一种二维层状二硫化铁晶体及其制备方法与霍尔器件技术

本发明专利技术公开一种二维层状二硫化铁晶体及其制备方法与霍尔器件，其中，二维层状FeS2晶体的制备方法包括步骤：提供衬底、硫源、铁源；采用化学气相沉积法，将所述硫源和铁源沉积到所述衬底上进行反应，得到所述二维层状FeS2晶体。本发明专利技术采用化学气相沉积法，成功制备得到二维层状FeS2晶体，所述二维层状FeS2晶体具有规则的几何形貌、具有金属特性。本发明专利技术提供的制备方法工艺简单，与现有半导体工艺兼容，突破了现有FeS2的非层状晶体结构的限制，弥补了现有技术无法制备层状结构FeS2晶体的空白。晶体的空白。晶体的空白。

【技术实现步骤摘要】
一种二维层状二硫化铁晶体及其制备方法与霍尔器件


[0001]本专利技术涉及二维层状晶体材料
，尤其涉及一种二维层状二硫化铁晶体及其制备方法与霍尔器件。

技术介绍

[0002]二维层状纳米材料是研究电荷密度波、半导体、超导和磁性的极好平台。最近，二维超导体和磁体引起了越来越多的关注，这将促进对二维超导性和磁性及其相互作用和界面效应的研究。层状铁一硫族化合物具有超导性，是众所周知的铁基层状材料，其超导电性可通过元素取代、掺杂和加压等进行调节。单层FeSe在接近90K时发生从四方到正交的结构相的超导转变，温度远高于块状FeSe。因此，二维结构可能是高温超导体的潜在存在形式。然而，铁二硫族化合物通常是马氏体或黄铁矿，马氏体、黄铁矿都是具有半导体性质的非层状结构，具有层状结构的铁二硫族化合物FeS2迄今仍未被制备出来。
[0003]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种二维层状FeS2晶体及其制备方法与霍尔器件，旨在解决现有铁二硫族化合物通常是非层状本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二维层状FeS2晶体的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底、硫源、铁源；采用化学气相沉积法，将所述硫源和铁源沉积到所述衬底上进行反应，得到所述二维层状FeS2晶体。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底包括云母衬底、硅衬底、二氧化硅衬底、蓝宝石衬底中的一种。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硫源包括硫粉、硫块或硫颗粒。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铁源包括FeO、Fe2O3、Fe3O4、FeCl3、FeCl2、Fe(OH)2、Fe(OH)3中的至少一种。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述采用化学气相沉积法，将所述硫源和铁源沉积到所述衬底上进行反应，得到所述二维层状FeS2晶体的步骤具体包括：将所述铁源与氯化盐进行混合，得到混合粉末；将所述硫源和混合粉末分别置于化学气相沉积反应器中惰性气体通入方向的上游区域和下游区域，将所述衬底置于混合粉末上方...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩娜，薛运周，黎德龙，陈昊，龚佑宁，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：