一种存储器及电子设备制造技术

本申请实施例提供一种存储器及电子设备，涉及存储器技术领域，可以提高自由层的翻转速度。该存储器包括设置于存储器的存储区域内阵列分布的多个存储单元以及位线，存储单元包括晶体管以及与晶体管连接的磁隧道结MTJ元件；MTJ元件设置于晶体管的源极或者漏极与位线之间的电流传输路径上；MTJ元件包括依次层叠设置的钉扎层、参考层、隧穿层和自由层；钉扎层的磁化方向平行于MTJ中各层的堆叠方向；存储器还包括设置于电流传输路径上的第一磁性结构；其中，第一磁性结构在自由层产生的磁场的方向与自由层的磁化方向不平行。与自由层的磁化方向不平行。与自由层的磁化方向不平行。与自由层的磁化方向不平行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦青，周雪，刘熹，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：