超导二极管器件及其制备方法技术

本申请公开了一种超导二极管器件及其制备方法。超导二极管器件包括异质结薄膜和两个超导电极，每一所述超导电极嵌入所述异质结薄膜，两个所述超导电极之间形成约瑟夫森结。本申请的超导二极管器件至少具有如下有益效果：通过第二类外尔半金属材料构建约瑟夫森结，使得器件能够在不同电流或磁场方向上选择性地进行超导态到正常态的转化，普适性强。普适性强。普适性强。

【技术实现步骤摘要】
超导二极管器件及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其是涉及一种超导二极管器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，超导二极管器件通常只在单一的电流方向或磁场方向上能够实现超导态到正常态的转化，对不同应用场景的普适性较差。

技术实现思路

[0003]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种超导二极管器件，能够在不同电流或磁场方向上选择性地进行超导态到正常态的转化，普适性强。
[0004]本申请还提出一种用于制备上述超导二极管器件的超导二极管器件制备方法。
[0005]根据本申请的第一方面实施例的超导二极管器件，包括异质结薄膜和两个超导电极，每一所述超导电极嵌入所述异质结薄膜，两个所述超导电极之间形成约瑟夫森结，其中，所述异质结薄膜由第二类外尔半金属制成。
[0006]根据本申请实施例的超导二极管器件，至少具有如下有益效果：通过第二类外尔半金属材料构建约瑟夫森结，使得器件能够在不同电流或磁场方向上选择性地进行超导态到正常态的转化，普适性强。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.超导二极管器件，其特征在于，包括异质结薄膜和两个超导电极，每一所述超导电极嵌入所述异质结薄膜，两个所述超导电极之间形成约瑟夫森结，其中，所述异质结薄膜由第二类外尔半金属制成。2.根据权利要求1所述的超导二极管器件，其特征在于，所述异质结薄膜的材料为二碲化钼。3.根据权利要求1所述的超导二极管器件，其特征在于，所述异质结薄膜的厚度为10nm至60nm。4.根据权利要求1至3任一项所述的超导二极管器件，其特征在于，所述超导电极为铌电极。5.超导二极管器件制备方法，其特征在于，所述方法用于制备权利要求1至4任一项所述的超导二极管器件，所述方法包括：清洗衬底基片；制备异质结薄膜；将所述异质结薄膜转移至所述衬底基片上；在所述异质结薄膜上旋涂光刻胶并烘干；对所述光刻胶进行曝光；在所述异质结薄膜中制备超导电极。6.根据权利要求5所述的超导二极管器件制备方法，其特征在于，所述清洗衬底基片的步骤，具体为：分别在丙酮、异丙醇、去离子水中对所述衬底基...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈平博，何洪涛，周良，叶毕聪，余涛，雷啸，安全宁，唐振中，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：