一种锰稳定氧化铪薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种锰稳定氧化铪薄膜的制备方法，制备过程为：以ＨｆＯ↓［２］和ＭｎＯ↓［２］为原料，按Ｈｆ↓［０．８］Ｍｎ↓［０．２］Ｏ↓［２］中阳离子的摩尔比为４∶１称量、混合、研磨、烧结；再次研磨、压片后重复烧结，并将烧结样品打磨后得到靶材。在一定的衬底温度、氩气分压、靶－衬距离下，入射到靶材表面的脉冲激光剥蚀靶体，形成羽辉后将掺杂氧化铪沉积到衬底上，制得锰稳定氧化铪薄膜。本发明专利技术工艺简单，所制备的锰稳定氧化铪薄膜具有很好的ｃ轴织构，表面光滑致密，锰稳定氧化铪薄膜与单晶衬底之间具有原子级的锐利界面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，具体涉及一种在氧化物 半导体装置中的栅介质、磁性薄膜、高温超导涂层导体等领域中具有广泛应用潜力的锰稳定氧化铪Hfo.8Mn。.202薄膜的制备方法。
技术介绍
氧化铪(Hf02)体材料在氧探测器、高温燃料电池、催化技术和光导 装置中有着广泛的应用潜力。氧化铪(Hf02)也是一种高温结构陶瓷材料， 熔点高达3173K，具有与氧化锆相似的晶体结构和离子电导性能，但与后 者相比，Hf02材料在高温下的相变温度比Zr02高，因此Hf02材料具有更好 的抗热震性能、更高的化学稳定性。在大气环境下，氧化铪存在三种同质 异形体，即单斜晶系(m-Hf02)、四方晶系(t-Hf02)和立方晶系(c-Hf02)。 纯的Hf02在烧结后的冷却过程中会发生四方相到单斜相的马氏体相变，同 时伴随有体积变化，导致制备的材料开裂，限制了氧化铪材料在工程上的 应用。开发氧化铪(Hf02)薄膜材料对于氧化物半导体装置中的栅介质、磁 性薄膜、髙温超导涂层导体等领域具有重要意义。针对半导体中的栅极材 料应用，理论计算表明，虽然单斜相的介电常数较非晶态氧化铪的小，但 是四方相的介电常数可以高达70，因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锰稳定氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于制备过程为：　（１）将金属氧化物ＨｆＯ↓［２］和ＭｎＯ↓［２］，按照Ｈｆ↓［０．８］Ｍｎ↓［０．２］Ｏ↓［２］中Ｈｆ∶Ｍｎ的摩尔比为４∶１称量，混合研磨后在１４００℃温度下恒温处理１２－２４小 时后取出；　（２）再仔细研磨，混合充分，在压片机上用硬质钢模具将混合粉末压制成圆片；　（３）将步骤（２）中的圆片放在刚玉坩埚里，在硅碳管发热体管式高温炉内烧结，在氩气气氛中于１４００℃温度下烧结１２－２４小时，然后随炉冷却至室温 ，得到相应的稳定氧化铪样品；　（４）对步骤（３）中的稳定氧化铪样品表面进行打磨制备成靶材；　（５）将沉...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢亚锋，白利锋，冯建情，李成山，闫果，
申请(专利权)人：西北有色金属研究院，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]