披露了一种透镜系统，包括：第一非球面轴锥透镜元件，所述第一非球面轴锥透镜元件包括第一折射表面和第二折射表面；第二非球面轴锥透镜元件，所述第二非球面轴锥透镜元件包括类似于所述第二折射表面的第三折射表面和类似于所述第一折射表面的第四折射表面；以及孔径光阑，所述孔径光阑位于所述第一非球面轴锥透镜元件与所述第二非球面轴锥透镜元件之间。所述第一非球面轴锥透镜元件和第二非球面轴锥透镜被相互定向成使得所述第二折射表面和所述第三折射表面相互面对。所述第一非球面轴锥透镜元件和所述第二非球面轴锥透镜元件被配置成最小化由所述透镜系统中继的辐射的至少光谱范围的色差。光谱范围的色差。光谱范围的色差。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】消色差光学中继装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年10月1日递交的欧洲申请20199589.1的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。
[0003]本专利技术涉及消色差光学中继装置，并且具体地涉及与集成电路的制造中的量测应用有关的这种光学中继装置。
技术介绍
[0004]光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)辐射(具有在4nm至20nm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于在衬底上形成与使用例如具有193nm波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。
[0006]低k1光刻可用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在这种过程中，分辨率公式可以表示为CD＝k1×
λ/NA，其中λ是所采用的辐射波长，NA是光刻设备中投影光学器件的数值孔径，CD是临界尺寸(通常是印刷的最小特征尺寸，但在这种情况下是半节距)，k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，在所述衬底上再现类似于由电路设计者规划的形状和尺寸的图案以实现特定电学功能性和性能就变得越困难。为了克服这些困难，可以将复杂的微调步骤应用于光刻投影设备和/或设计布局。这些步骤包括例如但不限于：NA的优化、自定义照射方案、相移的图案形成装置的使用、设计布局(诸如所述设计布局中的光学邻近效应校正(OPC，有时也被称为“光学和过程校正))的各种优化、或通常被定义为“分辨率增强技术”(RET)的其它方法。替代地，用于控制所述光刻设备的稳定性的紧密控制回路可以被用于改善在低k1下所述图案的再现。
[0007]量测工具被用于IC制造过程的许多方面，例如作为用于在曝光之前适当地定位衬底的对准工具、作为用于测量所述衬底的表面形貌的调平工具以例如用于聚焦控制、以及作为基于散射测量的工具以用于在过程控制中检查/测量经曝光的和/或经蚀刻的产品。在每种情况下，都需要辐射源。由于各种原因(包括测量的鲁棒性(即稳健性)和准确性)，则宽带或白光辐射源越来越多地用于这种量测应用。然而，与窄带辐射的情况相反，宽带辐射的传播通常对宽带辐射的束路径中所使用的(反射型和透射型)光学元件具有较高的要求。例如，在使用光学透镜来整形(例如，聚焦或准直)宽带辐射的束的情况下，透镜需要对宽带辐射的束引起低的或可忽略的色差，例如，以便获得小的聚焦斑或良好准直束。虽然低色差透
镜已经被提出和开发，但是它们的性能仍然是有限的。因此，将会希望改善现有的光学透镜以对宽带辐射的束更好地整形。
技术实现思路
[0008]在本专利技术的第一方面中，提供了一种透镜系统，包括：第一非球面轴锥透镜元件，所述第一非球面轴锥透镜元件包括第一折射表面和第二折射表面；第二非球面轴锥透镜元件，所述第二非球面轴锥透镜元件包括类似于所述第二折射表面的第三折射表面和类似于所述第一折射表面的第四折射表面，所述第一非球面轴锥透镜元件和第二非球面轴锥透镜被相互定向成使得所述第二折射表面和所述第三折射表面相互面对；和
[0009]孔径光阑，所述孔径光阑位于所述第一非球面轴锥透镜元件与所述第二非球面轴锥透镜元件之间；其中，所述第一非球面轴锥透镜元件和所述第二非球面轴锥透镜元件被配置成最小化由所述透镜系统中继的辐射的至少光谱范围的色差。
[0010]本专利技术的其它方面包括量测装置，所述量测装置包括所述第一方面的宽带光源装置。
附图说明
[0011]现在将参考随附的示意性附图仅通过举例的方式描述本专利技术的实施例，在附图中：
[0012]‑
图1描绘了光刻设备的示意性概略图；
[0013]‑
图2描绘了光刻单元的示意性概略图；
[0014]‑
