】
用于制备富锂卤水的电渗析系统


[0001]本技术涉及电渗析除杂
,具体涉及用于制备富锂卤水的电渗析系统。

技术介绍

[0002]目前,盐湖卤水中含有丰富的锂资源,卤水中存在多离子共存现象,常通过电渗析法除杂后得到富锂卤水。
[0003]电渗析法是通过阴阳膜交叉排列的膜堆组合,在极板连通电源形成直流电场的作用下,利用离子膜对阴阳离子的高选择透过性,使阴阳离子定向迁移透过选择性离子膜,从而使电介质离子自溶液中分离出来的过程,可实现离子型化合物的分离、淡化和浓缩。
[0004]在电渗析法制备富锂卤水工艺中,常会产生离子膜烧膜现象,离子膜烧膜指的是离子膜上的离子迁移通道被堵塞,造成阴阳离子在膜离子迁移的通道口发生副反应,生成沉淀物,使离子膜发生粘连结板,造成离子膜损伤。
[0005]离子迁移通道被堵塞的原因有很多,如极板附近易发生较多副反应,产生的副产物有可能会堵塞离子迁移通道;电流与进入膜堆的卤水流量不匹配,发生电流过大或过小现象,电流过大导致短时间内产生大量阴阳离子,迁移不及时生成沉淀物,堵塞离子迁移通道;电流过小,卤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于制备富锂卤水的电渗析系统,其特征在于,包括卤水管线(2)、电渗析器(3)、以及与所述电渗析器(3)连接的控制装置(4);所述电渗析器(3)包括依次设置的阴极板(31)、第一隔板(32)、第一过滤膜(33)、膜堆(34)、第二过滤膜(35)、第二隔板(36)、以及阳极板(37),所述第一隔板(32)和所述第二隔板(36)之间固定连接,夹持固定所述第一过滤膜(33)、所述膜堆(34)、所述第二过滤膜(35),所述阴极板(31)固定在所述第一隔板(32)的外侧,所述阳极板(37)固定在所述第二隔板(36)的外侧;所述第一隔板(32)和所述第二隔板(36)均为平面框板型结构,中间布设有隔网,所述第一过滤膜(33)覆盖所述第一隔板(32)上的隔网,所述第二过滤膜(35)覆盖所述第二隔板(36)上的隔网;所述第一隔板(32)和所述第二隔板(36)的顶部分别设置有供卤水流动的通道,所述卤水管线(2)分别与所述第一隔板(32)和所述第二隔板(36)的通道连接;所述电渗析器(3)还包括电源(38),所述电源(38)分别与所述阴极板(31)和所述阳极板(37)连接;所述控制装置(4)包括控制器(41)、设于所述卤水管线(2)上的流量计(42)和第一流量调节阀(43)、以及与所述电源(38)连接的电流调节器(44),所述流量计(42)、所述第一流量调节阀(43)、所述电流调节器(44)均与所述控制器(41)连接;所述控制器(41)设置为:根据所述流量计(42)显示的卤水流量控制...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘海平俞秋平包庆山赵积龙杨树林韩文萍郑有为张世伟
申请(专利权)人:青海盐湖工业股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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