一种用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置及制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置及制作方法，重离子束流屏蔽装置包括第一框架和第二框架，所述第一框架上具有第一开口，所述第一开口上固定覆盖有第一阻挡膜，所述第二框架上具有第二开口，所述第二开口上固定覆盖有第二阻挡膜，所述第一框架和所述第二框架相对固定设置于多丝漂移室的一层阳极丝层两侧，所述第一阻挡膜和所述第二阻挡膜配合对两者之间的阳极丝进行遮挡。与现有技术相比，本发明专利技术能够实现多丝漂移室探测器局部对重离子束流不敏感，使得束流穿过区域的阳极丝通道除束流穿过外的其它区域对次级反应产物依旧敏感，从而提高探测器的有效探测面积，进而提高实验精度。进而提高实验精度。进而提高实验精度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置及制作方法


[0001]本专利技术涉及多丝漂移室
，尤其涉及一种用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置及制作方法。

技术介绍

[0002]核辐射探测器是利用核辐射在气体、液体或固体中引起的电离效应、发光现象、物理或化学变化进行核辐射探测的元件。带电粒子穿过介质时与介质产生相互作用，通过激发原子中的束缚电子或电离损失一部分能量。核辐射探测器通过测量这些相互作用能够直接或间接地确定核辐射的种类、能量、强度或核寿命等参数。
[0003]在核物理实验中，部分反应粒子的散射角比较小，非常接近入射粒子的束流方向。为了防止在对这些小角度粒子进行测量时受到入射束流的影响，需要将探测器放置在束流外侧以避让束流。这会导致反应产物探测不完全，进而使得实验精度降低。因此，为了提高实验精度，可以在束流入射方向上设置多丝漂移室对反应产物进行探测。但是，在探测器工作电压下，束流直接穿过探测器，阳极丝会产生高计数率且饱和的信号，甚至会出现放电，导致探测器和电子学无法工作。这将会导致束流穿过区域的数十个阳极丝通道的所有区域均无法正常工作，使得探测器的有效探测面积减少，从而降低实验精度。尤其对于用于高精度三维径迹测量的多丝漂移室，其上至少包括十几层阳极丝层，这将会导致其上百个通道无法探测带电粒子径迹。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于：针对上述现有技术中存在的不足，提供一种于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置及制作方法，其能够实现多丝漂移室探测器局部对重离子束流不敏感，使得束流穿过区域的阳极丝通道除束流穿过外的其它区域对次级反应产物依旧敏感，从而提高探测器的有效探测面积，进而提高实验精度。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]第一方面，本专利技术提供了一种用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置，包括：
[0007]第一框架，所述第一框架上具有第一开口，所述第一开口上固定覆盖有第一阻挡膜；
[0008]第二框架，所述第二框架上具有第二开口，所述第二开口上固定覆盖有第二阻挡膜；
[0009]所述第一框架和所述第二框架相对固定设置于多丝漂移室的一层阳极丝层两侧，所述第一阻挡膜和所述第二阻挡膜配合对两者之间的阳极丝进行遮挡。
[0010]优选的，所述第一阻挡膜和所述第二阻挡膜为mylar膜。
[0011]优选的，所述第一框架和所述第二框架材质为玻璃布和环氧树脂制成的FR
‑
4基板。
[0012]优选的，所述第一框架和所述第二框架呈圆环状。
[0013]优选的，所述第一框架上设置有若干第一焊盘，所述第一焊盘连接所述阳极丝层的场丝以固定所述第一框架。
[0014]优选的，所述第二框架上设置有若干第二焊盘，所述第二焊盘连接所述阳极丝层的场丝以固定所述第二框架，所述第一框架上具有对应所述第二焊盘设置的若干避空位。
[0015]优选的，所述第一焊盘和所述第二焊盘为铜焊盘。
[0016]第二方面，本专利技术提供了一种如上述第一方面中所述重离子束流屏蔽装置的制作方法，包括以下步骤：
[0017]利用拉膜平台拉展一整片阻挡膜；
[0018]将所述第一框架和所述第二框架分别固定连接于所述阻挡膜上；
[0019]分别沿所述第一框架和所述第二框架的边缘将所述第一框架和所述第二框架连同固定覆盖于所述第一开口和所述第二开口上的所述阻挡膜从整片所述阻挡膜上割下；
[0020]将所述第一框架和所述第二框架相对固定连接于多丝漂移室的一层阳极丝层两侧，以使所述第一开口和所述第二开口上的所述阻挡膜配合对所述阳极丝层的阳极丝两侧进行遮挡。
[0021]优选的，当所述多丝漂移室设置有多层所述阳极丝层时，可分别制作多个所述第一框架和所述第二框架，并通过所述第一框架和所述第二框架对每一所述阳极丝层的阳极丝进行遮挡。