图3描绘整体光刻术的示意性表示，表示用以优化半导体制造的三种关键技术之间的协作；
[0015]‑
图4描绘了用作量测装置的散射仪设备的示意性概略图，其可以包括根据本专利技术的实施例的辐射源；
[0016]‑
图5描绘了水平传感器设备的示意性概略图，所述水平传感器设备可以包括根据本专利技术的实施例的辐射源；
[0017]‑
图6描绘了对准传感器设备的示意性概略图，所述对准传感器设备可以包括根据本专利技术的实施例的辐射源；
[0018]‑
图7示意性地描绘了用于传输和修改宽带辐射的现有技术光学中继系统；
[0019]‑
图8(a)示意性地描绘了消色差单透镜聚焦透镜；
[0020]‑
图8(b)示意性地描绘了消色差单透镜准直透镜；
[0021]‑
图9比较了如图8(a)和8(b)中描绘的消色差单透镜与具有相同后焦距和数值孔径的商业消色差双合透镜的所计算的色差焦移。
[0022]‑
图10示意性地描绘了根据一个实施例的消色差透镜系统，所述消色差透镜系统包括两个单独的消色差非球面轴锥镜单透镜元件；
[0023]‑
图11示意性地描绘了根据替代实施例的消色差透镜系统，所述消色差透镜系统包括限定两个消色差非球面轴锥透镜的整体透镜元件；以及
[0024]‑
图12描绘了能够用于图10或图11的实施例中的延伸的非球面轴锥透镜。
具体实施方式
[0025]在本文中，术语“辐射”和“束”被用于涵盖全部类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和EUV辐射(极紫外辐射，例如具有在约5nm至100nm的范围内的波长)。
[0026]如本专利技术中采用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广泛地解释为是指可以被用于向入射辐射束赋予经图案化的横截面的通用图案形成装置，所述经图案化的横截面对应于将要在衬底的目标部分中产生的图案。在这种情境下，也可以使用术语“光阀”。除经典掩模(透射型或反射型、二元、相移、混合型等)以外，其它这样的图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
[0027]图1示意性地描绘了光刻设备LA。所述光刻设备LA包括：照射系统(也被称为照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，所述掩模支撑件被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并且被连接至被配置成根据某些参数来准确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；衬底支撑件(例如，晶片台)WT，所述衬底支撑件被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种透镜系统，包括：第一非球面轴锥透镜元件，所述第一非球面轴锥透镜元件包括第一折射表面和第二折射表面；第二非球面轴锥透镜元件，所述第二非球面轴锥透镜元件包括类似于所述第二折射表面的第三折射表面和类似于所述第一折射表面的第四折射表面，所述第一非球面轴锥透镜元件和第二非球面轴锥透镜被相互定向成使得所述第二折射表面和所述第三折射表面相互面对；和孔径光阑，所述孔径光阑位于所述第一非球面轴锥透镜元件与所述第二非球面轴锥透镜元件之间；其中，所述第一非球面轴锥透镜元件和所述第二非球面轴锥透镜元件被配置成最小化由所述透镜系统中继的辐射的至少光谱范围的色差。2.根据权利要求1所述的透镜系统，其中，所述第一非球面轴锥透镜元件、第二非球面轴锥透镜和孔径光阑共用公共光轴。3.根据权利要求2所述的透镜系统，其中，所述第一折射表面、所述第二折射表面、所述第三折射表面、所述第四折射表面和所述孔径光阑沿所述公共光轴大致对称地布置，所述孔径光阑位于对称平面上。4.根据权利要求2或3所述的透镜系统，其中，所述第一非球面轴锥透镜元件和所述第二非球面轴锥透镜元件各自包括单透镜元件。5.根据权利要求2、3或4所述的透镜系统，其中，所述第一非球面轴锥透镜元件和所述第二非球面轴锥透镜元件是在实体上独立的透镜元件。6.根据权利要求2、3或4所述的透镜系统，其中，所述第一非球面轴锥透镜元件和所述第二非球面轴锥透镜元件由连结段连结在一起作为单个光学元件，所述连结段被定位成不妨碍由所述透镜系统中继的辐射。7.根据任一前述权利要求所述的透镜系统，其中，所述孔径光阑限定被配置成优化所述透镜系统的光学性能的具有固定直径的孔。8.根据任一前述权利要求所述的透镜系统，其中，所述第一折射表面、所述第二折射表面、所述第三折射表面和...
【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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