锑掺杂有机-无机铟基卤化物发光材料的制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了锑掺杂有机

【技术实现步骤摘要】
锑掺杂有机
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无机铟基卤化物发光材料的制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及发光材料及其制备
，具体涉及一种锑掺杂有机
‑
无机铟基卤化物发光材料的制备方法与应用。

技术介绍

[0002]发光二极管(light
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emitting diode，简称LED)，与传统白炽灯和荧光灯相比，具有低耗能、环保、寿命长等优点。目前商用白光LED主要采用黄色荧光粉和蓝光芯片组合封装，所以荧光粉的性能决定着白光LED性能的好坏。因此，开发环保、高效的黄色荧光粉具有非常重要的现实意义。
[0003]在过去十年里，有机
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无机杂化金属卤化物作为一种新兴的半导体材料在光伏应用方面取得了显著的进展，这归结于它良好的缺陷容忍度、优异的结构可调性和简单的合成过程。同时这些优异的性能使得其在发光领域也备受关注。其中低维有机
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无机杂化金属卤化物与传统的有机
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无机卤化物相比，具有无自吸收、无需精准控制掺杂量和效率高等优点。需要注意的是这里的低维指的是晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.锑掺杂有机
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无机铟基卤化物发光材料，其特征是：所述发光材料为化合物，所述化合物为黄色荧光粉或白色荧光粉。2.如权利要求1所述的锑掺杂有机
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无机铟基卤化物发光材料，其特征是：所述黄色荧光粉具有如式(1)所示结构式：(DETA)InCl 6
:xSb
3+
(1)式(1)中，铟(In)的价态为正三价；锑(Sb)的价态为正三价；x表示物质的量分数，其值为0.0001、0.10、0.15。3.如权利要求1所述的锑掺杂有机
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无机铟基卤化物发光材料，其特征是：所述白色荧光粉具有如式(2)所示结构式：(DETA)InCl 6
:xSb
3+
(2)式(2)中，铟(In)的价态为正三价；锑(Sb)的价态为正三价；x表示物质的量分数，其值为0.00005。4.如权利要求2所述的锑掺杂有机
‑
无机铟基卤化物发光材料的制备方法，其特征是：所述黄色荧光粉的制备方法包含以下步骤：a)将有机胺(DETA)、铟源、氯源、锑源按一定比例混合；再加入适量离子水使混合溶液溶解，得混合物；b)将步骤a)所得混合物溶于盐酸和去离子水中，混合物溶于盐酸和去离子水的过程中温度为10～100℃，反应时间为3～10分钟；然后将其混合溶于烧杯中搅拌进行反应，除去盐酸水溶液，烘干后，即得所述化合物，即黄色荧光粉。5.如权利要求3所述的锑掺杂有机
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无机铟基卤化物发光材料的制备方法，其特征是：所述白色荧光粉的制备方法包含以下步骤：S1、将有机胺(DETA)、铟源、氯源、锑混合，所得溶液中有机胺(DETA)、铟元素、氯元素、锑元素的摩尔比例为DETA：In：Cl：xSb＝1：1：2：x，其中，x表示物质的量分数，其值为0.00005的混合物，再加入8mL离子水使混合溶液溶解，得混合物；S2、将步骤S1所得混合物溶于盐酸和去离子水...

【专利技术属性】
技术研发人员：巫灵昆，李建荣，史超，胡兆波，
申请(专利权)人：江西理工大学，
类型：发明
国别省市：