电压模式发射器制造技术

本发明专利技术公开了一种电压模式发射器，包括：一串行器、一前端驱动电路、一驱动电路和一电阻校正电路。串行器用来将一数据转换为一串行数据。前端驱动电路用来驱动所述串行数据。驱动电路包括一切片、一复制切片、一参考电压产生电路、一第一运算放大器和一第二运算放大器。参考电压产生电路耦接在一第一工作电压与一第二工作电压之间且包括一电阻。电阻校正电路用来：利用一第一电流源和一参考电阻产生一参考电压，其中，所述第一电流源为经过一带隙基准电路校正后的电流源；利用一第二电流源流经所述电阻来产生一目标电压；以及根据所述参考电压和所述目标电压调整所述电阻。考电压和所述目标电压调整所述电阻。考电压和所述目标电压调整所述电阻。

【技术实现步骤摘要】
电压模式发射器


[0001]本专利技术涉及电压模式发射器，尤其涉及电压模式发射器的驱动电路及其电阻校正电路。

技术介绍

[0002]图1是现有芯片的示意图。芯片10包括主电路110、串行器(serializer)120、前端驱动电路(pre
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driver circuit)130和驱动电路140。串行器120根据时钟信号CLK将主电路110所产生的并行数据(parallel data)DP串行化(serialize)以产生串行数据(serial data)DS，然后串行数据DS经过前端驱动电路130和驱动电路140后由引脚PD1和引脚PD2输出。RL是负载电阻。前端驱动电路130和驱动电路140用来驱动串行数据DS的输出，其操作原理为本
中具有普通知识的技术人员所熟知，故不再赘述。
[0003]驱动电路140的内部电阻需要与负载电阻RL匹配。然而，一些因素(例如制程、电压、温度的改变)会导致驱动电路140的内部电阻的电阻值产生变化，所以现有技术使用一个电阻值精准的外部电阻RE(位于芯片10的外部)作为校正驱动电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压模式发射器，通过一第一输出引脚和一第二输出引脚输出信号，包括：一串行器，用来将一数据转换为一串行数据；一前端驱动电路，耦接所述串行器，用来驱动所述串行数据；一驱动电路，包括：一切片，包括一第一晶体管和一第二晶体管，用来提供一输出信号到所述第一输出引脚或所述第二输出引脚；一复制切片，耦接所述切片，包括一第三晶体管和一第四晶体管，其中，所述第一晶体管的一第一栅极耦接所述第三晶体管的一第三栅极，且所述第二晶体管的一第二栅极耦接所述第四晶体管的一第四栅极；一参考电压产生电路，耦接在一第一工作电压与一第二工作电压之间且包括一电阻，用来在所述电阻的两端分别产生一第一参考电压和一第二参考电压；一第一运算放大器，耦接在所述复制切片与所述参考电压产生电路之间，用来接收所述第一参考电压并提供一第一栅极电压到所述第一栅极和所诉第三栅极；以及一第二运算放大器，耦接在所述复制切片与所述参考电压产生电路之间，用来接收所述第二参考电压并提供一第二栅极电压到所述第二栅极和所述第四栅极；以及一电阻校正电路，用来：利用一第一电流源和一参考电阻产生一第三参考电压，其中，所述第一电流源为经过一带隙基准电路校正后的电流源；利用一第二电流源流经所述电阻来产生一目标电压；以及根据所述第三参考电压和所述目标电压调整所述电阻。2.根据权利要求1所述的电压模式发射器，其特征在于，所述电阻为一第一电阻，所述复制切片还包括：一第二电阻，具有一第一端和一第二端，所述第一端耦接所述第一运算放大器的一输入端，所述第二端耦接所述第二运算放大器的一输入端；一第三电阻，耦接在所述第三晶体管与所述第二电阻之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：许博豪，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：