硅-相变材料异质集成波导结构、非易失波导移相器制造技术

一种硅

【技术实现步骤摘要】
硅
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相变材料异质集成波导结构、非易失波导移相器


[0001]本专利技术涉及移相器，特别是一种硅
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相变材料异质集成波导结构、非易失波导移相器及其制备方法。

技术介绍

[0002]通常情况下，硅基光电子集成器件通过热光效应或者载流子色散效应调节硅材料的折射率。但热光效应的响应速度比较慢，通常在微秒量级；载流子色散效应虽然响应时间快，但是其折射率的调节范围有限，通常在10
‑3量级，需要毫米量级的波导长度以达到传输光π相位的变化，导致硅基高速调制器和光开关的大尺寸和高功耗。虽然采用高Q值谐振腔结构可以减少器件尺寸，但其工作带宽窄，器件性能对环境的变化敏感。因此将折射率变化显著、响应速度快、具有非易失性且低损耗的相变材料与硅异质集成，可以进一步减小硅移相器尺寸和功耗。
[0003]低损耗相变材料(包括硒化锑、硫化锑、锗锑硒碲等)作为一类新兴的且具有良好的光学特性的材料，受到了广泛的关注与研究。相变材料具有非晶态
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晶态可逆相变的特性，即随着温度的升高和降低，在相变温度附近发生非晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅
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相变材料异质集成波导结构，其特征在于，包括硅平板层(1)，以及沉积在该硅平板层(1)上的相变材料(5)。2.根据硅
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相变材料异质集成波导结构，其特征在于，所述的硅平板层(1)的厚度为40～150nm，所述的相变材料(5)的厚度为20～80nm。3.根据硅
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相变材料异质集成波导结构，其特征在于，所述的相变材料(5)为硒化锑、硫化锑或锗锑硒碲。4.一种非易失波导移相器，其特征在于，包括基层，以及固定在该基层上的权利要求1
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3任一所述的硅
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相变材料异质集成波导结构和硅波导模斑转换结构，所述的硅
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相变材料异质集成波导结构的两端对称连接所述的硅波导模斑转换结构；所述的基层，包括硅衬底(3)和附着在该硅衬底(3)上的二氧化硅下包层(2)；所述的硅波导模斑转换结构，包括呈轴对称设置的两个由窄变宽的硅波导平板(9)，以及设置在该两个硅波导平板(9)上方的由宽变窄的脊形波导(10)；氧化铝薄膜(4)覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：周林杰，刘世昌，杨星，陆梁军，李雨，陈建平，
申请(专利权)人：上海交大平湖智能光电研究院，
类型：发明
国别省市：