电流反馈驱动方法、电路、存储介质及电子设备技术

本申请公开了的电流反馈驱动方法、电路、存储介质及电子设备，所述电流反馈驱动方法包括：在SiC MOSFET的栅极驱动电路的输出端设置有第一电流源和第二电流源；检测SiC MOSFET的漏源电压变化率和漏源电流变化率，根据所述漏源电压变化率控制所述栅极驱动电路的输出端与所述第一电流源之间的通断；根据所述漏源电流变化率控制所述栅极驱动电路的输出端与所述第二电流源之间的通断。本实施例提供的所述电流反馈驱动方法通过动态调整四个阶段驱动电流大小，提高SiC MOSFET的开通速度和关断速度，从而极大的改善开通时间和关断时间，优化开通损耗和关断损耗。开通损耗和关断损耗。开通损耗和关断损耗。

【技术实现步骤摘要】
电流反馈驱动方法、电路、存储介质及电子设备


[0001]本申请属于电子电力驱动
，特别地涉及电流反馈驱动方法、电路、存储介质及电子设备。

技术介绍

[0002]传统硅器件的发展已逼近其材料物理极限，成为当前限制电力电子器件的主要因素。SiC MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor)即碳化硅金属
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氧化物半导体场效应晶体管由于其开关速度更快，在大功率变流领域有广泛的应用前景。与硅器件相比，SiC MOSFET本身结电容小，开关速度快，由于器件封装，产品互连等产生的寄生电感和杂散电容影响不能忽略。在开关瞬间，更快的开关速度意味着更高的电压变化率和电流变化率，在相同寄生参数的影响下，不仅会引起更大的器件过应力，导致更严重的电磁干扰，甚至可能在电路中产生振荡，影响系统的稳定性。
[0003]针对上述问题，为了减少器件的电气应力，传统栅极驱动电路的常规方法是增加栅极电阻来降低开关速度，但这样本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流反馈驱动方法，基于SiC MOSFET的栅极驱动电路实现，其特征在于，所述栅极驱动电路的输出端设置有第一电流源和第二电流源；所述方法包括：检测SiC MOSFET的漏源电压变化率和漏源电流变化率；根据所述漏源电压变化率控制所述栅极驱动电路的输出端与所述第一电流源之间的通断；根据所述漏源电流变化率控制所述栅极驱动电路的输出端与所述第二电流源之间的通断。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述漏源电压变化率控制所述栅极驱动电路的输出端与所述第一电流源之间的通断，包括：根据所述漏源电压变化率确定与SiC MOSFET的漏极并联的RC微分电路的输出电压；根据所述RC微分电路的输出电压与预设的第一阈值的比较结果，控制所述第一电流源与所述栅极驱动电路之间的通断。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述漏源电流变化率控制所述栅极驱动电路的输出端与所述第二电流源之间的通断，包括：根据所述漏源电流变化率确定SiC MOSFET的漏极上下管连接处的电感的电压；根据所述电感的电压与预设第二阈值的比较结果，控制所述栅极驱动电路的输出端与所述第二电流源之间的通断。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述RC微分电路的输出电压与预设的第一阈值的比较结果，控制所述第一电流源与所述栅极驱动电路之间的通断的控制策略，包括：所述RC微分电路的输出电压大于或等于所述预设的第一阈值时，控制所述第一电流源与所述栅极驱动电路之间导通；所述RC微分电路的输出电压小于或等于零时，控制所述第一电流源与所述栅极驱动电路之间断开；所述RC微分电路的输出电压在零至所述预设的第一阈值的范围内时，保持当前所述第一电流源与所述栅极驱动电路之间的通断状...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓菲，吴琬琰，黄润宇，王莉，李庆，罗敏，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：