【技术实现步骤摘要】
化合物正交相硒镓钡和正交相硒镓钡非线性光学晶体及其制备方法和用途
[0001]本专利技术涉及化学式为BaGa4Se7的化合物正交相硒镓钡及正交相硒镓钡非线性光学晶体，晶体的制备方法和利用该晶体制作的非线性光学器件。
技术介绍
[0002]探索倍频效应大、透过波段宽、光损伤阈值大、物化性能稳定的新型非线性光学晶体，一直是激光变频领域的研究热点。目前主要非线性光学材料有：β
‑
BaB2O4(BBO)晶体、LiB3O5(LBO)晶体、CsB3O5(CBO)晶体、CsLiB6O
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(CLBO)晶体和KBe2BO3F2(KBBF)晶体。虽然这些材料的晶体生长技术已日趋成熟，但仍存在着明显的不足之处：如晶体易潮解、生长周期长、层状生长习性严重及价格昂贵等。因此，寻找新的非线性光学晶体材料仍然是一个非常重要而艰巨的工作。为弥补以上非线性光学晶体的不足，各国科学家仍旧在极力关注着各类新型非线性光学晶体的探索和研究，不仅注重晶体的光学性能和机械性能，而且越来越重视晶体的制备特性。
[0003]到目...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种化合物正交相硒镓钡，其特征在于该化合物化学式为BaGa4Se7，分子量为968.94，属于为正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数，晶胞参数Z＝2，单胞体积为多晶粉末。2.根据权利要求1所述的化合物正交相硒镓钡的制备方法，其特征在于按下列步骤进行：将含钡化合物或钡单质、含镓化合物或镓单质、含硒化合物或硒单质混合采用固相反应法制得所述化合物正交相硒镓钡。其中，含钡化合物或钡单质中元素钡、含镓化合物或镓单质中元素镓、含硒化合物或硒单质中元素硒的摩尔比为1
‑
1.1:4
‑
4.1:7
‑
7.5。所述含钡化合物包括有氟化钡、氯化钡、溴化钡、硒化钡中的至少一种；所述含镓化合物包括有氟化镓、氯化镓、溴化镓、硒化镓中的至少一种；所述含硒化合物为硒化钡、硒化镓中的至少一种。3.权利要求2所述化合物正交相硒镓钡的制备方法，其特征在于，所述化合物正交相硒镓钡采用高温固相反应法制备，过程包括：a.在水含量和氧气含量为0.01
‑
0.1ppm的气密容器为充有惰性气体氩气的手套箱内将含钡化合物或钡单质、含镓化合物或镓单质、含硒化合物或硒单质按摩尔比1:4:7混合均匀后放入干净的石墨坩埚中，装入石英玻璃管中，将装有原料的石英管在真空度为10
‑5‑
10
‑1Pa的条件下抽真空后封口；b.将步骤a中封好的石英管以温度10
‑
40℃/h的升温速率从室温升至400
‑
700℃，保温30
‑
60小时，再以温度20
‑
40℃/h升温至800
‑
1000℃，保温70
‑
100小时；c.以温度2
‑
7℃/h的速率冷却降至室温，取出样品放入研钵中捣碎，研磨，即得到化合物BaGa4Se7多晶粉末，将得到的化合物正交相硒镓钡多晶粉末进行X射线分析，所得X射线衍射谱图与用单晶结构解析的BaGa4Se7理论X射线谱图一致。4.一种正交相硒化钡非线性光学晶体，其特征在于，该晶体化学式为BaGa4Se7，分子量为968.94，晶系为正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数，晶胞参数Z＝2，单胞体积5.权利要求4所述的硒化钡非线性光学晶体的制备方法，其特征在于采用封管高温溶液法或布里奇曼法(坩埚下降法)制备，按下列步骤进行：a.在水含量和氧气含量为0.01
‑
0.1ppm的气密容器为充有惰性气体氩气的手套箱内将权利要求1
‑
3任一所得的化合物正交相硒镓钡单相多晶粉末或权利要求1
‑
3任一所得的化合物正交相硒镓钡单相多晶粉末与助熔剂的混合物放入干净的石墨坩埚中，装入石英玻璃管中，将装有原料的石英管在真空度为10
‑5‑
10
‑1Pa的条件下抽真空后封口；或直接将含钡化合物或钡单质、含镓化合物或镓单质、含硒化合物或硒单质与助熔剂的混合物放入干净的石墨坩埚中，装入石英玻璃管中，将装有原料的石英管在真空度为10
‑5‑
10
‑1Pa的条件下抽真空后封口；b.将步骤a中封好的石英管以温度10
‑
40℃/h的升温速率从室温升至400
‑
700℃，保温30
‑
60小时，再以温度20
‑
40℃/h升温至900
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1100℃，保温70
‑
110小时；c.以温度2
‑
5℃/h的速率冷却降至室温，得到BaGa4Se7晶体。或将盛有步骤a制备得的混合物的坩埚置入晶体生长炉中，缓慢地下降，并使坩埚通过
一个具有一定温度梯度的加热炉，控制炉温略...
【专利技术属性】
技术研发人员：俞洪伟，钱震，吴红萍，胡章贵，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：
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