一种异质结构及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于光催化材料技术领域，具体涉及一种异质结构及其制备方法和应用。该异质结构该异质结构是通过Cu2O与Cu复合，然后与GaON复合形成的Cu2O/Cu/GaON异质结构。该异质结构增加了电荷的转移，同时Cu中间层极大地增加了对光的吸收效率，其较Cu2O材料的催化活性大幅度增加，光解水效率比较高。光解水效率比较高。光解水效率比较高。

【技术实现步骤摘要】
一种异质结构及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于光催化材料
，具体涉及一种异质结构及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]随着化石燃料的大量消耗，随之带来的是严峻的环境问题和能源问题，故开发清洁、环境友好、再生能源迫在眉捷。氢能具有能量密度高、产物清洁、燃烧热值高等优点，被认为是传统的化石燃料的理想替代者。在众多的制备的方法中，光解水制氢工艺简单，产物清洁，是一种获得高效的氢气的途径，但其反应动力学缓慢，制备过程会消耗额外的能量，故高活性催化剂的加入是关键。
[0003]目前，贵金属的催化性能是最好的，但是由于价格昂贵和贮量少，妨碍了其商业化应用。开发资源丰富、高效、稳定性突出等的非金贵属催化剂代替贵金属，在未来可实现大规模生产。Cu2O是一种可以吸收可见光的P型半导体，具有无毒、合成方法多样且可控等优点，但由于光催化活性较弱，限制了Cu2O在环境、能源领域的应用。特别是Cu2O的表面会形成一层具有很大能垒的超薄膜，在光照时不利于电荷的产生和转移。构筑异质结通常是提高光催化活性的有效手段，例如Cu2O与金属、半导体、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结构，其特征在于，包括Cu2O层、Cu层和GaON层，其中，Cu2O层与Cu层以免连接，Cu层另一面和GaON层连接。2.根据权利要求1所述的异质结构，其特征在于，Cu层的厚度为0.1μm
‑
1μm。3.根据权利要求1或2所述的异质结构，其特征在于，还包括基板，基板与Cu2O层连接。4.根据权利要求3所述的三元异质结构，其特征在于，基板包括FTO基板。5.权利要求1所述的异质结构的制备方法，其特征在于，包括：在Cu2O层上生长Cu层形成Cu2O/Cu异质结构；然后在Cu2O/Cu异质结上生长GaON形成Cu2O/Cu/GaON异质结构。6.权利要求3或4所述的异质结构的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：马宏平，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：