半导体结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体结构，包括：单元阵列，具有多个行，并且该单元阵列包括：第一逻辑单元，排列在该多个行的至少一个第一行中，其中多个该第一逻辑单元共享第一有源区；以及第二逻辑单元，排列在该多个行的至少一个第二行中，其中每个该第二逻辑单元具有第二有源区，并且两个相邻的第二逻辑单元的该第二有源区通过隔离结构彼此隔开，其中，该第一行的该第一逻辑单元与该第二行的该第二逻辑单元接触。本发明专利技术的半导体结构可以结合不连续有源区的更小的泄漏和更小的面积的优势，以及连续有源区的速度更快的优势；因此本发明专利技术将两者的优势进行结合，以满足不同的功率和速度的要求，从而得到设计所需的半导体结构，并且满足不同的需求。需求。需求。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构。

技术介绍

[0002]集成电路(Integrated circuit，IC)变得越来越重要。使用IC的应用程序被数百万人使用。这些应用包括手机、智能手机、平板计算机、膝上型计算机、笔记本电脑、PDA、无线电子邮件终端、MP3音讯和视频播放器、便携式无线网络浏览器等。集成电路越来越多地包括用于信号控制和处理的强大和高效的板上(on
‑
board)数据存储和逻辑电路。
[0003]随着集成电路的缩小规模增加，它们变得更加紧凑。当标准单元(经常用于集成电路)的数量增加时，芯片面积就会增加。因此，需要一种用于功率和速度的单元阵列。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供一种半导体结构，以解决上述问题。
[0005]根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体结构，包括：
[0006]单元阵列，具有多个行，并且该单元阵列包括：
[0007]第一逻辑单元，排列在该多个行的至少一个第一行中，其中多个该第一逻辑单元共享第一有源区；以及
[0008]第二逻辑单元，排列在该多个行的至少一个第二行中，其中每个该第二逻辑单元具有第二有源区，并且两个相邻的第二逻辑单元的该第二有源区通过隔离结构彼此隔开，
[0009]其中，该第一行的该第一逻辑单元与该第二行的该第二逻辑单元接触。
[0010]根据本专利技术的第二方面，公开一种半导体结构，包括：
[0011]单元阵列，具有多个行，其中，该多个行划分为多个组，每组包括：
[0012]第一逻辑单元，多个该第一逻辑单元排列成第一行，其中该第一逻辑单元的第一导电类型晶体管共享第一连续有源区，每个第一逻辑单元的第二导电类型晶体管形成在第一不连续有源区中；以及
[0013]第二逻辑单元，多个该第二逻辑单元排列成第二行，其中每个第二逻辑单元的第一导电类型晶体管形成在第二不连续有源区中，并且该第二逻辑单元的第一导电类型晶体管共享第二连续有源区。
[0014]本专利技术的半导体结构由于包括：具有多个行，并且该单元阵列包括：第一逻辑单元，排列在该多个行的至少一个第一行中，其中多个该第一逻辑单元共享第一有源区；以及第二逻辑单元，排列在该多个行的至少一个第二行中，其中每个该第二逻辑单元具有第二有源区，并且两个相邻的第二逻辑单元的该第二有源区通过隔离结构彼此隔开，其中，该第一行的该第一逻辑单元与该第二行的该第二逻辑单元接触。本专利技术的半导体结构可以结合不连续有源区的更小的泄漏和更小的面积的优势，以及连续有源区的速度更快的优势；因此本专利技术将两者的优势进行结合，以满足不同的功率和速度的要求，从而得到设计所需的半导体结构，并且满足不同的需求。
附图说明
[0015]图1示出了说明根据本专利技术一些实施例的IC的单元阵列(cell array)的简化图。
[0016]图2示出了图示根据本专利技术的一些实施例的图1的单元阵列中的群组(group)的逻辑单元的简化布局。
[0017]图3A示出了根据本专利技术一些实施例的沿图2的线A
‑
AA的逻辑单元的半导体结构的截面图。
[0018]图3B示出了根据本专利技术一些实施例的沿图2的线B
‑
BB的逻辑单元的半导体结构的截面图。
[0019]图4示出了说明根据本专利技术一些实施例的IC的单元阵列的简化图。
[0020]图5A示出了说明根据本专利技术一些实施例的单元阵列的简化图。
[0021]图5B示出了说明根据本专利技术一些实施例的单元阵列的简化图。
[0022]图6A示出了说明根据本专利技术一些实施例的IC的单元阵列的简化图。
[0023]图6B示出了说明根据本专利技术一些实施例的图6A中的逻辑单元的简化布局。
[0024]图6C示出了说明根据本专利技术一些实施例的图6A中的另一个逻辑单元的简化布局。
[0025]图7示出了说明根据本专利技术一些实施例的IC的单元阵列的简化图。
[0026]图8示出了说明根据本专利技术一些实施例的IC的单元阵列的简化图。
[0027]图9示出了说明根据本专利技术一些实施例的IC的单元阵列的简化图。
[0028]图10示出了说明根据本专利技术一些实施例的IC的单元阵列的简化图。
[0029]图11示出了说明根据本专利技术一些实施例的IC的单元阵列的简化图。
具体实施方式
[0030]在下面对本专利技术的实施例的详细描述中，参考了附图，这些附图构成了本专利技术的一部分，并且在附图中通过图示的方式示出了可以实践本专利技术的特定的优选实施例。对这些实施例进行了足够详细的描述，以使本领域技术人员能够实践它们，并且应当理解，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，可以利用其他实施例，并且可以进行机械，结构和程序上的改变。本专利技术。因此，以下详细描述不应被理解为限制性的，并且本专利技术的实施例的范围仅由所附权利要求限定。
