发送器电路及具有其的总线收发器制造技术

本发明专利技术揭示了一种发送器电路及具有其的总线收发器，其中，发送器电路包括连接至高边输出端的高边驱动电路，所述高边驱动电路包括依次串接的第一镜像晶体管和第一高压晶体管；所述第一高压晶体管配置为，在所述高边输出端处加有异常正电压时至少关闭至小导通程度以承受并挡住所述异常正电压，且在所述第一镜像晶体管导通并输出镜像电流时，开启至大导通程度以使所述镜像电流通过沟道流向所述高边输出端。本发明专利技术提供的发送器电路，能够兼顾耐压性、低功耗、低成本及信号收发效果等多种有益效果，能够应对电压值较大的异常正负电压干扰。扰。扰。

【技术实现步骤摘要】
发送器电路及具有其的总线收发器


[0001]本专利技术涉及数据传输
，尤其涉及一种发送器电路及具有其的总线收发器。

技术介绍

[0002]现有技术中，特别是CAN(Controller Area Network，控制器域网)总线网络中，为了顺应协议要求或保证数据传输的稳定性，通常会形成差分电压信号作为输出。发送器或包含有发送器的总线收发器，其差分输出端口不可避免地会出现电压电流异常的情况，此种异常可能包括出现在高边或低边的异常正电压或异常负电压(在CAN总线中，异常电压可以为
±
58V)，若不进行相应的电路设计，则会导致电路无法正常工作，元器件发生损坏。
[0003]一些技术方案会在高边和/或低边处，沿电流流向串接二极管以辅助电流导向，但如此设计需要使二极管的以及能够承受较大的异常负电压，故需要改进封装工艺，造成成本的上升。并且在电路布局时不可避免的会在二极管处留有sub端，接收/发送器电路正常工作时，电流会从sub端流出，导致功耗增加且高低边电流不对称，影响信号收发效果。
专利技术内容
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发送器电路，其特征在于，包括连接至高边输出端的高边驱动电路，所述高边驱动电路包括依次串接的第一镜像晶体管和第一高压晶体管；所述第一高压晶体管配置为，在所述高边输出端处加有异常正电压时至少关闭至小导通程度以承受并挡住所述异常正电压，且在所述第一镜像晶体管导通并输出镜像电流时，开启至大导通程度以使所述镜像电流通过沟道流向所述高边输出端。2.根据权利要求1所述的发送器电路，其特征在于，所述第一高压晶体管配置为，在所述第一镜像晶体管导通并输出镜像电流时，形成大过驱动电压以使所述镜像电流通过沟道流向所述高边输出端。3.根据权利要求1所述的发送器电路，其特征在于，所述第一高压晶体管配置为N沟道场效应管。4.根据权利要求3所述的发送器电路，其特征在于，所述第一高压晶体管配置为耗尽型N沟道场效应管。5.根据权利要求3所述的发送器电路，其特征在于，所述第一镜像晶体管配置为P沟道场效应管；所述第一镜像晶体管的源极和所述第一高压晶体管的栅极连接供电电压，所述第一镜像晶体管的漏极连接所述第一高压晶体管的源极，所述第一高压晶体管的漏极连接至所述高边输出端。6.根据权利要求1所述的发送器电路，其特征在于，所述发送器电路还包括比较电路，所述比较电路的两个输入端分别连接所述第一镜像晶体管的源极和所述第一镜像晶体管的漏极，所述比较电路的输出端连接所述第一镜像晶体管的衬底；所述比较电路配置为，将其两个输入端处的较大电压输出至所述第一镜像晶体管的衬底。7.根据权利要求6所述的发送器电路，其特征在于，所述比较电路包括第一选通晶体管和第二选通晶体管；所述第一选通晶体管的源极和所述第二选通晶体管的栅极形成所述比较电路的第一输入端，所述第一选通晶体管的栅极和所述第二选通晶体管的漏极形成所述比较电路的第二输入端，所述第一选通晶体管的漏极和所述第二选通晶体管的源极形成所述比较电路的输出端。8.根据权利要求7所述的发送器电路，其特征在于，所述第一选通晶体管的衬底与所述第二选通晶体管的衬底相连形成所述比较电路的输出端；所述第一选通晶体管和所述第二选通晶体管均配置为P沟道场效应管。9.根据权利要求7所述的发送器电路，其特征在于，所述第一选通晶体管的源极与所述第二选通晶体管的栅极之间依次串接有第一反相器和第二反相器；所述第一选通晶体管的栅极连接至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宾杰，孙园杰，陈奇辉，马绍宇，郭晓雷，
申请(专利权)人：苏州纳芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：