单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法技术

一种单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法，由配制Ｇｄ↓［２］ＢａＣｕＯ↓［５］先驱粉、配制液相源粉、压制Ｇｄ↓［２］ＢａＣｕＯ↓［５］先驱块和液相块、压制支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钆钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。本发明专利技术采用顶部籽晶熔渗生长法，通过改变液相块所用液相源粉的成分，使得熔渗生长过程仅需Ｇｄ↓［２］ＢａＣｕＯ↓［５］和ＢａＣｕＯ↓［２］两种先驱粉，简化了实验环节、缩短了实验周期、降低了实验成本、节省了能源、提高了效率。采用Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］制备液相源粉，提高了液相源粉的利用率，采用了Ｙｂ↓［２］Ｏ↓［３］制备支撑块，在钆钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块，阻止液相的流失。本发明专利技术可用于制备钆钡铜氧超导块材，也可用于制备Ｙ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｅｕ等其他系列的高温超导块材。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高温铜氧化物超导材料
，具体涉及到顶部籽晶熔渗生长方法制备单畴轧钡铜氧超导块材。
技术介绍
单畴铜氧化物高温超导块材(RE-Ba-Cu-O，其中RE为稀土元素，如Nd、 Gd、Y等)具有较高的临界温度和临界电流密度，并且在强磁场下具有较强的磁通钉扎能力。这一优势为该类材料在磁悬浮技术方面的应用奠定了基础，特别是在超导磁悬浮轴承、储能飞轮以及超导电机和发电机等研制方面具有良好的应用前景。在制备单,同氧化物超导i央材的过程中，应用较多的工艺主要有两种， 一种是传统的顶部籽晶熔融织构生长工艺，另一种是最近几年发展起来的顶部籽晶熔渗生长工艺。自从顶部籽晶熔渗生长工艺被专利技术以来，受到了越来越多研究者的注意，因为它可以有效地解^^专统熔融织构生长工艺中存在的问题，例如样品的收縮、变形、内部存在大量气孔和宏观裂纹、液相流失严重、Gd2BaCuOs粒子的局部偏析等等。在熔渗生长工艺中，要用到三个等直径的先驱坯块，包括Gd2BaCuOs先驱块、液相土央和支撑块，Gd2BaCu05先驱块由相纯度高、粒度小的Gd2BaCu05先驱粉压制而成，液相块由等摩尔比的GdBa2Cu307本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单畴钆钡铜氧超导块材的制备方法，其特征在于他是由下述步骤组成：　　（１）配制Ｇｄ↓［２］ＢａＣｕＯ↓［５］先驱粉　　将Ｇｄ↓［２］Ｏ↓［３］与ＢａＣＯ↓［３］、ＣｕＯ粉按摩尔比为１∶１∶１的比例混合，用固态反应法制成Ｇｄ↓［２］ＢａＣｕＯ↓［５］粉，取Ｇｄ↓［２］ＢａＣｕＯ↓［５］粉加入到球磨机，添加Ｇｄ↓［２］ＢａＣｕＯ↓［５］粉质量１％～２％的ＣｅＯ↓［２］粉，混合均匀，制备成Ｇｄ↓［２］ＢａＣｕＯ↓［５］先驱粉；　　（２）配制液相源粉　　将ＢａＣＯ↓［３］与ＣｕＯ粉按摩尔比为１∶１混合，用固态反应法制成ＢａＣｕＯ↓［２］粉，将Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］或Ｙｂ↓［２］Ｏ↓［３］初始粉与ＢａＣ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨万民，李国政，
申请(专利权)人：陕西师范大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]