用于DC-DC变换器的峰值电流限制电路、DC-DC变换器及芯片制造技术

本公开的实施例提供一种用于DC

【技术实现步骤摘要】
用于DC
‑
DC变换器的峰值电流限制电路、DC
‑
DC变换器及芯片


[0001]本公开的实施例涉及集成电路
，具体地，涉及用于DC
‑
DC变换器的峰值电流限制电路、DC
‑
DC变换器及芯片。

技术介绍

[0002]DC
‑
DC(直流
‑
直流)变换器(或者称为DC
‑
DC电压转换器)被广泛应用于各种芯片供电应用。为了防止出现异常情况导致电流过大而烧毁芯片，DC
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DC变换器的电流需要被限制。在打开下功率管时设置有谷值电流限制，而在打开上功率管时设置有峰值电流限制。
[0003]在常见的峰值电流控制方式中，单个周期内电感电流的峰值由DC
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DC变换器的内部误差放大器的输出电压决定。该输出电压可经过电压转电流模块获得参考峰值电流。当电感电流上升到参考峰值电流后上功率管关断，避免电感电流进一步升高。

技术实现思路

[0004]本文中描述的实施例提供了一种用于DC<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于DC
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DC变换器的峰值电流限制电路，包括：参考电流生成电路、待测电压生成电路、第一误差放大器、电压钳位电路、频率补偿电路、以及电流比较电路，其中，所述参考电流生成电路被配置为：根据所述DC
‑
DC变换器的内部误差放大器的输出电压生成参考电流，经由第一节点从所述电流比较电路抽取所述参考电流，并经由第二节点向所述待测电压生成电路提供所述参考电流；所述待测电压生成电路被配置为：根据所述参考电流生成待测电压；所述第一误差放大器被配置为：根据来自参考电压端的参考电压与所述待测电压之间的电压差来生成误差电压；所述电压钳位电路被配置为：根据所述误差电压来限制所述输出电压的最大值；所述频率补偿电路被配置为：引入零点以对所述峰值电流限制电路进行频率补偿；所述电流比较电路被配置为：在所述DC
‑
DC变换器的电感电流大于或者等于所述参考电流的情况下输出上功率管关断指示信号。2.根据权利要求1所述的峰值电流限制电路，其中，所述参考电流生成电路包括：第一晶体管，其中，所述第一晶体管的控制极耦接所述DC
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DC变换器的所述内部误差放大器的输出端，所述第一晶体管的第一极耦接所述第二节点，所述第一晶体管的第二极耦接所述第一节点。3.根据权利要求1所述的峰值电流限制电路，其中，所述待测电压生成电路包括：第一电阻器，所述第一电阻器的第一端耦接所述第二节点和所述第一误差放大器的第一输入端，所述第一电阻器的第二端耦接第二电压端；或者所述待测电压生成电路包括：第一电流源、以及第一电阻器，所述第一电流源耦接所述第一电阻器的第一端、所述第二节点和所述第一误差放大器的第一输入端，所述第一电阻器的第二端耦接第二电压端。4.根据权利要求1所述的峰值电流限制电路，其中，所述电压钳位电路包括：第二晶体管，其中，所述第二晶体管的控制极耦接所述第一误差放大器的输出端，所述第二晶体管的第一极耦接所述DC
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DC变换器的所述内部误差放大器的输出端，所述第二晶体管的第二极耦接第二电压端。5.根据权利要求1所述的峰值电流限制电路，其中，所述频率补偿电路包括：第一电容器、以及第二电阻器，其中，所述第一电容器的第一端耦接所述第一误差放大器的输出端，所述第一电容器的第二端耦接所述第二电阻器的第一端；所述第二电阻器的第二端耦接所述DC
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DC变换器的所述内部误差放大器的输出端。6.根据权利要求1所述的峰值电流限制电路，其中，所述电流比较电路包括：第三晶体管、第四晶体管、第二电流源、第三电流源、以及电压比较器，其中，所述第三晶体管的控制极被提供所述DC
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DC变换器的上功率管驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟波，郝军哲，
申请(专利权)人：骏盈半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：