一种上颌窦种植牙种植方法技术

本发明专利技术公开了一种上颌窦种植牙种植方法，属于牙科种植技术领域，本发明专利技术包括如下步骤：S1利用快速成型技术制造缺牙区树脂模型，做模型手术将种植体尖端准确定位在骨嵴和骨突内；S2通过综合CBCT图像、树脂模型三维扫描模型及Simplant软件的种植体植入方案等信息，制作CAD/CAM种植牙导板，并在其引导下进行种植窝的预备。本发明专利技术通过将种植体尖端2～5mm长度进入上颌窦底壁骨嵴和骨突内，尖端大部分包裹在上颌窦底壁骨嵴内，少部分侧面突入上颌窦腔内，初期稳定性好，上颌窦底黏膜完整，同时选择基底部宽度大于5mm、近中或远中斜面与种植体长轴夹角小于70

【技术实现步骤摘要】
一种上颌窦种植牙种植方法


[0001]本专利技术涉及
，具体为一种上颌窦种植牙种植方法。

技术介绍

[0002]自1965年瑞典科学家Branemark教授首创纯钛种植系统以来，人工种植牙已逐渐成为修复牙齿缺失的重要手段。随着牙种植技术的发展许多原来因自身牙槽骨量不足而不能进行牙种植的患者也可进行牙种植并取得了良好的修复效果。
[0003]牙槽骨植骨主要包括自体骨移植和人工材料的植入。自体骨移植包括松质骨、皮质骨技术或带血管的骨瓣移植术。自体骨取骨部位通常为髂骨、下颌骨正中部、外斜线部、上颌结节部。自体骨移植安全可靠无免疫排斥，但易造成取骨部位的继发损伤，存在供骨区合并症的可能，手术时间较长，且当牙槽嵴萎缩面积较大时骨瓣来源有限，故应用受到限制。近年自体骨移植在种植牙中的应用有所减少。因人工材料无继发损伤，引导成骨作用显著，可与自体骨混合使用。
[0004]行上颌磨牙种植时，如果牙槽嵴萎缩明显，植入较长的种植体时有可能造成上颌窦穿孔，且无足够的支持骨，给种植手术带来一定的困难，所以我们提出了一种上颌窦种植牙种植方法，以便于解决上述中提出的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种上颌窦种植牙种植方法，以解决上述
技术介绍
提出的目前市场上的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种上颌窦种植牙种植方法，包括如下步骤：
[0007]S1利用快速成型技术制造缺牙区树脂模型，做模型手术将种植体尖端准确定位在骨嵴和骨突内；
[0008]S2通过综合CBCT图像、树脂模型三维扫描模型及Simplant软件的种植体植入方案等信息，制作CAD/CAM种植牙导板，并在其引导下进行种植窝的预备；
[0009]S3实施种植导航手术，从上颌尖牙到第一磨牙龈颊沟横行切口，切开黏膜、骨膜，分离翻起黏骨膜瓣，显露上颌窦外壁骨面；
[0010]S4在骨面上按窦腔大小用球钻开一矩形窗口，除窗口上边界外，其余三个边使其连通；
[0011]S5分离上移骨黏膜瓣，自上颌窦底起始，用一弯度适宜的鼻黏膜剥离子贴骨壁仔细分离、上推窦黏膜直至植骨的高度；
[0012]S6修整骨壁下方组织，将适量的诱导骨组织再生骨粉植入患者口腔的缺骨区并且取少许邻近组织的自体松质骨，将可吸收屏障胶原膜覆盖在其表面，经修整使其与植骨床一致，植入上颌窦底，应使其密接无间隙；
[0013]S7沿龈颊沟切口向腭侧分离翻转黏骨膜瓣，显露牙槽嵴骨面，种植体尖端2～5mm长度进入上颌窦底壁骨嵴和骨突，选择基底部宽度大于5mm、近中或远中斜面与种植体长轴
夹角小于70
°
骨嵴和骨突。
[0014]优选的，所述S2中切口过程中需要注意避开眶下神经。
[0015]优选的，所述S4中上颌窦前壁开窗，可先用球钻钻孔，再用小裂钻或小骨凿切开两侧及下壁，上壁造成半骨折。
[0016]优选的，所述S4中球钻为特殊切割刃设计的上颌窦底开孔钻能，钻孔时只穿透骨壁，勿损伤黏膜。
[0017]优选的，所述S5中上推窦黏膜1.5cm即可，勿穿通上颌窦黏膜。
[0018]优选的，所述术后拍摄CBCT，应用Mimics软件对比术前设计与术后实际的种植体三维位置。
[0019]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0020](1)本专利技术通过将种植体尖端2～5mm长度进入上颌窦底壁骨嵴和骨突内，尖端大部分包裹在上颌窦底壁骨嵴内，少部分侧面突入上颌窦腔内，初期稳定性好，上颌窦底黏膜完整，同时选择基底部宽度大于5mm、近中或远中斜面与种植体长轴夹角小于70
