一种自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法技术

技术编号:3785364 阅读:190 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种自组装单层膜表面制备BiFeO↓[3]薄膜图案化的方法,按照以下步骤:(1)制备洁净基片;(2)制备OTS-SAMs基体;(3)制备图案化SAMs;(4)制备前驱体溶液;(5)制备BiFeO↓[3]薄膜;(6)BiFeO↓[3]薄膜在60℃低温环境下干燥,然后在350℃进行预处理10min以便络合物及有机物分解获得样品;最后将样品放于马弗炉中以3℃/min速率升温,在400-620℃的高温下保温2小时使BiFeO↓[3]薄膜晶化。本发明专利技术的有益效果是所制备的BiFeO↓[3]薄膜表面结构致密均一,在较低的煅烧温度下即可生成纯相的BiFeO↓[3]薄膜,还可以根据不同的实际需要提供不同表面微结构的BiFeO↓[3]图案化薄膜。制备工艺简单,制备过程也不会产生污染,是一种环境友好薄膜制备技术。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
自组装单层膜表面制备BiFeO↓[3]薄膜图案化的方法,其特征在于,按照以下步骤: (1)制备洁净基片; (2)制备OTS-SAMs基体:首先把OTS和甲苯按体积分数比1∶99的比例配制OTS-甲苯溶液,将洁净基片浸入OTS-甲 苯溶液中浸泡,浸泡后的基片用丙酮在超声波下清洗后并用氮气吹干,置于120℃下保温5-10min去掉残留杂质得到OTS-SAMs基体; (3)制备图案化SAMs:将OTS-SAMs基体在光掩膜的覆盖下,在紫外光下照射120-240min ,得到图案化SAMs;紫外光λ=184.9nm; (4)制备前驱体溶液:将Fe(NO↓[3])↓[3]...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:宋亚玉谈国强
申请(专利权)人:陕西科技大学
类型:发明
国别省市:87[]

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