一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件制造技术

本发明专利技术提供了一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件，包括串联的若干个IGBT，IGBT的串联电路上并联有第一电容组成IGBT半桥单元，IGBT半桥单元的一侧并联有晶闸管半桥单元，IGBT半桥单元的另一侧并联有并联设置的第二电容器和第三电容器。通过晶闸管的导通压降低和IGBT开关特性好的特点，通过驱动电路分别控制IGBT与晶闸管，改善了传统关断晶闸管类器件开关频率低、开关特性差、需要较大的缓冲回路和拓扑复杂的缺点，可广泛应用于电力系统的换流阀之中；也能解决IGBT通态压降较高的问题，适合应用于轨道交通等低频应用场合。用于轨道交通等低频应用场合。用于轨道交通等低频应用场合。

【技术实现步骤摘要】
一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件
[0001]本申请是名为《一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件》的专利申请的分案申请，原申请的申请日为2021年02月07日，申请号为202110176828.2。


[0002]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件。

技术介绍

[0003]电力电子技术的飞速发展，各种电力电子装置在工业中的应用越来越广泛。随着需求的增加，电力电子装置趋于大容量和高功率密度，开关器件的电压和电流等级也随之增大。
[0004]新型功率器件及其相关新型半导体材料的研究，一直是电力电子行业极为活跃的领域。一种理想的功率半导体器件，应当具有理想的静态和动态特性：在阻断状态，能承受高电压；在导通状态，具有高的电流密度和低的导通压降；在开关状态和转换时，开关时间短，能承受高的di/dt和dv/dt，具有低的开关损耗，并具有全控功能；绝缘门极双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)凭借其开关频率高、驱动简单、容量大等优势，成为电力电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件，包括串联的若干个IGBT，其特征在于，所述IGBT的串联电路上并联有第一电容组成IGBT半桥单元，所述IGBT半桥单元的一侧并联有晶闸管半桥单元，所述IGBT半桥单元的另一侧并联有并联设置的第二电容器和第三电容器；所述IGBT半桥单元内的设置有四个IGBT，所述晶闸管半桥单元由两个可关断的晶闸管串联组成，且每个所述晶闸管并联有二极管；所述IGBT半桥单元设有一个IGBT，所述晶闸管半桥单元设有一个可关断的晶闸管，所述IGBT的集电极C与所述晶闸管的阳极A相连接，所述IGBT的发射极E与所述晶闸管的阴极K相连；所述IGBT设有栅极G1，所述晶闸管设有门极G2；所述第二电容器为有源电容器，所述第三电容器为直流电容器。2.根据权利要求1所述的一种集成晶闸管和IGBT的半导体组件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵海军，谢广峰，
申请(专利权)人：北京帕斯特电力集成技术有限公司，
类型：发明
国别省市：