°
骨嵴和骨突在术中更安全。
[0021](2)本专利技术通过应用CAD/CAM种植牙导板，有利于种植体三维位置的确定，使传统的经验种植向精确的数字化种植转变，提高了手术的精确性和安全性。
[0022](3)本专利技术采用特殊切割刃设计的上颌窦底开孔钻能使上颌窦黏膜从骨嵴或骨突斜面上向侧方完整地提升。
[0023](4)本专利技术采用诱导骨组织再生骨粉和可吸收屏障胶原膜，能有效诱导种植牙骨量不足患者骨组织的再生，并对缺损的骨组织进行重建，从而有效促进新生骨组织与种植体形成良好的骨性愈合。
具体实施方式
[0024]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0025]本专利技术提供一种上颌窦种植牙种植方法，包括如下步骤：
[0026]S1利用快速成型技术制造缺牙区树脂模型，做模型手术将种植体尖端准确定位在骨嵴和骨突内；
[0027]S2通过综合CBCT图像、树脂模型三维扫描模型及Simplant软件的种植体植入方案等信息，制作CAD/CAM种植牙导板，并在其引导下进行种植窝的预备；
[0028]S3实施种植导航手术，从上颌尖牙到第一磨牙龈颊沟横行切口，切开黏膜、骨膜，分离翻起黏骨膜瓣，显露上颌窦外壁骨面；
[0029]S4在骨面上按窦腔大小用球钻开一矩形窗口，除窗口上边界外，其余三个边使其连通；
[0030]S5分离上移骨黏膜瓣，自上颌窦底起始，用一弯度适宜的鼻黏膜剥离子贴骨壁仔细分离、上推窦黏膜直至植骨的高度；
[0031]S6修整骨壁下方组织，将适量的诱导骨组织再生骨粉植入患者口腔的缺骨区并且
取少许邻近组织的自体松质骨，将可吸收屏障胶原膜覆盖在其表面，经修整使其与植骨床一致，植入上颌窦底，应使其密接无间隙；
[0032]S7沿龈颊沟切口向腭侧分离翻转黏骨膜瓣，显露牙槽嵴骨面，种植体尖端2～5mm长度进入上颌窦底壁骨嵴和骨突，选择基底部宽度大于5mm、近中或远中斜面与种植体长轴夹角小于70
°
骨嵴和骨突。
[0033]S2中切口过程中需要注意避开眶下神经。
[0034]S4中上颌窦前壁开窗，可先用球钻钻孔，再用小裂钻或小骨凿切开两侧及下壁，上壁造成半骨折。
[0035]S4中球钻为特殊切割刃设计的上颌窦底开孔钻能，钻孔时只穿透骨壁，勿损伤黏膜。
[0036]S5中上推窦黏膜1.5cm即可，勿穿通上颌窦黏膜。
[0037]实施例一
[0038]一种上颌窦种植牙种植方法，包括如下步骤：
[0039]S1利用快速成型技术制造缺牙区树脂模型，做模型手术将种植体尖端准确定位在骨嵴和骨突内；
[0040]S2通过综合CBCT图像、树脂模型三维扫描模型及Simplant软件的种植体植入方案等信息，制作CAD/CAM种植牙导板，并在其引导下进行种植窝的预备，切口过程中需要注意避开眶下神经；
[0041]S3实施种植导航手术，从上颌尖牙到第一磨牙龈颊沟横行切口，切开黏膜、骨膜，分离翻起黏骨膜瓣，显露上颌窦外壁骨面；
[0042]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种上颌窦种植牙种植方法，其特征在于：包括如下步骤：S1利用快速成型技术制造缺牙区树脂模型，做模型手术将种植体尖端准确定位在骨嵴和骨突内；S2通过综合CBCT图像、树脂模型三维扫描模型及Simplant软件的种植体植入方案等信息，制作CAD/CAM种植牙导板，并在其引导下进行种植窝的预备；S3实施种植导航手术，从上颌尖牙到第一磨牙龈颊沟横行切口，切开黏膜、骨膜，分离翻起黏骨膜瓣，显露上颌窦外壁骨面；S4在骨面上按窦腔大小用球钻开一矩形窗口，除窗口上边界外，其余三个边使其连通；S5分离上移骨黏膜瓣，自上颌窦底起始，用一弯度适宜的鼻黏膜剥离子贴骨壁仔细分离、上推窦黏膜直至植骨的高度；S6修整骨壁下方组织，将适量的诱导骨组织再生骨粉植入患者口腔的缺骨区并且取少许邻近组织的自体松质骨，将可吸收屏障胶原膜覆盖在其表面，经修整使其与植骨床一致，植入上颌窦底，应使其密接无间隙；S7沿龈颊沟切口向腭侧分离翻转黏骨膜瓣，显露牙槽嵴骨...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小龙，
申请(专利权)人：张小龙，
类型：发明
国别省市：