一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法，该方法引入过渡金属元素锰作为立方相氧化锆的稳定剂，将四水醋酸锰和乙酰丙酮锆两种有机盐按Ｍｎ∶Ｚｒ＝ｘ∶１－ｘ（０．１≤ｘ≤０．４）原子比溶解在有机溶剂丙酸或甲醇中，加热到８０－１２０℃并不断搅拌获得前驱溶液，通过旋涂或浸涂在ＳｒＴｉＯ↓［３］（１００）单晶片或Ｎｉ－５ａｔ．％Ｗ合金／Ｌａ↓［２］Ｚｒ↓［２］Ｏ↓［７］基底上，经过高温晶化，得到均匀致密的Ｍｎ↓［ｘ］Ｚｒ↓［１－ｘ］Ｏ↓［２］缓冲层薄膜，薄膜具有很好的立方织构。本发明专利技术采用化学溶液法以锰代替钇作为氧化锆基的稳定剂，所制备的Ｍｎ－ＳＺ膜能够在单晶及其它缓冲层上外延生长出锐利的立方织构，外延膜具有良好的表面结晶度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高温超导涂层导体
，特别是涉及一种高温超导涂层 导体缓冲层的制备方法。
技术介绍
涂层导体是基于Y系高温超导体优异的本征超导性能和很强的各向异性 而发展起来的具有高临界电流的超导带材，它在强磁场中的载流能力已超过 其他实用超导材料，是唯一可在液氮温区实现强磁场应用的实用超导材料。 因此，世界各国，尤其是西方发达国家在涂层导体研究方面投入了巨大的人 力和物力，美国和日本目前已实现了五年前制定的双百目标(Ic>100A/cm, L〉100m)，现已向双千目标(Ic>1000A/cm, L〉1000m)进军。高温涂层导体主要由四部分组成基底、缓冲层、超导层和保护层。 其中缓冲层被用来阻隔金属基底与高温氧化物超导层YBCO膜之间的化 学反应扩散，同时可以克服金属基底与超导层之间存在的较大晶格失配， 完成织构传递，实现超导层所必需的双轴织构，以达到涂层导体在强磁场 中优异的高载流能力。涂层导体性价比依赖于缓冲层的结构和缓冲层的制 备技术。目前国际上高性能涂层导体通常采用物理沉积技术来制备缓冲 层，如脉冲激光沉积法、直流磁控反应溅射法、电子束蒸发等，这些技术 需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法，其特征在于，制备过程为：　（１）前驱溶液制备：称取乙酰丙酮锆粉末和四水醋酸锰粉末，按Ｍｎ∶Ｚｒ＝ｘ∶１－ｘ的原子比配制，其中０．１≤ｘ≤０．４，再加入有机溶剂丙酸或甲醇，低温８０－１２０℃溶解获得 前驱溶液，所述前驱溶液的摩尔浓度是０．１Ｍ～０．５Ｍ；　（２）旋涂或浸涂：选取丙酮清洁过的钛酸锶单晶片，或Ｎｉ－５ａｔ．％Ｗ合金为基底且涂有已立方织构化的Ｌａ↓［２］Ｚｒ↓［２］Ｏ↓［７］薄膜的基片，旋涂时，所述单晶片或基片水平放置在 旋涂机吸口上，将（１）所述的前驱溶液均匀滴到单晶片或基片上，旋涂机的速率是３０００转／ｍｉｎ，旋涂时间为６０...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊晓梅，卢亚锋，李成山，于泽铭，金利华，
申请(专利权)人：西北有色金属研究院，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]