蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种蓝宝石衬底的ＡｌＧａＩｎＰ发光二极管。该发光二极管的外延结构由下至上依次为蓝宝石衬底、低温ＧａＰ缓冲层、高温ＧａＰ缓冲层、ＧａＰ电流扩展及欧姆接触层、ＡｌＧａＩｎＰ过渡层和下限制层、多量子阱ＡｌＧａＩｎＰ有源区、ＡｌＧａＩｎＰ上限制层和ＧａＰ电流扩展层。本实用新型专利技术使用蓝宝石作为外延生长衬底，并使用磷化镓作为缓冲层，由于蓝宝石和磷化镓材料对黄色至红色波段是透明的，因此不存在衬底光吸收问题，通过磷化镓缓冲层可以抑制蓝宝石衬底和ＡｌＧａＩｎＰ材料之间晶格失配和热膨胀系数失配导致的材料生长缺陷，从而可以大大提高发光二极管的光输出能力。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种蓝宝石衬底的铝镓铟磷(AlGalnP)发光二极管(light emitting diode， LED),属于光电子

技术介绍
不同颜色的发光二极管(LED)是由不同的材料体系制备的，对于黄色、橙色、红色LED， 现在性能最好的是利用AlGaInP材料作为发光层制备的。AlGalnP LED是在GaAs (砷化镓) 衬底上生长的，其外延材料结构由下至上依次为GaAs衬底、GaAs缓冲层、n型铝镓铟磷 下限制层、非掺杂铝镓铟磷 (#y)发 光区(也叫有源区)、p型铝镓铟磷上限制层和p型GaP (磷化镓)电流扩 展层。其制备过程如下1. 在GaAs衬底上外延生长一层GaAs缓冲层；2. 在GaAs缓冲层上生长与GaAs晶格匹配的n型铝镓铟磷下限制层；3. 在下限制层上生长非掺杂的铝镓铟磷(扭y)发光 区(也叫有源区)；4. 在发光区上生长p型铝镓铟磷上限制层；5. 在上限制层上生长p型GaP具有电流扩展和欧姆接触功能的顶层。 上述结构中由于GaAs衬底对可见光是吸收的，发光区产生的向下传播的光都被吸收，从而发光效率很低，通常小于101m/W。为抑制上述问题，业界本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝宝石衬底的ＡｌＧａＩｎＰ发光二极管，其特征是：该发光二极管的外延结构由下至上依次为蓝宝石衬底、低温ＧａＰ缓冲层、高温ＧａＰ缓冲层、ＧａＰ电流扩展及欧姆接触层、ＡｌＧａＩｎＰ过渡和下限制层、多量子阱ＡｌＧａＩｎＰ有源区、ＡｌＧａＩｎＰ上限制层和ＧａＰ电流扩展层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李树强，徐现刚，张新，马光宇，任忠祥，夏伟，吴小强，卢振，于军，吴作贵，
申请(专利权)人：山东华光光电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：88[中国|济南]