[0022]与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
[0023]本专利技术通过在多丝漂移室束流穿过的对应阳极丝层区域两侧上设置阻挡膜，阻挡膜能够阻挡束流穿过探测器时电离产生的原初电子漂移至阳极丝附近，避免了电子的雪崩放大，避免了阳极丝对束流产生响应，使得多丝漂移室能够局部屏蔽重离子束流，其能够实现多丝漂移室探测器局部对重离子束流不敏感，使得束流穿过区域的阳极丝通道除束流穿过外的其它区域对次级反应产物依旧敏感，从而提高探测器的有效探测面积，进而提高实验精度。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式，下面将对具体实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍。需要说明的是，在所有附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
[0025]图1为本专利技术实施例所述用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置的整体结构示意图；
[0026]图2为本专利技术实施例所述用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置的第一框架整体结构示意图；
[0027]图3为本专利技术实施例所述用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置的第二框架整体结构示意图；
[0028]图4为本专利技术实施例所述用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置的屏蔽效果验证的实验结果图。
[0029]图中：
[0030]1、第一框架；11、第一阻挡膜；12、第一焊盘；13、避空位；2、第二框架；21、第二阻挡
膜；22、第二焊盘；3、阳极丝；4、场丝。
具体实施方式
[0031]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0032]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的系统或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，使用术语“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对上述零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0034]在核物理实验中，通常采用在束流入射方向上设置多丝漂移室对部分散射角比较小的反应粒子的反应产物进行探测。但是，在探测器的工作电压下，束流直接穿过多丝漂移室，多丝漂移室的阳极丝会产生高计数率且饱和的信号，甚至会出现放电，导致探测器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置，其特征在于，包括：第一框架(1)，所述第一框架(1)上具有第一开口，所述第一开口上固定覆盖有第一阻挡膜(11)；第二框架(2)，所述第二框架(2)上具有第二开口，所述第二开口上固定覆盖有第二阻挡膜(21)；所述第一框架(1)和所述第二框架(2)相对固定设置于多丝漂移室的一层阳极丝层两侧，所述第一阻挡膜(11)和所述第二阻挡膜(21)配合对两者之间的阳极丝(3)进行遮挡。2.如权利要求1所述的用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置，其特征在于，所述第一阻挡膜(11)和所述第二阻挡膜(21)为mylar膜。3.如权利要求1所述的用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置，其特征在于，所述第一框架(1)和所述第二框架(2)材质为玻璃布和环氧树脂制成的FR
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4基板。4.如权利要求1所述的用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置，其特征在于，所述第一框架(1)和所述第二框架(2)呈圆环状。5.如权利要求1所述的用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置，其特征在于，所述第一框架(1)上设置有若干第一焊盘(12)，所述第一焊盘(12)连接所述阳极丝层的场丝(4)以固定所述第一框架(1)。6.如权利要求5所述的用于多丝漂移室的重离子束流屏蔽装置，其特征在于，所述第二框架(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：何周波，马朋，杨贺润，鲁辰桂，魏向伦，邱天力，李蒙，胡荣江，张秀玲，黄鑫杰，尹小豪，杨远胜，李志杰，段利敏，
申请(专利权)人：中国科学院近代物理研究所，
类型：发明
国别省市：