[0031]将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”、“主要”、“次要”等在本文中可用于描述各种组件、组件、区域、层和/或部分，但是这些组件、组件、区域、这些层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个组件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分。因此，在不脱离本专利技术构思的教导的情况下，下面讨论的第一或主要组件、组件、区域、层或部分可以称为第二或次要组件、组件、区域、层或部分。
[0032]此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在...下方”、“在...之下”、“在...下”、“在...上方”、“在...之上”之类的空间相对术语，以便于描述一个组件或特征与之的关系。如图所示的另一组件或特征。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖设备在使用或运行中的不同方位。该设备可以以其他方式定向(旋转90度或以其他定向)，并且在此使用的空间相对描述语可以同样地被相应地解释。另外，还将理解的是，当“层”被称为在两层“之间”时，它可以是两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。
[0033]术语“大约”、“大致”和“约”通常表示规定值的
±
20％、或所述规定值的
±
10％、或
所述规定值的
±
5％、或所述规定值的
±
3％、或规定值的
±
2％、或规定值的
±
1％、或规定值的
±
0.5％的范围内。本专利技术的规定值是近似值。当没有具体描述时，所述规定值包括“大约”、“大致”和“约”的含义。本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本专利技术。如本文所使用的，单数术语“一”，“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本专利技术构思。如本文所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
[0034]将理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：单元阵列，具有多个行，并且该单元阵列包括：第一逻辑单元，排列在该多个行的至少一个第一行中，其中多个该第一逻辑单元共享第一有源区；以及第二逻辑单元，排列在该多个行的至少一个第二行中，其中每个该第二逻辑单元具有第二有源区，并且两个相邻的第二逻辑单元的该第二有源区通过隔离结构彼此隔开，其中，该第一行的该第一逻辑单元与该第二行的该第二逻辑单元接触。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一有源区为第一逻辑单元的第一导电类型晶体管共享的第一连续有源区，并且相邻的两个第一逻辑单元的第一导电类型晶体管通过第一虚设晶体管相互隔开。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该第一逻辑单元的第二导电类型晶体管共享与第一连续有源区平行的第二连续有源区，并且两个相邻的第一逻辑单元的第二导电类型晶体管通过第二虚设晶体管相互隔开。4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每个该第一逻辑单元的第二导电类型晶体管形成在不连续的有源区中，并且相邻两个第一逻辑单元的不连续有源区被隔离结构隔开。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个该第二有源区是第一不连续有源区，并且每个第二逻辑单元的第一导电类型晶体管形成在各自的第一不连续有源区中。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，每个该第二逻辑单元的第二导电类型晶体管形成在第二不连续有源区中，并且两个相邻的第二逻辑单元的第二不连续有源区通过隔离结构彼此隔开。7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该第二逻辑单元的第二导电类型晶体管共享与第一有源区平行的连续有源区，并且两个相邻的第二逻辑单元的第二导电类型晶体管通过虚设晶体管相互隔开。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一行与该第二行具有相同的数量，并且该第一行与第二行交替排列于该单元阵列中，或者，该单元阵列中的该第一行的数量与该第二行的数量不同。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在该第二行中，该第二逻辑单元的数量等于该第二有源区的数量。10.一种半导体结构，其特征在于，包括：单元阵列，具有多个行，其中，该多个行划分为多个组，每组包括：第一逻辑单元，多...

【专利技术属性】
技术研发人员：池其辉，谢贺捷，蔡行易，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：